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公开(公告)号：CN1731262A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510098024.6
申请日：2005-09-01
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 李刘中
IPC: G02F1/1368 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管矩阵基板制造方法，利用第一道掩模工艺定义出栅极电极与信号电极，利用第二道掩模工艺在信道区域、栅极电极孔区域、信号电极孔区域及导线接垫区域定义出不同的光阻层厚度。利用第三道掩模工艺定义出源极、漏极、上层信号电极、像素电极、栅极电极接垫及信号电极接垫。
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公开(公告)号：CN102856389B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210291168.3
申请日：2011-03-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/22
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括：一栅极；一栅绝缘层，覆盖该栅极；一氧化物半导体通道层，配置于该栅绝缘层上且位于该栅极上方，其中该氧化物半导体通道层为单一膜层且具有一第一部以及一第二部，该第一部位于该第二部以及该栅绝缘层之间，该第一部的结晶尺寸大于该第二部的结晶尺寸；以及一源极与一漏极，配置于该氧化物半导体通道层上。由于本发明的氧化物半导体包括多层不同氧含量的子层，并通过氧含量较高的子层来抑制临界电压偏移以及滤除紫外线，因此本发明的薄膜晶体管具有良好的电气特性与信赖性。
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公开(公告)号：CN102593184A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210020999.7
申请日：2010-06-10
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/49
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。在基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体通道层；在栅绝缘层及金属氧化物半导体通道层上形成源极及漏极；源极及漏极的形成方法包括下列步骤：依序形成第一导体层及第二导体层，接着在第二导体层上形成图案化光阻层；以图案化光阻层为掩膜并以第一导体层为终止层进行湿式蚀刻，以图案化第二导体层；以图案化光阻层为掩膜进行干式蚀刻，以图案化第一导体层，其中金属氧化物半导体通道层的部分区域被源极及漏极暴露；以含氟的气体对暴露的金属氧化物半导体通道层进行表面处理。本发明可以避免金属氧化物半导体通道层在源极及漏极蚀刻产生结构破坏缺陷，而获得良好的控制。
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公开(公告)号：CN101894760B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010205472.2
申请日：2010-06-10
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/136 , H01L21/34 , H01L21/44 , H01L21/465 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。在基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体通道层；在栅绝缘层及金属氧化物半导体通道层上形成源极及漏极；源极及漏极的形成方法包括下列步骤：依序形成第一导体层及第二导体层，接着在第二导体层上形成图案化光阻层；以图案化光阻层为掩膜并以第一导体层为终止层进行湿式蚀刻，以图案化第二导体层；以图案化光阻层为掩膜进行干式蚀刻，以图案化第一导体层，其中金属氧化物半导体通道层的部分区域被源极及漏极暴露；以含氟的气体对暴露的金属氧化物半导体通道层进行表面处理。本发明可以避免金属氧化物半导体通道层在源极及漏极蚀刻产生结构破坏缺陷，而获得良好的控制。
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公开(公告)号：CN102169907A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110052370.6
申请日：2011-03-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括一栅极、一闸绝缘层、一氧化物半导体通道层、一源极以及一汲极。栅绝缘层覆盖栅极，而氧化物半导体通道层配置于栅绝缘层上且位于栅极上方，其中氧化物半导体通道层包括一第一子层与一第二子层，第二子层位于第一子层上，且第一子层的氧含量低于第二子层的氧含量。此外，源极与漏极配置于第二子层的部分区域上。本发明另提出前述的薄膜晶体管的制造方法。由于本发明的氧化物半导体包括多层不同氧含量的子层，并通过氧含量较高的子层来抑制临界电压偏移以及滤除紫外线，因此本发明的薄膜晶体管具有良好的电气特性与信赖性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101950733A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010243833.2
申请日：2010-08-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种像素结构的制造方法及有机发光元件的制造方法。此像素结构的制造方法包括在基板上形成栅极。形成介电层以覆盖栅极与基板。在栅极上方的介电层上形成图案化金属氧化物半导体层与图案化金属蚀刻阻挡层。形成第一导电层以覆盖图案化金属蚀刻阻挡层以及介电层。利用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化第一导电层，而形成源极以及漏极。形成第二导电层以覆盖源极、漏极以及介电层。利用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化第二导电层，而形成第一电极层。之后，移除位于源极与漏极之间被暴露出来的图案化金属蚀刻阻挡层。本发明可避免金属氧化物半导体层遭到过渡蚀刻，且可节省制造成本。
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公开(公告)号：CN100447646C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200610145446.9
申请日：2006-11-15
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , H01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种像素结构，包括：一基板；一第一数据线，形成于该基板上，该第一数据线具有一末端；一第一绝缘层，覆盖该第一数据线，露出该第一数据线的部分末端；一遮蔽电极，设置于该第一绝缘层上，并与该第一数据线部分重迭；一第二数据线，形成于该第一绝缘层上，并与露出的该第一数据线末端电性连接；一第二绝缘层，覆盖该遮蔽电极与该第二数据线；以及一像素电极，形成于该第二绝缘层上，并与该遮蔽电极部分重迭。本发明另提供一种像素结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN101950733B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010243833.2
申请日：2010-08-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种像素结构的制造方法及有机发光元件的制造方法。此像素结构的制造方法包括在基板上形成栅极。形成介电层以覆盖栅极与基板。在栅极上方的介电层上形成图案化金属氧化物半导体层与图案化金属蚀刻阻挡层。形成第一导电层以覆盖图案化金属蚀刻阻挡层以及介电层。利用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化第一导电层，而形成源极以及漏极。形成第二导电层以覆盖源极、漏极以及介电层。利用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化第二导电层，而形成第一电极层。之后，移除位于源极与漏极之间被暴露出来的图案化金属蚀刻阻挡层。本发明可避免金属氧化物半导体层遭到过渡蚀刻，且可节省制造成本。
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公开(公告)号：CN102222780A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110151982.0
申请日：2011-06-01
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，包括：在基板上连续沉积ITO膜与第一金属层，通过第一构图工艺形成栅极与阳极的图形；接着连续沉积栅绝缘层、半导体材料层及保护膜材料层，通过第二构图工艺形成半导体层与沟道保护层；通过第三构图工艺暴露出像素区的第一金属层，同时对半导体层与沟道保护层进行构图；继续沉积第二金属层以形成源/漏极；通过第四构图工艺暴露出阳极；接着沉积平坦层，通过第五构图工艺暴露出阳极。采用本发明可以避免色偏问题，并且可以节省工序，方便制程。
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公开(公告)号：CN100444007C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510137514.2
申请日：2005-12-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L27/12 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管矩阵基板制造方法，至少包括在栅极电极上方的栅极介电层的上方形成岛形半导体，其中栅极结构较岛形半导体宽。接着，在覆盖岛形半导体上方的绝缘层上形成搭接孔以暴露出部分岛形半导体。离子注入在曝露出的岛形半导体表面形成欧姆接触，形成透明导电层共型毯覆于所有结构之上，进行微影蚀刻工艺至少定义出源/漏极、像素电极、栅极电极接垫及信号电极接垫。
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