公开(公告)号：CN112239195A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202011114499.0

申请日：2020-10-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 徐文涛 ,  郭科鑫 ,  卫欢欢 ,  于海洋 ,  龚江东 ,  李仁杰 ,  韩弘 ,  马明雪

IPC: B81B7/04 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明为一种基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件的制备方法。该方法包括如下步骤：前驱体溶液于所得的衬底上旋涂，获得氧化物薄膜；再在氧化物薄膜上旋涂聚合物电解质，退火得到该聚合物电解质薄膜；最后再聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件。本发明制备得到的纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件实现了兴奋性突触后电流等可塑性的模拟。

公开(公告)号：CN109473548A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811219439.8

申请日：2018-10-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 徐文涛 ,  陈一航 ,  韩弘

IPC: H01L51/05 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明提供了一种基于P3HT纳米线的三端仿生突触电子器件。通过设计类场效应管结构的P3HT纳米线神经突触仿生电子器件来实现神经信号在突触间传递的模拟。通过对所述P3HT纳米线突触电子器件进行电学表征，证明所述器件具有的突触短时程可塑性与部分突触功能，其在构建具有模式识别、逻辑推理、归纳总结、自主学习等功能的新型计算系统中具有重要的意义。

公开(公告)号：CN112239195B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202011114499.0

申请日：2020-10-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 徐文涛 ,  郭科鑫 ,  卫欢欢 ,  于海洋 ,  龚江东 ,  李仁杰 ,  韩弘 ,  马明雪

IPC: B81B7/04 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明为一种基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件的制备方法。该方法包括如下步骤：前驱体溶液于所得的衬底上旋涂，获得氧化物薄膜；再在氧化物薄膜上旋涂聚合物电解质，退火得到该聚合物电解质薄膜；最后再聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件。本发明制备得到的纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件实现了兴奋性突触后电流等可塑性的模拟。

公开(公告)号：CN116451753A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310287657.X

申请日：2023-03-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 徐文涛 ,  倪尧 ,  刘甲奇 ,  韩弘 ,  刘璐

IPC: G06N3/063 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明为一种具有色/电双权重调控的人工突触器件。该器件的组成包括：衬底的表面边缘，分别间隔分布有源极和漏极，源极、漏极以及二者之间的衬底表面，都覆盖有纳米线薄膜；纳米线薄膜上依次覆盖有Nafion薄膜和离子胶。本发明得到的器件能够在电刺激下同时实现颜色权重与电导权重的双重调节，且使这两种权重都具有极短的突触可塑性，在撤去刺激仅1秒后，兴奋性色度完全降为0，而残留的兴奋性突触后电流降为初始值的1/3000。

公开(公告)号：CN110277496A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910559549.7

申请日：2019-06-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 徐文涛 ,  韩弘

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种基于P3HT超薄膜的三端人造突触器件。通过设计类场效应管结构的P3HT超薄膜人造突触电子器件来实现神经信号在突触间传递的模拟。通过对所述P3HT超薄膜突触电子器件进行电学表征，证明所述的突触器件可以实现对于生物突触功能的基本模拟，包括兴奋性突触后电流(EPSC),双脉冲易化(PPF),短程可塑性向长程转变(STP to LTP)，突触增强与抑制(Potentiation and Depression),自稳可塑性(Homeostatic Plasticity)等。得出半导体超薄膜微结构与神经仿生电子器件性能关系的规律性结论，为突触器件长短程可塑性的调节提供理论指导。