公开(公告)号：CN106206690B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201510262888.0

申请日：2015-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戚国强 ,  张嘉德 ,  吕志弘 ,  陈维青

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构和形成该半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅电极。半导体器件结构也包括第一接触结构，第一接触结构包括第一部分和第二部分。第一接触结构的第一部分形成在栅电极中，并且第二部分形成在第一部分上。本发明还涉及具有互连结构的半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN109273531A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201711129871.3

申请日：2017-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈冠杰 ,  林志雄 ,  张嘉德

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 半导体装置包含鳍结构，其设置于基底上且沿着一方向水平延伸，以及栅极部件，其包含栅极介电层和至少一第一金属栅极层覆盖栅极介电层，其中栅极介电层和第一金属栅极层跨过鳍结构，以覆盖鳍结构的中央部分，且更沿着前述方向延伸，以覆盖鳍结构的至少一侧边部分，侧边部分位于栅极部件的侧壁的垂直投影之外。

公开(公告)号：CN106206578A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510229008.X

申请日：2015-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志雄 ,  张嘉德 ,  许秉诚 ,  蔣敏雄 ,  钟淑维 ,  徐豪汶

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。本发明的一些实施例提供了一种半导体器件，其包括衬底和衬底上的栅极结构。第一导电类型的第一阱区域位于衬底中，接近栅极结构的第一侧壁。第二导电类型的第二阱区域也位于衬底中，接近栅极结构的第二侧壁。导电区域设置在第二阱区域中。导电区域可以为外延区域。导电区域和栅极结构之间的第二阱区域内的化学组成与第二阱区域中的化学组成基本同质。

公开(公告)号：CN113707607A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110901712.0

申请日：2021-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李政衡 ,  李宜静 ,  张嘉德

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明描述了一种半导体结构及其形成方法。该方法可包括在衬底上方形成鳍结构。该鳍结构可包括沟道层和所述沟道层与所述衬底之间的缓冲层。该方法可还包括在沟道层中形成凹槽结构。该凹槽结构可包括在缓冲层上方的底面。该方法可还包括在凹槽结构的底面上方形成第一外延层。该第一外延层可包括第一锗原子浓度。该方法可还包括在第一外延层上方形成第二外延层。该第二外延层可包括大于第一锗原子浓度的第二锗原子浓度。

公开(公告)号：CN110911275A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911241779.5

申请日：2015-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林健智 ,  叶建宏 ,  沈冠杰 ,  张嘉德

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了在半导体器件中制造金属栅极结构的方法。该方法包括：去除伪多晶硅栅极，使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以在半导体器件中形成T形空隙，以及在T形空隙中沉积金属栅极材料以在金属栅极线端中形成T形结构。本发明公开了由包括伪多晶硅栅极的去除的工艺制造的半导体器件。该半导体器件包括OD鳍以及在OD鳍的部分之上制造并且邻近OD鳍的侧部的金属栅极。金属栅极在金属栅极线端中具有T形结构。通过使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以形成T形空隙来形成T形结构。本发明还涉及在金属栅极线端中具有T形的器件和制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104835743B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410332368.8

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林健智 ,  洪隆杰 ,  王智麟 ,  张嘉德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成两个隔离结构以在衬底中限定位于两个隔离结构之间的鳍结构。形成桥接上述两个隔离结构并位于鳍结构上方的伪栅极和间隔件。利用伪栅极和间隔件作为掩膜来蚀刻上述两个隔离结构，以在上述两个隔离结构中形成在间隔件下面的多个斜坡。形成覆在上述多个斜坡上的栅极蚀刻停止层。去除伪栅极和伪栅极下面的两个隔离结构以产生由间隔件和栅极蚀刻停止层所界定的空腔。然后在空腔中形成栅极。本发明还公开一种半导体器件。

公开(公告)号：CN110911275B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN201911241779.5

申请日：2015-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林健智 ,  叶建宏 ,  沈冠杰 ,  张嘉德

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了在半导体器件中制造金属栅极结构的方法。该方法包括：去除伪多晶硅栅极，使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以在半导体器件中形成T形空隙，以及在T形空隙中沉积金属栅极材料以在金属栅极线端中形成T形结构。本发明公开了由包括伪多晶硅栅极的去除的工艺制造的半导体器件。该半导体器件包括OD鳍以及在OD鳍的部分之上制造并且邻近OD鳍的侧部的金属栅极。金属栅极在金属栅极线端中具有T形结构。通过使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以形成T形空隙来形成T形结构。本发明还涉及在金属栅极线端中具有T形的器件和制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN108987395A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810552747.6

申请日：2018-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘谦成 ,  张嘉德 ,  沈冠杰

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体装置，包括一第一鳍式场效晶体管(FinFET)装置，第一鳍式场效晶体管装置包括形成在一基板的多个鳍片、以及形成在鳍片上的一半导体材料的一外延层、以及横跨鳍片的一第一栅极结构，其中，外延层形成非平面的源极/漏极区域。半导体装置包括一第二鳍式场效晶体管装置，第二鳍式场效晶体管装置包括从形成在基板的一大抵平面(substantially planar)的鳍片、形成在大抵平面的鳍片上并且形成大抵平面的源极/漏极区域的半导体材料的一外延层、以及横跨大抵平面的鳍片的一第二栅极结构。

公开(公告)号：CN105789274A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201410803489.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志雄 ,  张嘉德 ,  徐帆毅 ,  许秉诚

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明提供了半导体结构，该半导体结构包括具有表面的半导体层和位于半导体层的表面上方的限定金属栅极的层间电介质(ILD)。该金属栅极包括高k介电层、覆盖层和功函金属层。远离覆盖层的拐角的覆盖层侧壁的厚度基本上薄于覆盖层底部的中心周围的厚度。本发明提供了制造半导体结构的方法。该方法包括：形成金属栅极凹槽，形成高k介电层，形成第一覆盖层，在第一覆盖层上形成第二覆盖层，去除或减薄第一覆盖层侧壁，以及去除第二覆盖层。

公开(公告)号：CN105742357A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510666496.0

申请日：2015-10-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李明昌 ,  张嘉德 ,  孙仲村

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L23/48 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体器件结构。半导体器件结构包括：衬底，具有第一源极区和第一漏极区。半导体器件结构包括：位于衬底上方的第一栅极，并且第一栅极介于第一源极区与第一漏极区之间。半导体器件结构包括：第一接触结构，位于第一源极区上方。第一接触结构电连接至第一源极区。半导体器件结构包括：位于第一漏极区上方的第二接触结构。第二接触结构电连接至第一漏极区。半导体器件结构包括将第一栅极电连接至第一接触结构和第二接触结构的导电层。本发明还提供了一种半导体器件结构的形成方法。