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公开(公告)号：CN115440660A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210253997.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 一种集成电路及其制造方法，集成电路包含在第一连接层中的第一电压电力轨及第二电压电力轨，且包含在第一连接层下方的第一电压下层电力轨及第二电压下层电力轨。第一电压电力轨及第二电压电力轨中的每一者在垂直于第一方向的第二方向上延伸。第一电压下层电力轨及第二电压下层电力轨中的每一者在第一方向上延伸。集成电路包含第一通孔连接件及第二通孔连接件，第一通孔连接件将第一电压电力轨与第一电压下层电力轨连接起来，第二通孔连接件将第二电压电力轨与第二电压下层电力轨连接起来。
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公开(公告)号：CN109817614B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201810818852.X
申请日：2018-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本公开所描述的放置方法提供放置和布线规则，其中实施自动放置和布线(APR)方法的系统在垂直于鳍但平行于单元高度的竖直方向上布置标准单元结构。本公开所描述的布局方法还通过将竖直电力供应线结合到标准单元结构中来改进器件密度且进一步减小单元高度。引脚连接件可用于将电力供应线电连接到标准单元结构，由此改进器件密度和性能。APR工艺还配置成使标准单元旋转以优化器件布局。
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公开(公告)号：CN113889471A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110185497.9
申请日：2021-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种集成电路上的单元。该单元包括：鳍结构；中间鳍结构连接金属轨道，布置在鳍结构上面的中间鳍结构连接金属层中，中间鳍结构连接金属轨道连接至鳍结构；以及第一中间栅极连接金属轨道，布置在中间鳍结构连接金属层上面的中间栅极连接金属层中，第一中间栅极连接金属轨道连接至中间鳍结构连接金属轨道。第一电源端子施加到中间栅极连接金属轨道。本申请的实施例还涉及集成电路上的单元组件和制造集成电路上的半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN113540079A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202011309834.2
申请日：2020-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088
Abstract: 半导体元件包括以第一鳍片至鳍片间距配置的第一组半导体鳍片和以第二鳍片至鳍片间距配置的第二组半导体鳍片。第一组半导体鳍片和第二组半导体鳍片被无鳍片区域分开，此无鳍片区域大于第一鳍片至鳍片间距和第二鳍片至鳍片间距。半导体元件还包括在第一组半导体鳍片和第二组半导体鳍片上延伸的栅极结构、在栅极结构上延伸的Vdd线和Vss线。从上视图来看，第一组半导体鳍片和第二组半导体鳍片在Vdd线和Vss线之间，并且从上视图看，Vdd线和第一组半导体鳍片之间的重叠面积不同于Vss线和第二组半导体鳍片之间的重叠面积。
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公开(公告)号：CN113363258A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110530280.7
申请日：2021-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例公开了集成电路及其形成方法。集成电路包括第一电源轨、第二电源轨、信号线和第一组晶体管的第一有源区。第一电源轨在衬底的背侧上，并且在第一方向上延伸。第二电源轨在衬底的背侧上，在第一方向上延伸，并且在不同于第一方向的第二方向上与第一电源轨分离。信号线在衬底的背侧上，并且在第一方向上延伸，并且在第一电源轨和第二电源轨之间。第一组晶体管的第一有源区在第一方向上延伸，并且在衬底的与背侧相对的前侧的第一层级上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113327922A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110126664.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 在此揭示的一集成电路包括：若干单元行，这些单元行在一第一方向上延伸；及一多位元单元，该多位元单元具有包括于这些单元行中的若干位元单元。这些位元单元包括M个位元单元，且该M个位元单元的一第N个位元单元的一输出信号是该M个位元单元的一第(N+1)个位元单元的一输入信号，N及M为正整数。这些位元单元的一第一位元单元及这些位元单元的一第M个位元单元是对角地配置于该多位元单元中的不同单元行中，且该第N个位元单元及该第(N+1)个位元单元是对角地配置于该多位元单元中的不同单元行中。
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公开(公告)号：CN112736027A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910974639.2
申请日：2019-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/02 , H01L23/528 , G06F30/392
Abstract: 本公开涉及具有约束金属线布置的集成电路。一种方法包括如下步骤：将电路布局中的第一布置的金属线划分为两组金属线，第一组金属线位于外围区域中，并且第二组金属线位于中心区域中。金属线的布置被配置为电连接到电路布局的第二层的接触件。该方法包括调整中心区域中的至少一条金属线的金属线周边以形成第二布置的金属线，其中，每个经调整的金属线周边与集成电路布局的第二层中的接触件分开至少检查距离。将金属线材料沉积在集成电路的电介质层中的一组开口中，该组开口对应于第二布置的金属线。
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公开(公告)号：CN110968981A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910931740.X
申请日：2019-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392
Abstract: 一种生成IC布局图的方法包括：在IC布局图中定位一个或多个单元，以及基于第一金属层切割区域对准图案使一个或多个单元与第一金属层切割区域重叠。第一金属层切割区域对准图案包括等于一个或多个单元的高度的图案间距。本发明的实施例还涉及集成电路布局图生成方法和系统。
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公开(公告)号：CN105845676B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201510437337.3
申请日：2015-07-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L27/092 , H01L21/77 , H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 在一些实施例中，半导体器件包括第一有源区、第二有源区和导电金属结构。第二有源区与第一有源区分隔开。导电金属结构布置为连接第一有源区与第二有源区。导电金属结构包括第一支柱、第二支柱和主体。第二支柱与第一支柱分隔开且主体在第一支柱和第二支柱之间延伸并连接第一支柱和第二支柱。本发明涉及半导体器件及其布局方法。
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公开(公告)号：CN107833881A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710835486.4
申请日：2017-09-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: IC结构包括单元、第一导轨和第二导轨。单元包括第一有源区、第二有源区和第一栅极结构。第一有源区和第二有源区在第一方向上延伸并且位于第一层级处。第二有源区在第二方向上与第一有源区分离。第一栅极结构在第二方向上延伸，与第一有源区和第二有源区重叠，并且位于第二层级处。第一导轨在第一方向上延伸，与第一有源区重叠，配置为提供第一电源电压，并且位于第三层级处。第二导轨在第一方向上延伸，与第二有源区重叠，位于第三层级处，在第二方向上与第一导轨分离，并且配置为提供第二电源电压。本发明还提供了形成集成电路的方法。
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