公开(公告)号：CN110842759B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201910203695.6

申请日：2019-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 龚俊豪 ,  陈东楷 ,  张智桀 ,  廖高锋 ,  黄惠琪 ,  陈科维

IPC: B24B37/04 ,  B24B57/02

Abstract: 此处说明化学机械研磨的研磨液的形成方法，以及在含有金属结构的基板上进行化学机械研磨工艺的方法。化学机械研磨的研磨液的形成方法，可采用螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，此比例取决于基板的金属材料电位。可依据化学机械研磨的研磨液的螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，在基板上进行化学机械研磨工艺。

公开(公告)号：CN110948375B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201910919205.2

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟泽良 ,  涂哲豪 ,  陈科维 ,  刘志文

IPC: B24B37/005 ,  H01L21/66

Abstract: 本公开涉及基于区域的CMP目标控制。本公开涉及晶圆的化学机械抛光中的基于区域的CMP目标控制的技术。在晶圆的表面上标识多个区域。在CMP工艺序列中，在每个区域上实现CMP目标。该序列中的每个CMP工艺使用对其他区域为选择性的CMP工艺来仅为一个区域实现CMP目标。

公开(公告)号：CN110957298B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201910909554.6

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林易生 ,  刘启人 ,  陈科维 ,  陈亮光 ,  孔德明 ,  洪伟伦 ,  沈稘翔 ,  何嘉玮 ,  徐俊伟 ,  郑仰钧

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了半导体结构及其形成方法。本公开描述了保护金属互连结构免受用于在金属互连结构上方形成其它金属结构的随后化学机械抛光工艺损坏的技术。使金属互连结构凹陷以在金属互连结构和周围介电层之间形成凹槽。在凹槽内形成金属覆盖结构。使介电层的上部变形以包括拉伸应力，该拉伸应力使介电层相对于金属覆盖结构扩展，以减小或消除金属覆盖结构与介电层之间的界面中的间隙。

公开(公告)号：CN113421833A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110535113.1

申请日：2021-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志宏 ,  陈科维 ,  孔德明

IPC: H01L21/66

Abstract: 一种用于评估基板上的薄膜厚度的方法，包括检测薄膜对电磁光谱的红外部分中的电磁辐射的暴露的原子力响应。使用原子力显微镜评估薄膜厚度以避免在利用光学测量技术评估薄膜厚度时经常遇到的底层噪声。这种底层噪声不利地影响了厚度评估的准确性。

公开(公告)号：CN113053743A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011554939.4

申请日：2020-12-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄惠琪 ,  林政锜 ,  苏品全 ,  王健名 ,  陈科维

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3063

Abstract: 公开一种晶边移除方法。晶边薄膜移除工具包括套叠在外马达内的内马达，以及固定至外马达的晶边刷具。晶边刷具可在径向上向外调整，以容许晶圆被插入晶边刷具中且固定至内马达。晶边刷具可在径向上向内调整，以接合晶边刷具的一或多个区域，且使晶边刷具与晶圆的晶边部位接触。一旦接合，一溶液可被分配至晶边刷具的接合区域，且内马达及外马达可旋转，使得晶边刷具靠着晶圆旋转，使得晶圆的晶边薄膜被化学地及机械地移除。

公开(公告)号：CN112476228A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202010848750.X

申请日：2020-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈东楷 ,  王上瑜 ,  潘婉君 ,  魏民忠 ,  黄惠琪 ,  陈科维

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B53/013

Abstract: 本公开的一些实施例提供一种操作化学机械平坦化用具的方法。方法包括使用一粘着剂，将一研磨垫附接至一化学机械平坦化用具的一平台的一第一表面，从平台移除研磨垫，其中在移除研磨垫之后，粘着剂的多个残余部分残留在平台的第一表面上，使用一荧光材料来识别平台的第一表面上的粘着剂的残余部分的多个位置，并且从平台的第一表面移除粘着剂的残余部分。

公开(公告)号：CN112238395A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010542306.5

申请日：2020-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 龚俊豪 ,  王上瑜 ,  蔡晴翔 ,  黄惠琪 ,  陈科维

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  B24B37/32 ,  H01L21/768

Abstract: 一种施行化学机械平坦化工具，包括通过附接到载体的保持环来固持晶片、将晶片压靠在研磨垫的第一表面、以第一速度旋转研磨垫，分配浆料到研磨垫的第一表面上以及在研磨垫处产生振动。

公开(公告)号：CN106158622B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201510208656.7

申请日：2015-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡俊雄 ,  陈科维

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了用于热映射和热工艺控制的方法和装置。根据一些实施例提供了一种热处理装置。该热处理装置包括：加热源，用于向在正表面上形成有电路的工件传输入射辐射；辐射传感器，被配置为接收从工件的正表面辐射的光；以及控制器，耦合至辐射传感器，控制器被设计为控制加热源以减小工件的温度变化。

公开(公告)号：CN110957217A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910921765.1

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李佳璇 ,  徐俊伟 ,  何嘉玮 ,  沈稘翔 ,  吴历杰 ,  林建锜 ,  刘启人 ,  林易生 ,  郑仰钧 ,  陈亮光 ,  魏国修 ,  陈科维

IPC: H01L21/321 ,  C09K3/14

Abstract: 本公开描述研磨浆的形成方法及用于制造半导体装置的化学机械研磨工艺的方法。这些方法可对包含有着向下连接至半导体基底的钌接触插塞的积体接触结构的半导体装置来进行。研磨浆可透过将第一研磨剂、第二研磨剂、反应物及溶剂混合来形成。第一研磨剂可包含第一微粒，第一微粒包含二氧化钛粒子，且第二研磨剂可包含不同于第一微粒的第二微粒。研磨浆可用于从工件的表面移除钌材料及介电材料的化学机械研磨工艺，以实现用于平坦轮廓的表面的较好的裸片内装载及平坦化。

公开(公告)号：CN110631464A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910120218.3

申请日：2019-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志宏 ,  陈科维 ,  王英郎

IPC: G01B7/06

Abstract: 本公开多种实施例提供一种厚度感测器，以及一种测量厚度的方法，即，用于测量诸如导线及插塞的不连续的导电特征的厚度的方法。在一个实施例中，厚度感测器在多个不连续的导电特征中产生涡电流，并测量在不连续的导电特征中被产生的涡电流。厚度感测器具有小的感测器光斑尺寸，并放大经测量涡电流的峰值以及谷值。厚度感测器基于介于经测量的涡电流的最小振幅值及最大振幅值之间的差值，以决定不连续的导电特征的厚度。