集成电路及其形成方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110729290B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN201910639715.4

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 集成电路包括第一器件组、金属层组和头部电路。第一器件组配置为在第一电源电压上工作,并且位于集成电路的第一层上。金属层组位于第一层之上,并且包括第一金属层和第二金属层。第一金属层在至少第一方向和第二方向上延伸。头部电路位于第一器件组之上。头部电路的至少部分位于第一金属层和第二金属层之间。头部电路配置为向第一器件组提供第一电源电压,并且配置为耦合到具有不同于第一电源电压的第二电源电压的第二电压电源。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。

    容器运送方法及仓储
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109755165B

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN201810596818.2

    申请日:2018-06-11

    Abstract: 本申请提供一种半导体制造中运送用于夹持至少一物品的一容器的方法。上述方法包括通过一运送机构运送容器至一相邻于一终点空间的位置。上述方法也包括在容器放置于终点空间之前,记录终点空间的一第一影像。上述方法还包括对第一影像实施一影像分析。并且,上述方法包括根据第一影像的影像分析的结果判断是否将容器放置至终点空间。

    集成电路及其形成方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110729290A

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201910639715.4

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 集成电路包括第一器件组、金属层组和头部电路。第一器件组配置为在第一电源电压上工作,并且位于集成电路的第一层上。金属层组位于第一层之上,并且包括第一金属层和第二金属层。第一金属层在至少第一方向和第二方向上延伸。头部电路位于第一器件组之上。头部电路的至少部分位于第一金属层和第二金属层之间。头部电路配置为向第一器件组提供第一电源电压,并且配置为耦合到具有不同于第一电源电压的第二电源电压的第二电压电源。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。

    半导体装置制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110875248A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910818282.9

    申请日:2019-08-30

    Abstract: 一种半导体装置制造方法包括:产生储存在非暂态计算机可读取媒体上的一布局图,该布局图的产生方式包括:将多个单元所形成的一组单元填充在第一方向上延伸的行;每个单元表示一个电路;以及,每个单元的第一及第二侧边界是实质上平行的且在第二方向上延伸,此第二方向实质上垂直于第一方向。将多个单元相对于第一方向设置,使得此等单元中的相邻单元实质上邻接的;以及通过执行下列其中一种方式来减少该组单元的累积泄漏趋势:改变至少一个单元的定向,或对应地改变至少两个单元的位置。

    容器运送方法及仓储
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109755165A

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201810596818.2

    申请日:2018-06-11

    Abstract: 本申请提供一种半导体制造中运送用于夹持至少一物品的一容器的方法。上述方法包括通过一运送机构运送容器至一相邻于一终点空间的位置。上述方法也包括在容器放置于终点空间之前,记录终点空间的一第一影像。上述方法还包括对第一影像实施一影像分析。并且,上述方法包括根据第一影像的影像分析的结果判断是否将容器放置至终点空间。

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