公开(公告)号：CN118528168A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410216063.4

申请日：2024-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯德谦 ,  陈志宏 ,  沈稘翔 ,  郑宇亨 ,  孙旭昌

IPC: B24B37/26 ,  B24B37/10

Abstract: 根据一些实施例提供一种半导体装置和抛光垫的形成方法以及化学机械抛光装置。化学机械抛光装置包括抛光垫。抛光垫包括多个第一垫部分的堆叠和多个第二垫部分的堆叠。第一垫部分和第二垫部分具有不同的硬度。第一垫部分的堆叠和第二垫部分的堆叠排列有对应于将由化学机械抛光装置抛光的结构的预定特征的图案。预定特征可包括待抛光结构的表面轮廓或材料。

公开(公告)号：CN113421833A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110535113.1

申请日：2021-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志宏 ,  陈科维 ,  孔德明

IPC: H01L21/66

Abstract: 一种用于评估基板上的薄膜厚度的方法，包括检测薄膜对电磁光谱的红外部分中的电磁辐射的暴露的原子力响应。使用原子力显微镜评估薄膜厚度以避免在利用光学测量技术评估薄膜厚度时经常遇到的底层噪声。这种底层噪声不利地影响了厚度评估的准确性。

公开(公告)号：CN107116460B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710073489.9

申请日：2017-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志宏 ,  许加融 ,  林奕安

IPC: B24B37/10 ,  B24B53/017 ,  B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  H01L21/67

Abstract: 根据一个实施例，本发明的实施例提供了一种半导体制造装置。装置包括可操作为固定并且旋转晶圆的晶圆台；配置为抛光晶圆的背面的抛光头；配置为将空气压力施加至晶圆的正面的空气支承模块；以及配置为密封晶圆的边缘的边缘密封单元。本发明的实施例还提供了一种半导体制造系统以及一种半导体制造方法。

公开(公告)号：CN110631464A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910120218.3

申请日：2019-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志宏 ,  陈科维 ,  王英郎

IPC: G01B7/06

Abstract: 本公开多种实施例提供一种厚度感测器，以及一种测量厚度的方法，即，用于测量诸如导线及插塞的不连续的导电特征的厚度的方法。在一个实施例中，厚度感测器在多个不连续的导电特征中产生涡电流，并测量在不连续的导电特征中被产生的涡电流。厚度感测器具有小的感测器光斑尺寸，并放大经测量涡电流的峰值以及谷值。厚度感测器基于介于经测量的涡电流的最小振幅值及最大振幅值之间的差值，以决定不连续的导电特征的厚度。

公开(公告)号：CN110323221A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201811132555.6

申请日：2018-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈国儒 ,  刘书豪 ,  龚俊豪 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  陈科维 ,  黄惠琪 ,  廖高锋 ,  陈志宏 ,  黄玠瑝 ,  谭伦光 ,  游伟明

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供半导体结构，半导体结构包含栅极结构、源极/漏极结构、介电层、接触插塞。栅极结构位于鳍结构上方，源极/漏极结构位于鳍结构中且与栅极结构相邻，介电层位于栅极结构和源极/漏极结构上方，接触插塞穿透介电层，接触插塞包含第一金属化合物，第一金属化合物包含第III族元素、第IV族元素、第V族元素的其中一者或其组合。

公开(公告)号：CN110076685A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201811486141.3

申请日：2018-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志宏 ,  陈科维 ,  王英郎

IPC: B24B37/26 ,  B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B53/017

Abstract: 一种研磨垫，包括垫层以及一或多个研磨结构，其中研磨结构是在垫层的上表面，且研磨结构中的每一者具有预定形状并形成在垫层的预定位置，而研磨结构包括沿着垫层的上表面延伸的至少一连续线形区段，在此研磨结构中的每一者为均质材料。以及一种制造一研磨垫的方法。以及一种晶圆平坦化的方法。

公开(公告)号：CN109326534A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201711000103.8

申请日：2017-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈科维 ,  陈志宏

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B53/017 ,  H01L21/67248 ,  B24B37/04 ,  H01L21/30625

Abstract: 一种半导体制程方法，包括在一研磨垫上研磨一晶圆，使用一垫修整器的一碟盘对研磨垫进行修整，以及将一热交换介质导入碟盘。被导入碟盘的热交换介质的温度不同于研磨垫的温度。

公开(公告)号：CN114864392A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210280514.1

申请日：2022-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 崔骥 ,  陈志宏 ,  陈亮光 ,  陈科维

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开的一些实施例提供一种半导体处理工具。半导体处理工具包括一清洁腔室。清洁腔室被配置为以无氧(或接近无氧)方式执行化学机械平坦化后清洁操作。可将惰性气体提供至清洁腔室中，以从清洁腔室中移除氧气，使得可在无氧(或接近无氧)环境中执行化学机械平坦化后清洁操作。如此一来，可在降低半导体晶圆上和/或半导体晶圆中的金属化层和/或金属化结构的氧引起的腐蚀的环境中执行化学机械平坦化后清洁操作，这可增加半导体制程良率、可降低半导体制程缺陷和/或可提高半导体制程品质等。

公开(公告)号：CN113449484A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110070329.5

申请日：2021-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘翼硕 ,  夏致群 ,  周信廷 ,  苏冠华 ,  洪伟伦 ,  陈志宏 ,  陈科维

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398

Abstract: 本公开涉及用于制造集成电路的热点避免方法。一种方法，包括：从集成电路的布图中裁剪多个图像；生成第一多个散列值，其中每一者来自多个图像之一；加载存储在热点库中的第二多个散列值；以及将第一多个散列值中的每一者与第二多个散列值中的每一者进行比较。比较步骤包括计算第一多个散列值中的每一者与第二多个散列值中的每一者之间的相似度值。方法还包括将相似度值与预定阈值相似度值进行比较，并且响应于相似度值大于预定阈值相似度值的结果，记录具有该结果的相应图像的位置。该位置是相应图像在布图中的位置。

公开(公告)号：CN110871398A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910796845.9

申请日：2019-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 骥·崔 ,  张家熏 ,  陈志宏 ,  陈亮光 ,  林子凯 ,  陈其贤 ,  蒯光国

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02 ,  F24H1/00 ,  F24H1/16 ,  F24H9/18 ,  F24H9/20 ,  G05D23/20 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实施例涉及化学液体加热系统与化学机械抛光的方法。本揭露提供一种化学液体加热系统，所述化学液体加热系统包含：第一导管，用于输送化学液体；施配头，其经连接到所述第一导管；及辐射加热元件，其经配置以加热所述第一导管中的所述化学液体且经定位于所述施配头的上游处。