公开(公告)号：CN113764297B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202110275812.7

申请日：2021-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱安 ,  陈建宏 ,  黄若榕 ,  杨钧沂 ,  陈昆龙

IPC: H01L21/66 ,  H10D62/85 ,  H10D30/60

Abstract: 本发明为一种氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法。所述装置包括：高端氮化镓场效应晶体管；低端氮化镓场效应晶体管；高端驱动器，耦合到所述高端氮化镓场效应晶体管的栅极；低端驱动器，耦合到所述低端氮化镓场效应晶体管的栅极；以及驱动器电路，耦合到所述高端驱动器和所述低端驱动器并被配置成产生能够驱动所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管的驱动信号，其中在所述高端驱动器和所述低端驱动器及所述驱动器电路内，所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管及所述晶体管在前道(FEOL)工艺期间在同一半导体器件层上被图案化。

公开(公告)号：CN113764297A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110275812.7

申请日：2021-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱安 ,  陈建宏 ,  黄若榕 ,  杨钧沂 ,  陈昆龙

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明为一种氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法。所述装置包括：高端氮化镓场效应晶体管；低端氮化镓场效应晶体管；高端驱动器，耦合到所述高端氮化镓场效应晶体管的栅极；低端驱动器，耦合到所述低端氮化镓场效应晶体管的栅极；以及驱动器电路，耦合到所述高端驱动器和所述低端驱动器并被配置成产生能够驱动所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管的驱动信号，其中在所述高端驱动器和所述低端驱动器及所述驱动器电路内，所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管及所述晶体管在前道(FEOL)工艺期间在同一半导体器件层上被图案化。