公开(公告)号：CN102693918A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210162113.2

申请日：2012-05-21

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 曾伟豪 ,  周奇纬 ,  丁宏哲

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括在基板上形成栅极，在栅极上形成绝缘层，然后在绝缘层上形成通道层。再来，在通道层上形成第一材料层，其中第一材料层包括含氧的绝缘材料。然后，在第一材料层上形成第二材料层，其中第二材料层包括金属材料。之后，在第二材料层以及第一材料层中形成多个接触窗开口，以暴露出通道层。然后，在第二材料层上形成源极以及漏极，其中源极以及漏极通过接触窗开口而与通道层接触。

公开(公告)号：CN102693918B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201210162113.2

申请日：2012-05-21

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 曾伟豪 ,  周奇纬 ,  丁宏哲

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括在基板上形成栅极，在栅极上形成绝缘层，然后在绝缘层上形成通道层。再来，在通道层上形成第一材料层，其中第一材料层包括含氧的绝缘材料。然后，在第一材料层上形成第二材料层，其中第二材料层包括金属材料。之后，在第二材料层以及第一材料层中形成多个接触窗开口，以暴露出通道层。然后，在第二材料层上形成源极以及漏极，其中源极以及漏极通过接触窗开口而与通道层接触。

公开(公告)号：CN102709238B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210104072.1

申请日：2012-04-09

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 辜慧玲 ,  陈佳榆 ,  钟宜臻 ,  陈宇宏 ,  周奇纬 ,  张凡伟 ,  吕学兴 ,  丁宏哲

IPC: H01L21/77 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/76 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/6675

Abstract: 一种阵列基板的制作方法，包括下列步骤。于基板上依序形成第一导电层、栅极介电层、半导体层、蚀刻阻挡层与第一图案化光刻胶。进行第一蚀刻制程，将未被第一图案化光刻胶覆盖的蚀刻阻挡层与半导体层移除。进行第二蚀刻工艺，以形成图案化栅极介电层与图案化蚀刻阻挡层。将未被图案化栅极介电层覆盖之第一导电层移除，以形成栅极电极。将未被图案化蚀刻阻挡层覆盖的半导体层移除，以形成图案化半导体层，并部分暴露出图案化栅极介电层。

公开(公告)号：CN102646633B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210089295.5

申请日：2012-03-27

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 钟宜臻 ,  陈佳榆 ,  辜慧玲 ,  陈宇宏 ,  周奇纬 ,  张凡伟 ,  吕学兴 ,  丁宏哲

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31133 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L2227/323

Abstract: 一种阵列基板的制作方法，包括下列步骤。于基板上依序形成栅极电极与栅极介电层。于栅极介电层上依序形成半导体层、蚀刻阻挡层、硬掩膜层以及第二图案化光致抗蚀剂。利用第二图案化光致抗蚀剂对硬掩膜层进行过蚀刻工艺，以形成图案化硬掩膜层。利用第二图案化光致抗蚀剂对蚀刻阻挡层进行第一蚀刻工艺。利用第二图案化光致抗蚀剂对半导体层进行第二蚀刻工艺，以形成图案化半导体层。将未被图案化硬掩膜层覆盖的蚀刻阻挡层移除以形成图案化蚀刻阻挡层。

公开(公告)号：CN102709238A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210104072.1

申请日：2012-04-09

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 辜慧玲 ,  陈佳榆 ,  钟宜臻 ,  陈宇宏 ,  周奇纬 ,  张凡伟 ,  吕学兴 ,  丁宏哲

IPC: H01L21/77 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/76 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/6675

Abstract: 一种阵列基板的制作方法，包括下列步骤：于基板上依序形成第一导电层、栅极介电层、半导体层、蚀刻阻挡层与第一图案化光刻胶。进行第一蚀刻制程，将未被第一图案化光刻胶覆盖的蚀刻阻挡层与半导体层移除。进行第二蚀刻工艺，以形成图案化栅极介电层与图案化蚀刻阻挡层。将未被图案化栅极介电层覆盖之第一导电层移除，以形成栅极电极。将未被图案化蚀刻阻挡层覆盖的半导体层移除，以形成图案化半导体层，并部分暴露出图案化栅极介电层。

公开(公告)号：CN102646633A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210089295.5

申请日：2012-03-27

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 钟宜臻 ,  陈佳榆 ,  辜慧玲 ,  陈宇宏 ,  周奇纬 ,  张凡伟 ,  吕学兴 ,  丁宏哲

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31133 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L2227/323

Abstract: 一种阵列基板的制作方法，包括下列步骤。于基板上依序形成栅极电极与栅极介电层。于栅极介电层上依序形成半导体层、蚀刻阻挡层、硬掩膜层以及第二图案化光致抗蚀剂。利用第二图案化光致抗蚀剂对硬掩膜层进行过蚀刻工艺，以形成图案化硬掩膜层。利用第二图案化光致抗蚀剂对蚀刻阻挡层进行第一蚀刻工艺。利用第二图案化光致抗蚀剂对半导体层进行第二蚀刻工艺，以形成图案化半导体层。将未被图案化硬掩膜层覆盖的蚀刻阻挡层移除以形成图案化蚀刻阻挡层。