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公开(公告)号:CN107437558A
公开(公告)日:2017-12-05
申请号:CN201710299656.1
申请日:2017-05-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/0733 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14689 , H01L29/66174 , H01L29/93 , H01L29/0649 , H01L29/42356
Abstract: 一种低噪声装置包括隔离特征,所述隔离特征位于衬底中。所述低噪声装置进一步包括栅极堆叠,所述栅极堆叠位于所述衬底中的沟道的上方。所述栅极堆叠包括栅极介电层以及栅极电极,所述栅极介电层延伸于所述隔离特征的一部分的上方,所述栅极电极位于所述栅极介电层的上方。所述低噪声装置进一步包括电荷陷获减少结构,所述电荷陷获减少结构相邻于所述隔离特征。所述电荷陷获减少结构被配置用以减少与所述隔离特征与所述沟道之间的界面相邻的电荷载流子的数目。
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公开(公告)号:CN118228643A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202410168877.5
申请日:2024-02-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/323
Abstract: 本发明提供一种在电路设计中选择装置的方法及系统及计算机可读取媒体。在电路设计中选择装置的方法包括:对源‑电路设计(SCD)中的源PDK装置(SPD)进行标记;基于SCD中的SPD的源设计关键效能指示符(KPI)仿真数据产生源设计仿真数据库(SDSD);基于多个目标PDK装置(TPD)的目标设计KPI仿真数据产生目标制程设计套件(PDK)仿真数据库(TPSD);基于SDSD及TPSD创建匹配表;基于匹配表将来自TPSD的一或多个TPD与SDSD中基于SPD KPI的每一SPD进行匹配;对自TPSD匹配的所述一或多个TPD与SDSD中基于SPD KPI的每一SPD进行排序;以及基于包括TPD对SCD中的SPD的一对一关系的迁移映射表而将SCD中的一或多个SPD与一对一关系型TPD进行交换。
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