公开(公告)号：CN109427577A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711278072.2

申请日：2017-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖显煌 ,  谢东衡 ,  杨宝如 ,  张永丰

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/8234

Abstract: 本文公开了具有线端延伸部的集成电路布局的各种示例。在一个示例中，一种方法包括接收集成电路布局，该集成电路布局包括：在第一方向上平行延伸的第一组形状和第二组形状，其中，第一组形状的间距不同于第二组形状的间距。横向构件形状被插入到集成电路布局中，其在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且一组线端延伸部被插入到集成电路布局中，其从第一组形状和第二组形状中的每个形状延伸至横向构件形状。提供包括第一组形状、第二组形状、横向构件形状、和一组线端延伸部的集成电路布局用于制造集成电路。本申请的实施例还提供了形成集成电路的方法。

公开(公告)号：CN111128887A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911046746.5

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴仕杰 ,  伍邦齐 ,  赵高毅 ,  王美匀 ,  廖显煌 ,  谢东衡 ,  杨宝如

IPC: H01L21/8234

Abstract: 在一个实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的第一鳍；形成从衬底延伸的第二鳍，第二鳍通过第一距离与第一鳍间隔开。在第一鳍和第二鳍上方形成金属栅极堆叠件；在金属栅极堆叠件上方沉积第一层间电介质；以及形成延伸穿过第一层间电介质以物理接触金属栅极堆叠件的栅极接触件，该栅极接触件横向地设置在第一鳍和第二鳍之间，栅极接触件通过第二距离与第一鳍间隔开。当第一距离大于或等于第一预定阈值时，第二距离小于第二预定阈值。本剧本申请的实施例，提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN111128887B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201911046746.5

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴仕杰 ,  伍邦齐 ,  赵高毅 ,  王美匀 ,  廖显煌 ,  谢东衡 ,  杨宝如

IPC: H01L21/8234

Abstract: 在一个实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的第一鳍；形成从衬底延伸的第二鳍，第二鳍通过第一距离与第一鳍间隔开。在第一鳍和第二鳍上方形成金属栅极堆叠件；在金属栅极堆叠件上方沉积第一层间电介质；以及形成延伸穿过第一层间电介质以物理接触金属栅极堆叠件的栅极接触件，该栅极接触件横向地设置在第一鳍和第二鳍之间，栅极接触件通过第二距离与第一鳍间隔开。当第一距离大于或等于第一预定阈值时，第二距离小于第二预定阈值。本剧本申请的实施例，提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109427577B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201711278072.2

申请日：2017-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖显煌 ,  谢东衡 ,  杨宝如 ,  张永丰

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/8234

Abstract: 本文公开了具有线端延伸部的集成电路布局的各种示例。在一个示例中，一种方法包括接收集成电路布局，该集成电路布局包括：在第一方向上平行延伸的第一组形状和第二组形状，其中，第一组形状的间距不同于第二组形状的间距。横向构件形状被插入到集成电路布局中，其在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且一组线端延伸部被插入到集成电路布局中，其从第一组形状和第二组形状中的每个形状延伸至横向构件形状。提供包括第一组形状、第二组形状、横向构件形状、和一组线端延伸部的集成电路布局用于制造集成电路。本申请的实施例还提供了形成集成电路的方法。