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公开(公告)号：CN118528175A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410248696.3
申请日：2024-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B49/16 , H01L21/67 , B24B41/00 , G06V10/764
Abstract: 本揭露的一些实施例提供一种化学机械平坦化工具、监控缺陷系统与其方法，是有关一个化学机械平坦化工具以及平坦化基板的方法。特别而言，本揭露的一些实施例是有关一个用于在化学机械平坦化工具里的研磨步骤与清洁步骤中辨认化学机械平坦化造成的缺陷的临场缺陷数据分析工具。在一些实施方式中，化学机械平坦化工具包括一个人工智能辅助的缺陷数据库。缺陷数据库可以被用来在研磨或清洁过程中辨认及分类化学机械平坦化相关的缺陷，例如刮痕、残留的研磨液。因此，化学机械平坦化工艺的缺陷警告周期被显著地改善。
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公开(公告)号：CN113444581A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110564251.2
申请日：2021-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C11D1/00 , C11D1/14 , C11D1/22 , C11D1/62 , C11D1/66 , C11D1/72 , C11D1/75 , C11D1/82 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/24 , C11D3/37 , C11D3/26 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/34 , C11D3/60 , H01L21/02 , H01L21/8238
Abstract: 一种清洗组成物，用于化学机械研磨制程后，清洗包含硅锗的基板表面。上述清洗组成物，包括：一寡聚型或高分子型聚胺；至少一润湿剂；一pH调节剂；以及一溶剂。
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公开(公告)号：CN107097157A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201611007890.4
申请日：2016-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24D11/00
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/26 , B24B49/12 , B24B53/017 , B24D11/001
Abstract: 一种研磨一研磨垫的方法，包括通过一第一感测器检测形成于一研磨垫的一凹槽上的一缺陷；通过一研磨盘由研磨垫的凹槽移除缺陷；于移除缺陷之后，通过一第二感测器测量凹槽的一剩余深度；以及基于测量凹槽的剩余深度，通过研磨盘实施一研磨处理至凹槽上。
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公开(公告)号：CN104733287A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410794995.3
申请日：2014-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28123 , B24B37/20 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/67051 , H01L29/66545
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包括溶解在去离子水(DIW)中的臭氧气体(O3)的O3/DIW溶液清洗平坦化的MG层。MG层形成在ILD区上。本发明涉及用于化学机械抛光和清洗的系统和方法。
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公开(公告)号：CN109599339B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201811132823.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种方法包括在衬底上形成第一栅极结构，其中第一栅极结构由第一介电层围绕；在第一栅极结构上和第一介电层上形成掩模结构，其中形成掩模结构包括在所述第一栅极结构的上表面上选择性地形成第一覆盖层；在第一覆盖层周围形成第二介电层。该方法还包括在掩模结构上形成图案化的介电层，图案化的介电层暴露掩模结构的一部分；去除掩模结构的暴露部分和掩模结构的暴露部分下面的第一介电层的一部分，从而形成凹槽，该凹槽暴露与第一栅极结构相邻的源极/漏极区；以及用导电材料填充凹槽。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109590895B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201811107936.9
申请日：2018-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/22 , B24B55/06 , H01L21/321 , H01L21/768
Abstract: 研磨装置的研磨平台包括：平板、研磨垫、及设置于平板与研磨垫之间的电场元件。研磨装置还包括控制器，用以施加电压至电场元件。对电场元件施加第一电压，以将研磨浆料的带电颗粒朝研磨垫吸引。被吸引的颗粒会减少显现于工件的研磨表面的整体形貌变异，以进行研磨。对电场元件施加第二电压，以将研磨浆料的额外的带电颗粒朝研磨垫吸引。额外被吸引的颗粒会更进一步减少显现于工件的研磨表面的整体形貌变异。对电场元件施加第三电压，以将研磨浆料的带电颗粒排斥远离研磨垫，改善研磨垫的清洁。
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公开(公告)号：CN109427545B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201711219755.0
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一实施例中，一方法包含在半导体鳍上形成栅极堆叠，栅极堆叠具有多个栅极间隙壁沿栅极堆叠的相对侧延伸；形成与栅极堆叠相邻的源极/漏极区；将栅极堆叠凹陷以在这些栅极间隙壁之间形成第一凹口；在第一凹口中的栅极堆叠上方沉积介电层；在第一凹口中的介电层和栅极堆叠上方形成第一金属掩模；回蚀刻介电层和栅极间隙壁以在第一金属掩模下方形成介电掩模；在第一金属掩模上方和相邻栅极堆叠沉积导电材料；以及平坦化导电材料以形成接点电性连接至源极/漏极区，接点的顶表面与介电掩模的顶表面齐平。
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公开(公告)号：CN109590895A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811107936.9
申请日：2018-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/22 , B24B55/06 , H01L21/321 , H01L21/768
Abstract: 研磨装置的研磨平台包括：平板、研磨垫、及设置于平板与研磨垫之间的电场元件。研磨装置还包括控制器，用以施加电压至电场元件。对电场元件施加第一电压，以将研磨浆料的带电颗粒朝研磨垫吸引。被吸引的颗粒会减少显现于工件的研磨表面的整体形貌变异，以进行研磨。对电场元件施加第二电压，以将研磨浆料的额外的带电颗粒朝研磨垫吸引。额外被吸引的颗粒会更进一步减少显现于工件的研磨表面的整体形貌变异。对电场元件施加第三电压，以将研磨浆料的带电颗粒排斥远离研磨垫，改善研磨垫的清洁。
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公开(公告)号：CN109427545A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711219755.0
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一实施例中，一方法包含在半导体鳍上形成栅极堆叠，栅极堆叠具有多个栅极间隙壁沿栅极堆叠的相对侧延伸；形成与栅极堆叠相邻的源极/漏极区；将栅极堆叠凹陷以在这些栅极间隙壁之间形成第一凹口；在第一凹口中的栅极堆叠上方沉积介电层；在第一凹口中的介电层和栅极堆叠上方形成第一金属掩模；回蚀刻介电层和栅极间隙壁以在第一金属掩模下方形成介电掩模；在第一金属掩模上方和相邻栅极堆叠沉积导电材料；以及平坦化导电材料以形成接点电性连接至源极/漏极区，接点的顶表面与介电掩模的顶表面齐平。
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公开(公告)号：CN116922262A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310655687.1
申请日：2023-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了用于化学机械抛光的抛光垫及其形成方法。在一个实施例中，一种抛光垫包括：抛光垫衬底；位于抛光垫衬底上的第一突起，第一突起包括中央区域和围绕中央区域的外周区域，并且中央区域的第一硬度大于外周区域的第二硬度；以及与第一突起的第一侧相邻的第一凹槽。
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