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公开(公告)号：CN112582346A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011055733.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/02
Abstract: 一种用于制造集成电路的方法包括接收定义半导体结构的IC设计布局，半导体结构具有在第一方向上纵向延伸的通孔轨，并且通孔轨接触在垂直于第一方向的第二方向上纵向延伸的源极接点。方法还包括使用IC设计布局上的图案识别来识别通孔轨、源极接点、与源极接点相距一定距离的漏极接点、以及夹设在源极接点和漏极接点之间的栅极结构。方法还包括确定要加入至IC设计布局中的突出通孔的位置、长度以及宽度。方法还包括在所确定的位置将具有所确定的长度和宽度的突出通孔加入至IC设计布局，以提供修改后的IC设计布局。
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