公开(公告)号：CN107681020A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710878335.7

申请日：2017-09-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  任千尚 ,  李盛喆 ,  任慧志 ,  魏长春 ,  侯国付 ,  许盛之 ,  赵颖

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/054

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208

Abstract: 本发明提供一种提高平面硅异质结太阳电池长波长光响应的方法，该方法选取衬底S，两侧分别生长钝化层I，在衬底一侧沉积发射极P，另一侧沉积N作为平面硅异质结太阳电池的背场，P层上沉积透明电极ITO，最后电池两侧分别制作金属电极M1和M2。该方法采用的n型背场N因为具有低折射率和宽带隙的特性，不需引入复杂的绒面陷光结构即提高了平面硅异质结太阳电池的长波长光响应。

公开(公告)号：CN109182971A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201810757314.4

申请日：2018-07-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  张晓丹 ,  赵颖 ,  周忠信 ,  李盛喆

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 一种利用反应等离子沉积技术生长宽光谱MGZO-TCO薄膜的方法及其应用，属于光电子器件领域。以组分纯度为99.99％的MgO和Ga2O3掺杂的ZnO靶材即ZnO:Ga2O3:MgO陶瓷靶作为靶材原料，溅射气体为Ar气，镀膜过程中引入少量H2或O2，基片偏压0-150V；衬底温度为室温-200度，得到结构为glass/MGZO薄膜。器件界面生长缓冲层SnOx，获得复合结构SnOx/MGZO薄膜。本发明薄膜具有宽光谱透过率，并且维持优良的电学特性和表面结构，应用于晶硅异质结太阳电池器件，可提高晶体硅异质结太阳电池等器件效率。

公开(公告)号：CN107564989A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710594187.6

申请日：2017-07-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  姚鑫 ,  朱世杰 ,  郑翠翠 ,  任千尚 ,  李盛喆 ,  魏长春 ,  丁毅 ,  任慧志 ,  黄茜 ,  李宝璋 ,  赵颖

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，提出了一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池中隧穿结的结构设计，该结构是在叠层电池顶、底电池反向p-n结处添加一层窄带隙、高掺杂浓度的隧穿复合层TRL，其导带与价带间较小的能级差值可以有效的增强隧穿结处的载流子复合。此外，底电池p层与隧穿结处的梯度带阶有效的促进了底电池与隧穿结处的空穴抽取，避免了隧穿结界面间电荷的大量累积。而且添加高掺杂浓度的TRL后，隧穿结处缺陷态密度增加，电子空穴通过缺陷辅助隧穿，复合和隧穿几率增加。该结构所采用的异质结可有效提升底电池的光谱响应，减小开压损失，且其制备方法简单，易于实施。

公开(公告)号：CN109182971B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201810757314.4

申请日：2018-07-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  张晓丹 ,  赵颖 ,  周忠信 ,  李盛喆

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 一种利用反应等离子沉积技术生长宽光谱MGZO‑TCO薄膜的方法及其应用，属于光电子器件领域。以组分纯度为99.99％的MgO和Ga2O3掺杂的ZnO靶材即ZnO:Ga2O3:MgO陶瓷靶作为靶材原料，溅射气体为Ar气，镀膜过程中引入少量H2或O2，基片偏压0‑150V；衬底温度为室温‑200度，得到结构为glass/MGZO薄膜。器件界面生长缓冲层SnOx，获得复合结构SnOx/MGZO薄膜。本发明薄膜具有宽光谱透过率，并且维持优良的电学特性和表面结构，应用于晶硅异质结太阳电池器件，可提高晶体硅异质结太阳电池等器件效率。

公开(公告)号：CN107507928A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710594119.X

申请日：2017-07-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  朱世杰 ,  姚鑫 ,  郑翠翠 ,  任千尚 ,  李盛喆 ,  魏长春 ,  丁毅 ,  任慧志 ,  黄茜 ,  李宝璋 ,  赵颖

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56

Abstract: 一种调控钙钛矿/硅叠层电池光电流匹配的方法，该方法以硅太阳电池为底部电池，钙钛矿太阳电池为顶部电池，通过调节顶部透明导电电极的厚度，实现了透明导电薄膜中因干涉相消产生的增透峰的峰位在可见光区域移动。钙钛矿顶电池在500-600nm波段往往具有较高的光谱响应。当透明导电薄膜的增透峰在相应波段范围时，一方面可起到增透膜的作用，增大顶部钙钛矿电池外量子效率(EQE)响应，提升光电流；另一方面也可调整顶电池在短波段对光的吸收及在长波段光的透过，对顶、底电池的光谱分配做出微调，进一步实现顶、底电池电流匹配。该方法可有效提升叠层电池中的光谱响应，进而提升器件的短路电流密度及效率，且该方法简单，易于实施。

公开(公告)号：CN107369767A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710593693.3

申请日：2017-07-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  郑翠翠 ,  朱世杰 ,  任千尚 ,  李盛喆 ,  魏长春 ,  丁毅 ,  任慧志 ,  黄茜 ,  李宝璋 ,  赵颖

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/42 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/441

Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，提供了一种钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池，该叠层太阳电池以硅异质结太阳电池为底部电池，钙钛矿太阳电池为顶部电池，以ITO作为隧穿结，利用硅电池与钙钛矿相匹配的能级，获得高开压、高效率电池。通过在顶电池空穴传输层上制备一层中间保护层，以保护其不受后续透明电极损伤、防止结构受损，提高叠层电池填充因子进而提高效率。该结构所采用的材料制备方法简单，易于实施，可获得较好的转换效率。