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公开(公告)号：CN112239195A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011114499.0
申请日：2020-10-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件的制备方法。该方法包括如下步骤：前驱体溶液于所得的衬底上旋涂，获得氧化物薄膜；再在氧化物薄膜上旋涂聚合物电解质，退火得到该聚合物电解质薄膜；最后再聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件。本发明制备得到的纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件实现了兴奋性突触后电流等可塑性的模拟。
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公开(公告)号：CN111834530A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010743126.3
申请日：2020-07-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于单晶钙钛矿的两端人工突触及其制备方法。所述的人工突触分为三层，由下至上依次为衬底、半导体活性层和间隔金属层；所述的间隔金属层为左金属电极和右金属电极；左、右电极距离为100-150微米；其中，所述的半导体活性层的材质为单晶钙钛矿；所述的左金属电极和右金属电极的材质均为金。本发明得到的横向传输电流的单晶钙钛矿人工突触具有超长且可控的电流传输距离(100-150微米)，皮安级别的操作电流，且能耗在数值上突破了飞焦级别(～10飞焦)。
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公开(公告)号：CN112103388B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011019085.X
申请日：2020-09-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于Ti3C2‑MXene/电解质结构的人工突触器件的制备方法。该方法包括如下步骤：1)用异丙醇热蒸汽熏蒸衬底表面；2)将Ti3C2‑MXene分散液于所得的硅衬底上，旋涂，退火后获得Ti3C2‑MXene薄膜；3)在Ti3C2‑MXene薄膜构筑聚合物电解质薄膜：4)在聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于Ti3C2‑MXene的两端人工突触电子器件；本发明得到的Ti3C2‑MXene薄膜本身能够收纳多种类的碱金属离子，可以调节器件在脉冲作用后的突触后电流，特别是可以通过Ti3C2‑MXene/电解质结构的突触器件实现更为灵敏的脉冲响应。
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公开(公告)号：CN113659078A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110942542.0
申请日：2021-08-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于聚酰亚胺新型栅绝缘层的突触晶体管器件及其制备方法。所述的人工突触器件结构包括：衬底上分布部分栅绝缘层，栅绝缘层上依次为半导体层和金属层；所述栅绝缘层为掺杂有离子液体的聚酰亚胺类材料，半导体层为聚3‑己基噻吩(P3HT)。本发明的突触晶体管器件具有灵敏度高，功耗低，工作电压范围大等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112239195B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202011114499.0
申请日：2020-10-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件的制备方法。该方法包括如下步骤：前驱体溶液于所得的衬底上旋涂，获得氧化物薄膜；再在氧化物薄膜上旋涂聚合物电解质，退火得到该聚合物电解质薄膜；最后再聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件。本发明制备得到的纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件实现了兴奋性突触后电流等可塑性的模拟。
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公开(公告)号：CN112103388A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011019085.X
申请日：2020-09-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于Ti3C2‑MXene/电解质结构的人工突触器件的制备方法。该方法包括如下步骤：1)用异丙醇热蒸汽熏蒸衬底表面；2)将Ti3C2‑MXene分散液于所得的硅衬底上，旋涂，退火后获得Ti3C2‑MXene薄膜；3)在Ti3C2‑MXene薄膜构筑聚合物电解质薄膜：4)在聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于Ti3C2‑MXene的两端人工突触电子器件；本发明得到的Ti3C2‑MXene薄膜本身能够收纳多种类的碱金属离子，可以调节器件在脉冲作用后的突触后电流，特别是可以通过Ti3C2‑MXene/电解质结构的突触器件实现更为灵敏的脉冲响应。
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公开(公告)号：CN113659078B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202110942542.0
申请日：2021-08-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于聚酰亚胺新型栅绝缘层的突触晶体管器件及其制备方法。所述的人工突触器件结构包括：衬底上分布部分栅绝缘层，栅绝缘层上依次为半导体层和金属层；所述栅绝缘层为掺杂有离子液体的聚酰亚胺类材料，半导体层为聚3‑己基噻吩(P3HT)。本发明的突触晶体管器件具有灵敏度高，功耗低，工作电压范围大等优点。
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公开(公告)号：CN111834530B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010743126.3
申请日：2020-07-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于单晶钙钛矿的两端人工突触及其制备方法。所述的人工突触分为三层，由下至上依次为衬底、半导体活性层和间隔金属层；所述的间隔金属层为左金属电极和右金属电极；左、右电极距离为100‑150微米；其中，所述的半导体活性层的材质为单晶钙钛矿；所述的左金属电极和右金属电极的材质均为金。本发明得到的横向传输电流的单晶钙钛矿人工突触具有超长且可控的电流传输距离(100‑150微米)，皮安级别的操作电流，且能耗在数值上突破了飞焦级别(～10飞焦)。
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公开(公告)号：CN114122260A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110893895.6
申请日：2021-08-05
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于PIN异质结两端人工突触及其制备方法。该人工突触的结构包括：衬底上部分分布有电子传输层，电子传输层上依次为光吸收层和空穴传输层；衬底上的非电子传输层部分和空穴传输层上的部分表面还覆盖有金属层；所述空穴传输层为噻吩类聚合物。本发明的人工突触光照时通过在右侧顶电极施加正负极性的电压刺激产生与光生电流同向和反向的电流，利用二者的叠加作用，可分别实现增强和抑制两种不同的光响应。
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