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公开(公告)号：CN101207380A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710181912.3
申请日：2007-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/35613
Abstract: 本发明涉及一种电压电平转换器，该电压电平转换器包括：一第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，该第一PMOS晶体管具有分别与一输入端、一第一正电压电源和一第二正电压电源连接的一栅极、一源极和一基质；以及一第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管具有分别与一第三正电压电源、一输出节点和该第二正电压电源连接的一源极、一漏极和一基质；其中，该第一和第二PMOS晶体管形成在一单N井中。
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公开(公告)号：CN101694996B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910206007.8
申请日：2007-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/35613
Abstract: 本发明涉及一种电压电平转换器，该电压电平转换器包括：一第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，该第一PMOS晶体管具有分别与一输入端、一第一正电压电源和一第二正电压电源连接的一栅极、一源极和一衬底；以及一第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管具有分别与一第三正电压电源、一输出节点和该第二正电压电源连接的一源极、一漏极和一衬底；其中，该第一和第二PMOS晶体管形成在一单N井中。
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公开(公告)号：CN101714557B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910178122.9
申请日：2009-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/11807
Abstract: 一种集成电路结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的第一有源区；位于半导体衬底中并具有和所述第一有源区相反导电类型的第二有源区。栅极带位于第一有源区和第二有源区上方，并与所述第一有源区和所述第二有源区分别形成第一金属氧化物半导体器件和第二金属氧化物半导体器件。第一间隔条位于所述半导体衬底中并连接到所述第一有源区上。至少部分的所述第一间隔条与部分的所述第一有源区相邻并分离开。第二间隔条位于所述半导体衬底中并连接到所述第二有源区上。至少部分的所述第二间隔条与部分的所述第二有源区相邻并分离开。
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公开(公告)号：CN101615614B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910136805.8
申请日：2009-04-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L23/528 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/092 , H01L27/0207
Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，包括具有第一栅电极、第一源极与第一漏极的p型金属氧化物半导体晶体管以及具有第二源极、第二漏极与第二栅电极的n型金属氧化物半导体晶体管，其中第二栅电极与第一栅电极为栅电极导线的一部分。于p型金属氧化物半导体晶体管与n型金属氧化物半导体晶体管之间未设置有其他晶体管。上述集成电路结构还包括电源导线，连接第一源极；接地导线，连接第二源极；以及内连接点，电性连接于栅电极导线，其中内连接点位于包括PMOS晶体管、NMOS晶体管与介于PMOS晶体管以及NMOS晶体管间区域的金属氧化物半导体对区域的外侧部，且其中栅电极导线位于区域上的该部为大体笔直。本发明可改善栅电极导线的线宽均匀度等。
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公开(公告)号：CN101615614A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910136805.8
申请日：2009-04-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L23/528 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/092 , H01L27/0207
Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，包括具有第一栅电极、第一源极与第一漏极的p型金属氧化物半导体晶体管以及具有第二源极、第二漏极与第二栅电极的n型金属氧化物半导体晶体管，其中第二栅电极与第一栅电极为栅电极导线的一部分。于p型金属氧化物半导体晶体管与n型金属氧化物半导体晶体管之间未设置有其他晶体管。上述集成电路结构还包括电源导线，连接第一源极；接地导线，连接第二源极；以及内连接点，电性连接于栅电极导线，其中内连接点位于包括PMOS晶体管、NMOS晶体管与介于PMOS晶体管以及NMOS晶体管间区域的金属氧化物半导体对区域的外侧部，且其中栅电极导线位于区域上的该部为大体笔直。本发明可改善栅电极导线的线宽均匀度等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101207380B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200710181912.3
申请日：2007-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/35613
Abstract: 本发明涉及一种电压电平转换器，该电压电平转换器包括：一第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，该第一PMOS晶体管具有分别与一输入端、一第一正电压电源和一第二正电压电源连接的一栅极、一源极和一基质；以及一第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管具有分别与一第三正电压电源、一输出节点和该第二正电压电源连接的一源极、一漏极和一基质；其中，该第一和第二PMOS晶体管形成在一单N井中。
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公开(公告)号：CN101661524B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910126096.5
申请日：2009-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5077
Abstract: 本发明是有关于自动产生集成电路布局的方法。该方法包括决定第一元件高度；制作具有第一元件高度的多个标准元件；以及藉由置放与绕线标准元件以从标准元件中产生集成电路布局，其中产生集成电路布局的步骤包括：应用标记层来标示出特定元件，以制作一过渡布局；以及使用至少一逻辑操作于由过渡布局撷取出的一资料库中，借此制造所需的多个布局变化，进而产生一最终集成电路布局，其中该些布局变化包含加宽一特定元件的晶体管通道长度，及在最终集成电路布局中设置虚拟结构。藉由本发明，可改善集成电路布局面积的利用，同时由于元件的设置可被网格化，所以元件能够轻易地替换，且由于元件间的接点对齐，使得元件间的线路内连结更容易。
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公开(公告)号：CN101740568B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910134052.7
申请日：2009-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/823418 , H01L21/823481
Abstract: 本发明提供一种集成电路。上述集成电路包括一有源区域于一半导体基板中；一第一场效应晶体管(FET)设置于该有源区域中；以及一隔离结构设置于该有源区域中。上述场效应晶体管(FET)包括一第一栅极；一第一源极形成于该有源区域中，且设置于一第一区域上，邻接该第一栅极；以及一第一漏极形成于该有源区域中，且设置于一第二区域上，邻接该栅极。上述隔离结构包括一隔离栅极设置于邻接该第一漏极；以及一隔离源极形成于该有源区域中，且设置于邻接该隔离栅极使得该隔离源极和该第一漏极位于该隔离栅极的不同边处。本发明可以很好地保证元件的有源区域的连续性。
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公开(公告)号：CN101740568A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910134052.7
申请日：2009-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/823418 , H01L21/823481
Abstract: 本发明提供一种集成电路。上述集成电路包括一有源区域于一半导体基板中；一第一场效应晶体管(FET)设置于该有源区域中；以及一隔离结构设置于该有源区域中。上述场效应晶体管(FET)包括一第一栅极；一第一源极形成于该有源区域中，且设置于一第一区域上，邻接该第一栅极；以及一第一漏极形成于该有源区域中，且设置于一第二区域上，邻接该栅极。上述隔离结构包括一隔离栅极设置于邻接该第一漏极；以及一隔离源极形成于该有源区域中，且设置于邻接该隔离栅极使得该隔离源极和该第一漏极位于该隔离栅极的不同边处。本发明可以很好地保证元件的有源区域的连续性。
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公开(公告)号：CN101714557A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910178122.9
申请日：2009-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/11807
Abstract: 一种集成电路结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的第一有源区；位于半导体衬底中并具有和所述第一有源区相反导电类型的第二有源区。栅极带位于第一有源区和第二有源区上方，并与所述第一有源区和所述第二有源区分别形成第一金属氧化物半导体器件和第二金属氧化物半导体器件。第一间隔条位于所述半导体衬底中并连接到所述第一有源区上。至少部分的所述第一间隔条与部分的所述第一有源区相邻并分离开。第二间隔条位于所述半导体衬底中并连接到所述第二有源区上。至少部分的所述第二间隔条与部分的所述第二有源区相邻并分离开。
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