公开(公告)号：CN106206578B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201510229008.X

申请日：2015-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志雄 ,  张嘉德 ,  许秉诚 ,  蔣敏雄 ,  钟淑维 ,  徐豪汶

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。本发明的一些实施例提供了一种半导体器件，其包括衬底和衬底上的栅极结构。第一导电类型的第一阱区域位于衬底中，接近栅极结构的第一侧壁。第二导电类型的第二阱区域也位于衬底中，接近栅极结构的第二侧壁。导电区域设置在第二阱区域中。导电区域可以为外延区域。导电区域和栅极结构之间的第二阱区域内的化学组成与第二阱区域中的化学组成基本同质。

公开(公告)号：CN106206578A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510229008.X

申请日：2015-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志雄 ,  张嘉德 ,  许秉诚 ,  蔣敏雄 ,  钟淑维 ,  徐豪汶

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。本发明的一些实施例提供了一种半导体器件，其包括衬底和衬底上的栅极结构。第一导电类型的第一阱区域位于衬底中，接近栅极结构的第一侧壁。第二导电类型的第二阱区域也位于衬底中，接近栅极结构的第二侧壁。导电区域设置在第二阱区域中。导电区域可以为外延区域。导电区域和栅极结构之间的第二阱区域内的化学组成与第二阱区域中的化学组成基本同质。