公开(公告)号：CN104835743B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410332368.8

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林健智 ,  洪隆杰 ,  王智麟 ,  张嘉德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成两个隔离结构以在衬底中限定位于两个隔离结构之间的鳍结构。形成桥接上述两个隔离结构并位于鳍结构上方的伪栅极和间隔件。利用伪栅极和间隔件作为掩膜来蚀刻上述两个隔离结构，以在上述两个隔离结构中形成在间隔件下面的多个斜坡。形成覆在上述多个斜坡上的栅极蚀刻停止层。去除伪栅极和伪栅极下面的两个隔离结构以产生由间隔件和栅极蚀刻停止层所界定的空腔。然后在空腔中形成栅极。本发明还公开一种半导体器件。

公开(公告)号：CN105448863B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201510163148.1

申请日：2015-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢文佳 ,  洪隆杰 ,  王智麟 ,  郭康民

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，半导体器件包括衬底、外延层、第一蚀刻停止层、层间介电(ILD)层、第二蚀刻停止层、保护层、衬垫、硅化物帽和接触插塞。衬底具有第一部分和第二部分。外延层设置在第一部分中。第一蚀刻停止层设置在第二部分上。ILD层设置在第一蚀刻停止层上。第二蚀刻停止层设置在ILD层上，其中第一蚀刻停止层、ILD层和第二蚀刻停止层形成围绕第一部分的侧壁。保护层设置在侧壁上。衬垫设置在保护层上。硅化物帽设置在外延层上。接触插塞设置在硅化物帽上并且被衬垫围绕。本发明还涉及具有接触插塞的半导体结构。

公开(公告)号：CN105448863A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510163148.1

申请日：2015-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢文佳 ,  洪隆杰 ,  王智麟 ,  郭康民

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，半导体器件包括衬底、外延层、第一蚀刻停止层、层间介电(ILD)层、第二蚀刻停止层、保护层、衬垫、硅化物帽和接触插塞。衬底具有第一部分和第二部分。外延层设置在第一部分中。第一蚀刻停止层设置在第二部分上。ILD层设置在第一蚀刻停止层上。第二蚀刻停止层设置在ILD层上，其中第一蚀刻停止层、ILD层和第二蚀刻停止层形成围绕第一部分的侧壁。保护层设置在侧壁上。衬垫设置在保护层上。硅化物帽设置在外延层上。接触插塞设置在硅化物帽上并且被衬垫围绕。本发明还涉及具有接触插塞的半导体结构。

公开(公告)号：CN104835743A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201410332368.8

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林健智 ,  洪隆杰 ,  王智麟 ,  张嘉德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成两个隔离结构以在衬底中限定位于两个隔离结构之间的鳍结构。形成桥接上述两个隔离结构并位于鳍结构上方的伪栅极和间隔件。利用伪栅极和间隔件作为掩膜来蚀刻上述两个隔离结构，以在上述两个隔离结构中形成在间隔件下面的多个斜坡。形成覆在上述多个斜坡上的栅极蚀刻停止层。去除伪栅极和伪栅极下面的两个隔离结构以产生由间隔件和栅极蚀刻停止层所界定的空腔。然后在空腔中形成栅极。本发明还公开一种半导体器件。