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公开(公告)号：CN108731728A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710271062.X
申请日：2017-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01D21/02
Abstract: 本公开提供一种喷嘴孔检查系统及方法。上述系统包括多个支撑座，配置用于在一第一方向上支撑一喷嘴管。上述系统还包括一背光源，配置用于投射光束至喷嘴管上的多个喷嘴孔。上述系统还包括一影像获取装置，配置用于获取各喷嘴孔的影像。另外，上述系统包括一处理装置，配置用于依据影像获取装置所获取到的影像而得到各喷嘴孔的至少一孔洞参数。
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公开(公告)号：CN109326536B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810797093.3
申请日：2018-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林佳汉 , 李建法 , 刘旭水 , 白峻荣 , 庄胜翔 , 苏伦德拉·库马尔·索尼 , 郭守文 , 翁武安 , 蔡元诚 , 廖建科 , 薛雅熏 , 廖姣柔 , 余承霏 , 蔡明吉 , 刘国义
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种处理工具。该工具包括围绕工艺处理室的外壳、以及配置为通过外壳将晶圆传送进入工艺处理室和传送出工艺处理室之外的输入/输出端口。后侧宏观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为使晶圆的后侧成像。前侧宏观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为根据第一图像分辨率使晶圆的前侧成像。前侧微观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为根据高于第一图像分辨率的第二图像分辨率使晶圆的前侧成像。本发明还提供了自动检测工具及其使用方法。
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公开(公告)号：CN109946320A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811440935.6
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N21/956 , G06T7/00 , G06T7/13 , G06T7/136
Abstract: 一种缺陷检查方法包括：从缺陷扫描器接收缺陷图，其中所述缺陷图包括半导体工件的至少一个缺陷位置；以所述半导体工件的参考基准位置对所述缺陷图进行注释；确定所述半导体工件的图像数据内的探测基准位置；基于所述探测基准位置与所述参考基准位置的比较来确定偏移修正量；通过将所述偏移修正量应用于所述缺陷图来生成经修正的缺陷图，其中所述应用所述偏移修正量会改变所述至少一个缺陷位置的位置；以及将所述经修正的缺陷图传输到缺陷检查器，所述缺陷检查器被配置成基于所述经修正的缺陷图来执行根本原因分析。
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公开(公告)号：CN110044295B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201811462210.7
申请日：2018-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于扫描以及分析表面的方法，所述方法包括以下步骤。接收具有用于检查的目标表面的一件设备。接收来自用户的输入。基于用户输入确定至少一个扫描参数。根据至少一个扫描参数使用光侦测器扫描目标表面。产生目标表面的图像。基于至少一个扫描参数校正目标表面的图像以移除至少一个不合需要的特征，从而产生校正图像。分析校正图像以确定目标表面的至少一个几何参数。
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公开(公告)号：CN110007649A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811461914.2
申请日：2018-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/418
Abstract: 本揭露实施例提供一种半导体机台管理方法，用于透过电子装置管理多台半导体机台。在此方法中，多台半导体机台分别透过多个控制主机控制，且多个控制主机与电子装置是连接于多电脑切换器。此方法包括：透过切换器装置接收控制多台半导体机台的各控制主机的实时画面信息，其中多个控制主机与电子装置连接于切换器装置；对实时画面信息进行画面辨识，以判断各控制主机的实时画面信息是否包括多个触发事件的其中之一；若实时画面信息包括触发事件时，执行触发事件所对应的宏，其中宏包括至少一自定义操作；依据至少一自定义操作产生至少一输入命令；以及通过切换器装置传输输入命令至多个控制主机，以控制多个控制主机执行宏的所述至少一自定义操作。
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公开(公告)号：CN109326536A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810797093.3
申请日：2018-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林佳汉 , 李建法 , 刘旭水 , 白峻荣 , 庄胜翔 , 苏伦德拉·库马尔·索尼 , 郭守文 , 翁武安 , 蔡元诚 , 廖建科 , 薛雅熏 , 廖姣柔 , 余承霏 , 蔡明吉 , 刘国义
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种处理工具。该工具包括围绕工艺处理室的外壳、以及配置为通过外壳将晶圆传送进入工艺处理室和传送出工艺处理室之外的输入/输出端口。后侧宏观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为使晶圆的后侧成像。前侧宏观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为根据第一图像分辨率使晶圆的前侧成像。前侧微观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为根据高于第一图像分辨率的第二图像分辨率使晶圆的前侧成像。本发明还提供了自动检测工具及其使用方法。
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公开(公告)号：CN109427609B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811000393.0
申请日：2018-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种半导体装置在线检验的系统及方法。在一个实施例中，一种方法包括：将晶片自动地从第一处理站运送到检验站；在检验站中使用相机扫描晶片表面；产生晶片表面的至少一个图像；分析所述至少一个图像，以基于一组预定准则来检测晶片表面上的缺陷；如果确定晶片有缺陷，则将所述晶片自动地从检验站运送到储料器；且如果确定晶片无缺陷，则将所述晶片自动地运送到第二处理站以根据半导体装置制造工艺进行进一步处理。
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公开(公告)号：CN110875215A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910554523.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种用于衬底监测的设备及方法。本揭露提供一种用于衬底监测的设备，其包含：腔室；可移动固持器，其位于所述腔室中，且经配置以固持衬底并在第一位置与第二位置之间传送所述衬底；第一监测器，其位于所述腔室中的所述第一位置与所述第二位置下方，且经配置以监测所述衬底的背侧；提升器，其位于所述腔室中的所述第二位置下方，且经配置以支撑所述衬底并将所述衬底从所述第二位置移动到第三位置；以及第二监测器，其位于所述腔室中的所述第三位置附近，且经配置以监测所述第三位置处的所述衬底的边缘。
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公开(公告)号：CN110044295A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201811462210.7
申请日：2018-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于扫描以及分析表面的方法，所述方法包括以下步骤。接收具有用于检查的目标表面的一件设备。接收来自用户的输入。基于用户输入确定至少一个扫描参数。根据至少一个扫描参数使用光侦测器扫描目标表面。产生目标表面的图像。基于至少一个扫描参数校正目标表面的图像以移除至少一个不合需要的特征，从而产生校正图像。分析校正图像以确定目标表面的至少一个几何参数。
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