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公开(公告)号：CN118528168A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410216063.4
申请日：2024-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据一些实施例提供一种半导体装置和抛光垫的形成方法以及化学机械抛光装置。化学机械抛光装置包括抛光垫。抛光垫包括多个第一垫部分的堆叠和多个第二垫部分的堆叠。第一垫部分和第二垫部分具有不同的硬度。第一垫部分的堆叠和第二垫部分的堆叠排列有对应于将由化学机械抛光装置抛光的结构的预定特征的图案。预定特征可包括待抛光结构的表面轮廓或材料。
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公开(公告)号：CN109848855B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201811380591.4
申请日：2018-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017
Abstract: 本揭露提供了一种调节研磨垫的方法，并且此方法包括：量测研磨垫的表面轮廓；获得研磨垫的参考轮廓；将研磨垫的表面轮廓与参考轮廓进行比较以产生差异结果；根据差异结果决定调节参数值；以及使用调节参数值调节研磨垫。
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公开(公告)号：CN116922262A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310655687.1
申请日：2023-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了用于化学机械抛光的抛光垫及其形成方法。在一个实施例中，一种抛光垫包括：抛光垫衬底；位于抛光垫衬底上的第一突起，第一突起包括中央区域和围绕中央区域的外周区域，并且中央区域的第一硬度大于外周区域的第二硬度；以及与第一突起的第一侧相邻的第一凹槽。
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公开(公告)号：CN115246099A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210611469.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B55/06 , B24B27/00 , H01L21/306
Abstract: 一种化学机械平坦化系统，包括在化学机械平坦化制程期间旋转的一化学机械平坦化垫。在制程期间，一化学机械平坦化头将半导体晶圆放置与化学机械平坦化垫接触。在制程期间，一研磨浆供给系统将研磨浆供给至垫上。在制程期间，一垫调节件调节上述垫。一杂质去除系统从研磨浆去除碎屑及杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112242317A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010401404.7
申请日：2020-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/336
Abstract: 本公开实施例涉及一种化学机械平坦化系统，包括一电容去离子模块，以从一溶液中移除离子。本公开实施例亦公开了使用前述化学机械平坦化系统的方法。在一实施例中，一种平坦化设备包括一平坦化单元，用以平坦化一晶圆；一清洁单元，用以清洁前述晶圆；一晶圆输送单元，用以在平坦化单元和清洁单元之间输送晶圆；以及一电容去离子模块，用以移除一溶液中的离子，所述溶液是在平坦化单元或清洁单元的至少一者中使用。
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公开(公告)号：CN118528175A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410248696.3
申请日：2024-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B49/16 , H01L21/67 , B24B41/00 , G06V10/764
Abstract: 本揭露的一些实施例提供一种化学机械平坦化工具、监控缺陷系统与其方法，是有关一个化学机械平坦化工具以及平坦化基板的方法。特别而言，本揭露的一些实施例是有关一个用于在化学机械平坦化工具里的研磨步骤与清洁步骤中辨认化学机械平坦化造成的缺陷的临场缺陷数据分析工具。在一些实施方式中，化学机械平坦化工具包括一个人工智能辅助的缺陷数据库。缺陷数据库可以被用来在研磨或清洁过程中辨认及分类化学机械平坦化相关的缺陷，例如刮痕、残留的研磨液。因此，化学机械平坦化工艺的缺陷警告周期被显著地改善。
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公开(公告)号：CN109848855A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811380591.4
申请日：2018-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017
Abstract: 本揭露提供了一种调节研磨垫的方法，并且此方法包括：量测研磨垫的表面轮廓；获得研磨垫的参考轮廓；将研磨垫的表面轮廓与参考轮廓进行比较以产生差异结果；根据差异结果决定调节参数值；以及使用调节参数值调节研磨垫。
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公开(公告)号：CN106985058A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201611009270.4
申请日：2016-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/00
Abstract: 一种对于一晶片进行化学机械研磨的装置，包括一研磨头，其具有一固定环。研磨头被配置成将晶片保持在固定环内。固定环包括一第一环以及一第二环。第一环具有一第一硬度。第二环由第一环所环绕，其中第二环具有一第二硬度，小于第一硬度。
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公开(公告)号：CN222289771U
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202421062957.4
申请日：2024-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/00 , B24B37/27 , B24B37/34 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 提供化学机械抛光装置以及用于化学机械抛光装置的固定环。化学机械抛光装置包括抛光垫；抛光头，配置以接收晶圆并将晶圆保持在抛光垫上；及固定环，配置以与抛光头接合，其中固定环形成有多个通道，通道配置以使浆料沿流动方向从固定环的外部流至固定环的内部，其中通道的流动截面积沿流动方向减小。
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