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公开(公告)号：CN106571374A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610971546.0
申请日：2016-11-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种像素结构及显示面板，像素结构包括：基板、第一图案化缓冲层、第一保护层、第二图案化缓冲层以及第二保护层。第一图案化缓冲层包括第一开口。第一保护层覆盖第一图案化缓冲层，其中第一保护层填满第一开口。第二图案化缓冲层设置于第一保护层上，其中第二图案化缓冲层包括第二开口。第二保护层覆盖第二图案化缓冲层，其中第二保护层填满第二开口。此外，第二开口与第一开口在垂直投影方向上不重叠，且第一图案化缓冲层在垂直投影方向上与第二开口重叠。通过改变保护层及缓冲层的配置关系，搭配缓冲层的图案化可有效降低缓冲层发生断裂的情况，进而得到具有良好弯曲效果的显示面板，且仍能兼顾阻挡杂质与水气对显示面板元件的影响。
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公开(公告)号：CN103137708B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310001513.X
申请日：2013-01-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种主动元件及其制造方法。主动元件包括一缓冲层、一通道、一栅极、一栅绝缘层以及一源极与一漏极。缓冲层配置于一基板上，具有一定位区，其中缓冲层在定位区的部分的厚度大于在定位区以外的部分的厚度。通道配置于缓冲层上，且位于定位区。栅极位于通道上方，栅绝缘层则配置于通道与栅极之间。源极与漏极位于通道上方并电性连接通道。
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公开(公告)号：CN104465784A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410735468.5
申请日：2014-12-05
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L27/12 , H01L29/0603 , H01L29/0684
Abstract: 一种薄膜晶体管，其包括栅极、源极、漏极以及通道层，通道层位于栅极以及源极及漏极之间，通道层具有相对设置的第一侧壁以及第二侧壁，栅极与第一侧壁重叠，且栅极不与第二侧壁重叠，通道层之电流流通长度为X，栅极与通道层之重叠长度为X1，栅极与通道层之未重叠长度为X2，且X＝X1+X2，其中，X1≧X/2，且0≦X2≦X/2。
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公开(公告)号：CN103545380A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310559447.8
申请日：2013-11-11
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 张志榜
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/0869 , H01L29/0886 , H01L29/66742
Abstract: 一种薄膜晶体管及其制作方法。薄膜晶体管包括氧化物半导体层、栅绝缘层、栅极、氧吸收层、绝缘层以及多个导电电极。氧化物半导体层包括多个低氧区以及位于低氧区之间的通道区。栅绝缘层位于氧化物半导体层与栅极之间，并覆盖通道区而暴露低氧区。氧吸收层位于低氧区上，并具有多个第一开口。第一开口暴露具有第一面积的低氧区。绝缘层覆盖氧吸收层、氧化物半导体层与门栅极，并具有多个第二开口。第二开口位于第一开口内以暴露具有第二面积的低氧区。第二面积小于第一面积。导电电极位于第二开口中以接触低氧区。
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公开(公告)号：CN103137708A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310001513.X
申请日：2013-01-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种主动元件及其制造方法。主动元件包括一缓冲层、一通道、一栅极、一栅绝缘层以及一源极与一漏极。缓冲层配置于一基板上，具有一定位区，其中缓冲层在定位区的部分的厚度大于在定位区以外的部分的厚度。通道配置于缓冲层上，且位于定位区。栅极位于通道上方，栅绝缘层则配置于通道与栅极之间。源极与漏极位于通道上方并电性连接通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102427082B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110343223.4
申请日：2011-10-27
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种电激发光显示器，其包含一第一显示装置、一第二显示装置，以及一可调控式光开关单元。第一显示装置包含一第一发光元件及一第一薄膜晶体管，第二显示装置包含一第二发光元件及一第二薄膜晶体管。可调控式光开关单元设置于第一显示装置与第二显示装置之间，且可调控式光开关单元具有一透光状态与一不透光状态。
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公开(公告)号：CN102244090B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110184742.0
申请日：2011-06-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L27/3272 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提出一种半导体结构及应用此半导体结构的有机电致发光元件。其中，栅极与栅绝缘层配置于基板上，且栅绝缘层覆盖栅极。通道层位于栅绝缘层上，且位于栅极上方。通道层沿一通道方向上具有一通道长度L，且通道层具有第一侧边以及相对于第一侧边的一第二侧边。源极以及漏极位于通道层的相对两侧，且分别电性连接通道层的第一侧边与第二侧边。介电层覆盖源极、漏极以及通道层。导电遮光图案层配置于介电层上。导电遮光图案层跟部份源极与通道层在垂直投影上重迭，其中导电遮光图案层跟通道层具有重迭长度d1，且0.3≤d1/L≤0.85。本发明可遮挡光线直射通道层，并且不仅可以有效防止光线照射元件造成的元件特性变异，更可进一步提供良好、稳定的元件特性。
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公开(公告)号：CN102751333A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210209111.4
申请日：2012-06-20
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78603
Abstract: 一种主动元件及其制造方法。主动元件包括一缓冲层、一通道、一栅极、一栅绝缘层以及一源极与一漏极。缓冲层配置于一基板上，具有一定位区，其中缓冲层在定位区的部分的厚度大于在定位区以外的部分的厚度。通道配置于缓冲层上，且位于定位区。栅极位于通道上方，栅绝缘层则配置于通道与栅极之间。源极与漏极位于通道上方并电性连接通道。
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公开(公告)号：CN105428423B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610010130.2
申请日：2016-01-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括栅极、覆盖栅极的绝缘层、配置于绝缘层上的第一半导体图案、配置于第一半导体图案上的第二半导体图案、配置于第二半导体图案上的蚀刻阻挡图案、源极与漏极。第一半导体图案具有通道区、第一源极区及第一漏极区。第二半导体图案具有抑制区、第二源极区及第二漏极区。抑制区、第二源极区及第二漏极区分别与通道区、第一源极区及第一漏极区重叠。通道区的阻值为R1。抑制区的阻值为R2。第二源极区的阻值及第二漏极区的阻值为R3。第一源极区的阻值及第一漏极区的阻值为R4。R2>R1>R3≧R4。本发明能提升栅极对电流的控制能力，而不易发生现有技术中起始电压偏移过大的问题，使薄膜晶体管性能佳。
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公开(公告)号：CN105428423A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201610010130.2
申请日：2016-01-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/66742
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括栅极、覆盖栅极的绝缘层、配置于绝缘层上的第一半导体图案、配置于第一半导体图案上的第二半导体图案、配置于第二半导体图案上的蚀刻阻挡图案、源极与漏极。第一半导体图案具有通道区、第一源极区及第一漏极区。第二半导体图案具有抑制区、第二源极区及第二漏极区。抑制区、第二源极区及第二漏极区分别与通道区、第一源极区及第一漏极区重叠。通道区的阻值为R1。抑制区的阻值为R2。第二源极区的阻值及第二漏极区的阻值为R3。第一源极区的阻值及第一漏极区的阻值为R4。R2>R1>R3≧R4。本发明能提升栅极对电流的控制能力，而不易发生现有技术中起始电压偏移过大的问题，使薄膜晶体管性能佳。
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