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公开(公告)号：CN102709238B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210104072.1
申请日：2012-04-09
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/127 , H01L21/76 , H01L27/1225 , H01L27/1262 , H01L27/1288 , H01L29/6675
Abstract: 一种阵列基板的制作方法，包括下列步骤。于基板上依序形成第一导电层、栅极介电层、半导体层、蚀刻阻挡层与第一图案化光刻胶。进行第一蚀刻制程，将未被第一图案化光刻胶覆盖的蚀刻阻挡层与半导体层移除。进行第二蚀刻工艺，以形成图案化栅极介电层与图案化蚀刻阻挡层。将未被图案化栅极介电层覆盖之第一导电层移除，以形成栅极电极。将未被图案化蚀刻阻挡层覆盖的半导体层移除，以形成图案化半导体层，并部分暴露出图案化栅极介电层。
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公开(公告)号：CN102222780A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110151982.0
申请日：2011-06-01
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，包括：在基板上连续沉积ITO膜与第一金属层，通过第一构图工艺形成栅极与阳极的图形；接着连续沉积栅绝缘层、半导体材料层及保护膜材料层，通过第二构图工艺形成半导体层与沟道保护层；通过第三构图工艺暴露出像素区的第一金属层，同时对半导体层与沟道保护层进行构图；继续沉积第二金属层以形成源/漏极；通过第四构图工艺暴露出阳极；接着沉积平坦层，通过第五构图工艺暴露出阳极。采用本发明可以避免色偏问题，并且可以节省工序，方便制程。
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公开(公告)号：CN103035846B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210273794.X
申请日：2012-08-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/3246
Abstract: 一种有机电致发光装置的像素结构，其包括扫描线、数据线、与扫描线以及数据线电性连接的至少一主动元件、第一电极、介电材料层、第一隔离层、第二隔离层、有机发光材料层以及第二电极。位于第一电极上的介电材料层具有第一开口以暴露出第一电极。位于介电材料层上的第一隔离层包括氧化物半导体材料，且第一隔离层具有第二开口以暴露出第一电极。位于第一隔离层上的第二隔离层具有第三开口以暴露出第一开口中的第一电极并且暴露位于第二开口侧壁的第一隔离层。有机发光材料层位于第三开口内。第二电极位于有机发光材料层上。
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公开(公告)号：CN104241333A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410538312.8
申请日：2014-10-13
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明提供了一种软性主动矩阵有机发光二极管显示器及其制造方法。该制造方法包括：提供一刚性基板；依序形成第一缓冲层以及第二缓冲层于刚性基板的上方；形成第一气体阻隔层于第二缓冲层的上方；形成一塑料基板于第一气体阻隔层的上方；形成第二气体阻隔层于塑料基板的上方；以及采用激光剥离制程来移除刚性基板。相比于现有技术，本发明将诸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其它具有阻水功效的无机化合物作为气体阻隔层并且形成于塑料基板的上下两侧，从而可有效阻隔外部的水气进入塑料基板内部。本发明还在第一气体阻隔层的下方增设两个层叠的缓冲层，当使用激光剥离方式移除刚性基板时，这两个缓冲层作为激光牺牲层以确保塑料基板不被损伤。
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公开(公告)号：CN103035846A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210273794.X
申请日：2012-08-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/3246
Abstract: 一种有机电致发光装置的像素结构，其包括扫描线、数据线、与扫描线以及数据线电性连接的至少一主动元件、第一电极、介电材料层、第一隔离层、第二隔离层、有机发光材料层以及第二电极。位于第一电极上的介电材料层具有第一开口以暴露出第一电极。位于介电材料层上的第一隔离层包括氧化物半导体材料，且第一隔离层具有第二开口以暴露出第一电极。位于第一隔离层上的第二隔离层具有第三开口以暴露出第一开口中的第一电极并且暴露位于第二开口侧壁的第一隔离层。有机发光材料层位于第三开口内。第二电极位于有机发光材料层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102677006A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210164460.9
申请日：2012-05-18
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种透明非晶态氧化物半导体溅镀靶材，至少包括：一第一透明非晶态氧化物半导体；一第二透明非晶态氧化物半导体，与所述第一透明非晶态氧化物半导体相对设置，且所述第一透明非晶态氧化物半导体和所述第二透明非晶态氧化物半导体之间具有一靶材间隙；以及一阻挡部，设置于所述靶材间隙中，并且所述阻挡部采用特定的导电材料或绝缘材料制成。采用本发明，于相邻的两个透明非晶态氧化物半导体之间的靶材间隙内设置一阻挡部，该阻挡部可采用特定的导电材料或绝缘材料制成，从而可降低位于该透明非晶态氧化物半导体下方的背板被溅镀的几率。
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公开(公告)号：CN105047089A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510587074.4
申请日：2015-09-16
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: G09G3/20 , G06F3/1446 , G09G3/3208 , G09G3/34 , G09G3/36 , G09G2300/023 , G09G2300/026 , G09G2380/02
Abstract: 本发明公开一种具有无边框设计的显示系统。该显示系统包含第一显示面板、延伸显示面板以及光学覆盖层。第一显示面板具有第一可视区及邻接于第一可视区的一侧的第一边缘带。延伸显示面板至少部分叠合于第一显示面板显示影像的一侧，并包含有延伸可视区。延伸可视区于第一显示面板上的投影范围至少部分与第一边缘带重合，且与第一可视区相接。光学覆盖层同时覆盖于第一可视区及延伸可视区显示影像的一侧。
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公开(公告)号：CN101976650B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010509417.2
申请日：2010-10-09
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极；于栅绝缘层上形成彼此电性绝缘的源极与漏极；于栅极上方的栅绝缘层上形成氧化物半导体层以覆盖栅绝缘层、源极与漏极；于氧化物半导体层上形成材料层；薄化材料层；令材料层氧化以于氧化物半导体层上形成一紫外光遮蔽材料层；以及图案化紫外光遮蔽材料层以及氧化物半导体层以形成氧化物通道层与紫外光遮蔽图案，其中氧化物信道层覆盖源极的部分区域与漏极的部分区域，而紫外光遮蔽图案位于氧化物信道层上。
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公开(公告)号：CN101789443B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010128960.8
申请日：2010-03-08
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L27/15 , H01L21/82 , H01L21/316 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开一种像素结构，包括一基板、一栅极、一绝缘层、一金属氧化物半导体层、一源极以及一漏极、至少一膜层以及一第一电极层。栅极位于基板上。绝缘层覆盖栅极。金属氧化物半导体层位于栅极上方的绝缘层上。源极以及漏极位于金属氧化物半导体层上。至少一膜层覆盖金属氧化物半导体层，其中至少一膜层包括一透明光触媒材料，且透明光触媒材料阻挡紫外光波段光线穿透至金属氧化物半导体层。第一电极层与源极或漏极电性连接。本发明同时公开一种像素结构的制造方法以及电子装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN101789443A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010128960.8
申请日：2010-03-08
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L27/15 , H01L21/82 , H01L21/316 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开一种像素结构，包括一基板、一栅极、一绝缘层、一金属氧化物半导体层、一源极以及一漏极、至少一膜层以及一第一电极层。栅极位于基板上。绝缘层覆盖栅极。金属氧化物半导体层位于栅极上方的绝缘层上。源极以及漏极位于金属氧化物半导体层上。至少一膜层覆盖金属氧化物半导体层，其中至少一膜层包括一透明光触媒材料，且透明光触媒材料阻挡紫外光波段光线穿透至金属氧化物半导体层。第一电极层与源极或漏极电性连接。本发明同时公开一种像素结构的制造方法以及电子装置的制造方法。
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