-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128887A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911046746.5
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 在一个实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的第一鳍；形成从衬底延伸的第二鳍，第二鳍通过第一距离与第一鳍间隔开。在第一鳍和第二鳍上方形成金属栅极堆叠件；在金属栅极堆叠件上方沉积第一层间电介质；以及形成延伸穿过第一层间电介质以物理接触金属栅极堆叠件的栅极接触件，该栅极接触件横向地设置在第一鳍和第二鳍之间，栅极接触件通过第二距离与第一鳍间隔开。当第一距离大于或等于第一预定阈值时，第二距离小于第二预定阈值。本剧本申请的实施例，提供了形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN111128887B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201911046746.5
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 在一个实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的第一鳍；形成从衬底延伸的第二鳍，第二鳍通过第一距离与第一鳍间隔开。在第一鳍和第二鳍上方形成金属栅极堆叠件；在金属栅极堆叠件上方沉积第一层间电介质；以及形成延伸穿过第一层间电介质以物理接触金属栅极堆叠件的栅极接触件，该栅极接触件横向地设置在第一鳍和第二鳍之间，栅极接触件通过第二距离与第一鳍间隔开。当第一距离大于或等于第一预定阈值时，第二距离小于第二预定阈值。本剧本申请的实施例，提供了形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN115050647A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210129801.2
申请日：2022-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 提供了半导体结构及其制造方法。用于制造半导体结构的方法包括：在衬底上方形成栅极结构以及形成覆盖栅极结构的掩模层。该方法还包括：在衬底上方形成与栅极结构相邻的源极/漏极结构；以及在源极/漏极结构上方形成接触件。该方法还包括：在接触件和掩模层上方形成介电层以及在栅极结构上方形成穿过介电层和掩模层的第一沟槽。该方法还包括：在第一沟槽中形成第一导电结构，并去除第一导电结构的上部分。该方法还包括：形成穿过介电层并覆盖接触件和第一导电结构的第二导电结构。
-
公开(公告)号：CN112582346A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011055733.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/02
Abstract: 一种用于制造集成电路的方法包括接收定义半导体结构的IC设计布局，半导体结构具有在第一方向上纵向延伸的通孔轨，并且通孔轨接触在垂直于第一方向的第二方向上纵向延伸的源极接点。方法还包括使用IC设计布局上的图案识别来识别通孔轨、源极接点、与源极接点相距一定距离的漏极接点、以及夹设在源极接点和漏极接点之间的栅极结构。方法还包括确定要加入至IC设计布局中的突出通孔的位置、长度以及宽度。方法还包括在所确定的位置将具有所确定的长度和宽度的突出通孔加入至IC设计布局，以提供修改后的IC设计布局。
-
公开(公告)号：CN222440590U
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202420971106.5
申请日：2024-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H10D84/83 , H10D84/85 , H10D84/03 , H01L21/768
Abstract: 半导体装置包括基板上的通道区和相邻于通道区的源极/漏极(S/D)特征。半导体装置包括通在道区上方的栅极结构、在栅极结构上方的第一层间介电(ILD)层、在第一ILD层上方的蚀刻停止层、以及在蚀刻停止层上方的第二ILD层。钨S/D接点设置在S/D特征上方、并且被第一ILD层围绕。钨S/D通孔落在S/D接点上，并且被第二ILD层围绕。钨栅极通孔落在栅极结构上，并且被第一ILD层和第二ILD层围绕。钨栅极通孔包括一或多个气隙。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.024 seconds)
