公开(公告)号：CN103094089A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210206726.1

申请日：2012-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄俊程 ,  陈能国 ,  万幸仁

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种鳍式场效应晶体管栅极氧化物。本公开提供了用于制造半导体器件的方法以及这种器件。一种方法包括：提供包括至少两个隔离部件的衬底；在衬底的上方以及至少两个隔离部件之间形成鳍型衬底；在鳍型衬底的上方形成硅衬垫；以及氧化硅衬垫以在鳍型衬底的上方形成氧化硅衬垫。

公开(公告)号：CN106206730B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201510298932.3

申请日：2015-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄俊程 ,  徐梓翔 ,  许加融 ,  杨丰诚 ,  蔡腾群

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括用于第一鳍式场效应晶体管(FET)的第一鳍结构。第一鳍结构包括从衬底突出的第一基底层、设置在第一基底层上方的第一中间层以及设置在第一中间层上方的第一沟道层。第一鳍结构还包括由防止下面的层氧化的材料制成的第一保护层。第一沟道层由SiGe制成，第一中间层包括设置在第一基底层上方的第一半导体(例如，SiGe)层和设置在第一半导体层上方的第二半导体(例如，Si)层。第一保护层覆盖第一基底层的侧壁、第一半导体层的侧壁和第二半导体层的侧壁。本发明还涉及包括FinFET的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN113444581A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110564251.2

申请日：2021-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 崔骥 ,  洪伟伦 ,  黄俊程 ,  孙旭昌 ,  陈科维

IPC: C11D1/00 ,  C11D1/14 ,  C11D1/22 ,  C11D1/62 ,  C11D1/66 ,  C11D1/72 ,  C11D1/75 ,  C11D1/82 ,  C11D3/04 ,  C11D3/20 ,  C11D3/24 ,  C11D3/37 ,  C11D3/26 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D3/34 ,  C11D3/60 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种清洗组成物，用于化学机械研磨制程后，清洗包含硅锗的基板表面。上述清洗组成物，包括：一寡聚型或高分子型聚胺；至少一润湿剂；一pH调节剂；以及一溶剂。

公开(公告)号：CN103915494B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310105433.9

申请日：2013-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄俊程 ,  蒋青宏 ,  陈能国 ,  孙诗平 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/762 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种设置在衬底上方的FinFET的新型鳍结构和形成鳍结构的方法。鳍结构包括：台面、设置在台面上方的沟道以及设置在沟道和台面之间的凸形部件。台面具有第一半导体材料，而沟道具有不同于第一半导体材料的第二半导体材料。凸形部件为阶梯形、台阶形或梯形。凸形部件包括设置在沟道和台面之间的第一隔离部件以及设置在沟道和第一隔离部件之间的第二隔离部件。第一隔离部件是U形的，并且第二隔离部件是矩形的。第二隔离部件的一部分被沟道包围，并且第二隔离部件的另一部分被第一隔离部件包围。

公开(公告)号：CN103094089B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210206726.1

申请日：2012-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄俊程 ,  陈能国 ,  万幸仁

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种鳍式场效应晶体管栅极氧化物。本公开提供了用于制造半导体器件的方法以及这种器件。一种方法包括：提供包括至少两个隔离部件的衬底；在衬底的上方以及至少两个隔离部件之间形成鳍型衬底；在鳍型衬底的上方形成硅衬垫；以及氧化硅衬垫以在鳍型衬底的上方形成氧化硅衬垫。

公开(公告)号：CN113206026A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110226125.6

申请日：2021-03-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思孜 ,  黄俊程 ,  蔡亚庭 ,  陈盈淙 ,  陈科维

IPC: H01L21/67 ,  B08B1/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12

Abstract: 一种清洁系统，包括至少一清洁模块，配置以在一化学机械研磨(CMP)制程之后接收一基板，并且使用一清洁溶液去除在基板上的多个污染物。清洁系统还包括一清洁溶液供给系统，配置以将清洁溶液供给到至少一清洁模块。清洁溶液供给系统包括至少一温度控制系统。至少一温度控制系统包括：一加热装置，配置以加热清洁溶液、一冷却装置，配置以冷却清洁溶液、一温度感应器，配置以监测清洁溶液的一温度、以及一温度控制器，配置以控制加热装置及冷却装置。

公开(公告)号：CN106206730A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510298932.3

申请日：2015-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄俊程 ,  徐梓翔 ,  许加融 ,  杨丰诚 ,  蔡腾群

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括用于第一鳍式场效应晶体管(FET)的第一鳍结构。第一鳍结构包括从衬底突出的第一基底层、设置在第一基底层上方的第一中间层以及设置在第一中间层上方的第一沟道层。第一鳍结构还包括由防止下面的层氧化的材料制成的第一保护层。第一沟道层由SiGe制成，第一中间层包括设置在第一基底层上方的第一半导体(例如，SiGe)层和设置在第一半导体层上方的第二半导体(例如，Si)层。第一保护层覆盖第一基底层的侧壁、第一半导体层的侧壁和第二半导体层的侧壁。本发明还涉及包括FinFET的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103915494A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310105433.9

申请日：2013-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄俊程 ,  蒋青宏 ,  陈能国 ,  孙诗平 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/762 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种设置在衬底上方的FinFET的新型鳍结构和形成鳍结构的方法。鳍结构包括：台面、设置在台面上方的沟道以及设置在沟道和台面之间的凸形部件。台面具有第一半导体材料，而沟道具有不同于第一半导体材料的第二半导体材料。凸形部件为阶梯形、台阶形或梯形。凸形部件包括设置在沟道和台面之间的第一隔离部件以及设置在沟道和第一隔离部件之间的第二隔离部件。第一隔离部件是U形的，并且第二隔离部件是矩形的。第二隔离部件的一部分被沟道包围，并且第二隔离部件的另一部分被第一隔离部件包围。