缺陷检查方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109946320A

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201811440935.6

    申请日:2018-11-29

    Abstract: 一种缺陷检查方法包括:从缺陷扫描器接收缺陷图,其中所述缺陷图包括半导体工件的至少一个缺陷位置;以所述半导体工件的参考基准位置对所述缺陷图进行注释;确定所述半导体工件的图像数据内的探测基准位置;基于所述探测基准位置与所述参考基准位置的比较来确定偏移修正量;通过将所述偏移修正量应用于所述缺陷图来生成经修正的缺陷图,其中所述应用所述偏移修正量会改变所述至少一个缺陷位置的位置;以及将所述经修正的缺陷图传输到缺陷检查器,所述缺陷检查器被配置成基于所述经修正的缺陷图来执行根本原因分析。

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