公开(公告)号：CN113707607A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110901712.0

申请日：2021-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李政衡 ,  李宜静 ,  张嘉德

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明描述了一种半导体结构及其形成方法。该方法可包括在衬底上方形成鳍结构。该鳍结构可包括沟道层和所述沟道层与所述衬底之间的缓冲层。该方法可还包括在沟道层中形成凹槽结构。该凹槽结构可包括在缓冲层上方的底面。该方法可还包括在凹槽结构的底面上方形成第一外延层。该第一外延层可包括第一锗原子浓度。该方法可还包括在第一外延层上方形成第二外延层。该第二外延层可包括大于第一锗原子浓度的第二锗原子浓度。

公开(公告)号：CN119486255A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411352843.8

申请日：2021-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕升 ,  李宜静 ,  李政衡

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03 ,  H10D62/10 ,  H10D62/17

Abstract: 本申请的实施例描述了方法，该方法包括形成从衬底突出的鳍，该鳍包括第一侧壁和与第一侧壁相对形成的第二侧壁。该方法还包括在衬底上沉积浅槽隔离(STI)材料。沉积STI材料包括沉积与第一侧壁接触的STI材料的第一部分和沉积与第二侧壁接触的STI材料的第二部分。该方法还包括对STI材料执行第一蚀刻工艺，以第一蚀刻速率蚀刻STI材料的第一部分，并且以大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率蚀刻STI材料的第二部分。该方法还包括对STI材料执行第二蚀刻工艺，以第三蚀刻速率蚀刻STI材料的第一部分，并且以小于第三蚀刻速率的第四蚀刻速率蚀刻STI材料的第二部分。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN113380709B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202110592473.5

申请日：2021-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕升 ,  李宜静 ,  李政衡

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明描述了方法，该方法包括形成从衬底突出的鳍，该鳍包括第一侧壁和与第一侧壁相对形成的第二侧壁。该方法还包括在衬底上沉积浅槽隔离(STI)材料。沉积STI材料包括沉积与第一侧壁接触的STI材料的第一部分和沉积与第二侧壁接触的STI材料的第二部分。该方法还包括对STI材料执行第一蚀刻工艺，以第一蚀刻速率蚀刻STI材料的第一部分，并且以大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率蚀刻STI材料的第二部分。该方法还包括对STI材料执行第二蚀刻工艺，以第三蚀刻速率蚀刻STI材料的第一部分，并且以小于第三蚀刻速率的第四蚀刻速率蚀刻STI材料的第二部分。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN113380709A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110592473.5

申请日：2021-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕升 ,  李宜静 ,  李政衡

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明描述了方法，该方法包括形成从衬底突出的鳍，该鳍包括第一侧壁和与第一侧壁相对形成的第二侧壁。该方法还包括在衬底上沉积浅槽隔离(STI)材料。沉积STI材料包括沉积与第一侧壁接触的STI材料的第一部分和沉积与第二侧壁接触的STI材料的第二部分。该方法还包括对STI材料执行第一蚀刻工艺，以第一蚀刻速率蚀刻STI材料的第一部分，并且以大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率蚀刻STI材料的第二部分。该方法还包括对STI材料执行第二蚀刻工艺，以第三蚀刻速率蚀刻STI材料的第一部分，并且以小于第三蚀刻速率的第四蚀刻速率蚀刻STI材料的第二部分。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。