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公开(公告)号:CN109841664A
公开(公告)日:2019-06-04
申请号:CN201810475239.2
申请日:2018-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 一种晶体管包括衬底上的栅极结构,其中衬底包括栅极结构下方的信道区。晶体管还包括衬底中的源极,其邻近栅极结构的第一侧。晶体管还包括衬底中的漏极,其邻近栅极结构的第二侧,其中栅极结构的第二侧相对于栅极结构的第一侧。晶体管还包括邻近源极的第一淡掺杂漏极。晶体管还包括邻近漏极的第二淡掺杂漏极区。晶体管还包括邻近第一淡掺杂漏极区的掺杂延伸区。