公开(公告)号：CN110911275A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911241779.5

申请日：2015-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林健智 ,  叶建宏 ,  沈冠杰 ,  张嘉德

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了在半导体器件中制造金属栅极结构的方法。该方法包括：去除伪多晶硅栅极，使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以在半导体器件中形成T形空隙，以及在T形空隙中沉积金属栅极材料以在金属栅极线端中形成T形结构。本发明公开了由包括伪多晶硅栅极的去除的工艺制造的半导体器件。该半导体器件包括OD鳍以及在OD鳍的部分之上制造并且邻近OD鳍的侧部的金属栅极。金属栅极在金属栅极线端中具有T形结构。通过使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以形成T形空隙来形成T形结构。本发明还涉及在金属栅极线端中具有T形的器件和制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104835743B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410332368.8

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林健智 ,  洪隆杰 ,  王智麟 ,  张嘉德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成两个隔离结构以在衬底中限定位于两个隔离结构之间的鳍结构。形成桥接上述两个隔离结构并位于鳍结构上方的伪栅极和间隔件。利用伪栅极和间隔件作为掩膜来蚀刻上述两个隔离结构，以在上述两个隔离结构中形成在间隔件下面的多个斜坡。形成覆在上述多个斜坡上的栅极蚀刻停止层。去除伪栅极和伪栅极下面的两个隔离结构以产生由间隔件和栅极蚀刻停止层所界定的空腔。然后在空腔中形成栅极。本发明还公开一种半导体器件。

公开(公告)号：CN105023846A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510175441.X

申请日：2015-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林健智 ,  叶建宏 ,  沈冠杰 ,  张嘉德

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了在半导体器件中制造金属栅极结构的方法。该方法包括：去除伪多晶硅栅极，使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以在半导体器件中形成T形空隙，以及在T形空隙中沉积金属栅极材料以在金属栅极线端中形成T形结构。本发明公开了由包括伪多晶硅栅极的去除的工艺制造的半导体器件。该半导体器件包括OD鳍以及在OD鳍的部分之上制造并且邻近OD鳍的侧部的金属栅极。金属栅极在金属栅极线端中具有T形结构。通过使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以形成T形空隙来形成T形结构。本发明还涉及在金属栅极线端中具有T形的器件和制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104835743A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201410332368.8

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林健智 ,  洪隆杰 ,  王智麟 ,  张嘉德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成两个隔离结构以在衬底中限定位于两个隔离结构之间的鳍结构。形成桥接上述两个隔离结构并位于鳍结构上方的伪栅极和间隔件。利用伪栅极和间隔件作为掩膜来蚀刻上述两个隔离结构，以在上述两个隔离结构中形成在间隔件下面的多个斜坡。形成覆在上述多个斜坡上的栅极蚀刻停止层。去除伪栅极和伪栅极下面的两个隔离结构以产生由间隔件和栅极蚀刻停止层所界定的空腔。然后在空腔中形成栅极。本发明还公开一种半导体器件。

公开(公告)号：CN110911275B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN201911241779.5

申请日：2015-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林健智 ,  叶建宏 ,  沈冠杰 ,  张嘉德

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了在半导体器件中制造金属栅极结构的方法。该方法包括：去除伪多晶硅栅极，使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以在半导体器件中形成T形空隙，以及在T形空隙中沉积金属栅极材料以在金属栅极线端中形成T形结构。本发明公开了由包括伪多晶硅栅极的去除的工艺制造的半导体器件。该半导体器件包括OD鳍以及在OD鳍的部分之上制造并且邻近OD鳍的侧部的金属栅极。金属栅极在金属栅极线端中具有T形结构。通过使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以形成T形空隙来形成T形结构。本发明还涉及在金属栅极线端中具有T形的器件和制造半导体器件的方法。