显示装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106158912B

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201610557329.7

    申请日:2016-07-15

    Inventor: 林裕新 刘俊欣

    Abstract: 本发明提供一种显示装置,包含控制电路层及自发光层。控制电路层具有在横切方向上排列分布的多个控制电路区块。自发光层设置于控制电路层上方,并具有在横跨自发光层的横切方向上排列分布的多个自发光区块分别与控制电路区块对应且信号连接。在上述横切方向上,自发光区块较所对应的控制电路区块朝向第一侧边突出一偏移距离。较接近第一侧边的自发光区块具有较大的偏移距离。

    电激发光显示器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102427082A

    公开(公告)日:2012-04-25

    申请号:CN201110343223.4

    申请日:2011-10-27

    Abstract: 本发明公开一种电激发光显示器,其包含一第一显示装置、一第二显示装置,以及一可调控式光开关单元。第一显示装置包含一第一发光元件及一第一薄膜晶体管,第二显示装置包含一第二发光元件及一第二薄膜晶体管。可调控式光开关单元设置于第一显示装置与第二显示装置之间,且可调控式光开关单元具有一透光状态与一不透光状态。

    一种像素结构及其检修方法与制造方法

    公开(公告)号:CN100389451C

    公开(公告)日:2008-05-21

    申请号:CN200610084541.2

    申请日:2006-05-25

    Inventor: 林裕新 郑仲志

    Abstract: 一种像素结构,包括至少二条扫描线与至少二条数据线,这些扫描线与数据线彼此相交,而在这些扫描线与数据线的内围,形成至少一个区间。并且,像素结构还包括薄膜晶体管、保护层、缺陷检测图案以及像素电极。像素电极设置于保护层上,其通过开口电连接于薄膜晶体管。缺陷检测图案(defect detecting pattern),设置于区间中,用以检测其下方是否有其它的导电或半导体材料所构成的残留物存在。

    显示装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106158912A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201610557329.7

    申请日:2016-07-15

    Inventor: 林裕新 刘俊欣

    Abstract: 本发明提供一种显示装置,包含控制电路层及自发光层。控制电路层具有在横切方向上排列分布的多个控制电路区块。自发光层设置于控制电路层上方,并具有在横跨自发光层的横切方向上排列分布的多个自发光区块分别与控制电路区块对应且信号连接。在上述横切方向上,自发光区块较所对应的控制电路区块朝向第一侧边突出一偏移距离。较接近第一侧边的自发光区块具有较大的偏移距离。

    电激发光显示器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102427082B

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201110343223.4

    申请日:2011-10-27

    Abstract: 本发明公开一种电激发光显示器,其包含一第一显示装置、一第二显示装置,以及一可调控式光开关单元。第一显示装置包含一第一发光元件及一第一薄膜晶体管,第二显示装置包含一第二发光元件及一第二薄膜晶体管。可调控式光开关单元设置于第一显示装置与第二显示装置之间,且可调控式光开关单元具有一透光状态与一不透光状态。

    一种像素结构及其检修方法与制造方法

    公开(公告)号:CN1862648A

    公开(公告)日:2006-11-15

    申请号:CN200610084541.2

    申请日:2006-05-25

    Inventor: 林裕新 郑仲志

    Abstract: 一种像素结构,包括至少二条扫描线与至少二条数据线,这些扫描线与数据线彼此相交,而在这些扫描线与数据线的内围,形成至少一个区间。并且,像素结构还包括薄膜晶体管、保护层、缺陷检测图案以及像素电极。像素电极设置于保护层上,其通过开口电连接于薄膜晶体管。缺陷检测图案(defect detecting pattern),设置于区间中,用以检测其下方是否有其它的导电或半导体材料所构成的残留物存在。

Patent Agency Ranking