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公开(公告)号：CN101424801A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810180783.0
申请日：2008-12-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/13
Abstract: 本发明公开了一种配向凸起物、显示面板以及光电装置的修补方法。该修补方法包括下列步骤。首先，将一修补材料涂布于基板上，以使不连续的瑕疵配向凸起物与修补材料共同构成一连续图案，其中修补材料的黏度实质上介于100厘泊与500厘泊之间。然后，固化修补材料。上述的配向凸起物的修补方法，适于修补一基板上的一不连续的瑕疵配向凸起物。另外，包括上述修补方法的显示面板以及光电装置的修补方法亦被提出。
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公开(公告)号：CN103730481A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210383407.8
申请日：2012-10-11
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 周政伟
Abstract: 一种有机发光显示器包括驱动元件阵列基板、有机发光元件层以及反射层。有机发光元件层包括依次形成于驱动元件阵列基板上的第一电极层、有机发光功能层及第二电极层，有机发光功能层定义有出光区域。反射层位于有机发光功能层的出光区域外，并且设置于驱动元件阵列基板中，或是位于有机发光元件层与驱动元件阵列基板之间，或是位于有机发光元件层中。此有机发光显示器同时具有良好的镜面效果和图像显示效果。本发明还涉及此有机发光显示器的制作方法。
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公开(公告)号：CN103227150A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310178656.8
申请日：2013-05-15
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制作方法。本发明的显示面板包括连接电极。连接电极系与薄膜晶体管的栅极由同一道光罩形成，且薄膜晶体管的漏极系经由连接电极与画素电极电性连接。因此，连接电极不需利用额外制程加以制作，且连接电极可避免画素电极于蚀刻介电层时受到损伤。显示面板的薄膜晶体管的源极掺杂区与漏极掺杂区、储存电容下电极以及画素电极可利用同一道灰阶光罩加以形成。
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公开(公告)号：CN103227150B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310178656.8
申请日：2013-05-15
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制作方法。本发明的显示面板包括连接电极。连接电极系与薄膜晶体管的栅极由同一道光罩形成，且薄膜晶体管的漏极系经由连接电极与画素电极电性连接。因此，连接电极不需利用额外制程加以制作，且连接电极可避免画素电极于蚀刻介电层时受到损伤。显示面板的薄膜晶体管的源极掺杂区与漏极掺杂区、储存电容下电极以及画素电极可利用同一道灰阶光罩加以形成。
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公开(公告)号：CN104009043A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410209616.X
申请日：2014-05-19
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 周政伟
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开了一种像素结构，包括一薄膜晶体管元件。薄膜晶体管元件包括一氧化物半导体层、一栅极绝缘层、一栅极、一第一连接电极、一第二连接电极、一介电层、一源极与一漏极。氧化物半导体层具有一通道区，以及一第一接触区与一第二接触区分别位于通道区的两相对侧。第一连接电极覆盖第一接触区的上表面，且第二连接电极覆盖第二接触区的上表面，其中第一连接电极与第二连接电极未与栅极绝缘层在垂直投影方向上重叠。源极经由第一连接电极与氧化物半导体层的第一接触区电性连接，而漏极经由第二连接电极与氧化物半导体层的第二接触区电性连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103296058A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310175302.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L51/56 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制作方法。本发明的显示面板包括转接电极。转接电极与薄膜晶体管的栅极由同一道光罩形成，不需利用额外图案化制造工程加以制作。此外，薄膜晶体管的漏极经由介电层的开口与转接电极接触并进而与像素电极电性连接，而于蚀刻介电层时不会暴露出像素电极，因此可避免像素电极于蚀刻介电层时受到损伤。
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公开(公告)号：CN104009043B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410209616.X
申请日：2014-05-19
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 周政伟
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开了一种像素结构，包括一薄膜晶体管元件。薄膜晶体管元件包括一氧化物半导体层、一栅极绝缘层、一栅极、一第一连接电极、一第二连接电极、一介电层、一源极与一漏极。氧化物半导体层具有一通道区，以及一第一接触区与一第二接触区分别位于通道区的两相对侧。第一连接电极覆盖第一接触区的上表面，且第二连接电极覆盖第二接触区的上表面，其中第一连接电极与第二连接电极未与栅极绝缘层在垂直投影方向上重叠。源极经由第一连接电极与氧化物半导体层的第一接触区电性连接，而漏极经由第二连接电极与氧化物半导体层的第二接触区电性连接。
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公开(公告)号：CN103296058B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310175302.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L51/56 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制作方法。本发明的显示面板包括转接电极。转接电极与薄膜晶体管的栅极由同一道光罩形成，不需利用额外图案化制造工程加以制作。此外，薄膜晶体管的漏极经由介电层的开口与转接电极接触并进而与像素电极电性连接，而于蚀刻介电层时不会暴露出像素电极，因此可避免像素电极于蚀刻介电层时受到损伤。
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公开(公告)号：CN103872142A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410124210.1
申请日：2014-03-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 周政伟
IPC: H01L29/786 , H01L23/522 , H01L21/60 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L29/66969 , H01L27/1214 , H01L27/1259 , H01L29/78639
Abstract: 一种像素结构，包括一薄膜晶体管元件。薄膜晶体管元件包括一第一连接电极、一第二连接电极、一氧化物半导体通道层、一栅极绝缘层、一栅极、一介电层、一源极与一漏极。氧化物半导体通道层的两侧分别部分覆盖第一连接电极的上表面与第二连接电极的上表面。栅极设置于栅极绝缘层上。介电层设置于栅极与栅极绝缘层上，栅极绝缘层与该介电层具有一第一接触洞至少部分暴露出第一连接电极的上表面，与一第二接触洞至少部分暴露出第二连接电极的上表面。源极经由第一接触洞与第一连接电极电性连接，且漏极经由第二接触洞与第二连接电极电性连接。
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公开(公告)号：CN101976650A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010509417.2
申请日：2010-10-09
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极；于栅绝缘层上形成彼此电性绝缘的源极与漏极；于栅极上方的栅绝缘层上形成氧化物半导体层以覆盖栅绝缘层、源极与漏极；于氧化物半导体层上形成材料层；薄化材料层；令材料层氧化以于氧化物半导体层上形成一紫外光遮蔽材料层；以及图案化紫外光遮蔽材料层以及氧化物半导体层以形成氧化物通道层与紫外光遮蔽图案，其中氧化物信道层覆盖源极的部分区域与漏极的部分区域，而紫外光遮蔽图案位于氧化物信道层上。
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