公开(公告)号：CN113611695B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202110781461.7

申请日：2021-07-12

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 郭怀新 ,  陈堂胜 ,  韩煦 ,  姜文海

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/473 ,  H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明公开了一种万瓦级GaN基固态功率源系统及其制造方法，系统包括高效率GaN功放单元、微波信号控制单元、多层级散热单元和智能管控单元，所有单元集成在4U标准机柜内；所述高效率GaN功放单元实现万瓦级功率，微波信号控制单元实现稳定射频微波，多层级散热单元保证了系统的安全性，智能管控单元保证了系统运行稳定性和可调控性。本发明采用采用高效率GaN功放单元实现万瓦级功率源的高集成度和小尺寸，有效满足了单机柜的系统集成，同时采用多层级散热单元解决万瓦级功率产生的热可靠性隐患，有效保证了功率源系统性能的稳定性和系统安全性；相比传统的磁控管结构功率源系统，其尺寸更小、稳定性和可靠性更高。

公开(公告)号：CN113611695A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110781461.7

申请日：2021-07-12

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 郭怀新 ,  陈堂胜 ,  韩煦 ,  姜文海

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/473 ,  H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明公开了一种万瓦级GaN基固态功率源系统及其制造方法，系统包括高效率GaN功放单元、微波信号控制单元、多层级散热单元和智能管控单元，所有单元集成在4U标准机柜内；所述高效率GaN功放单元实现万瓦级功率，微波信号控制单元实现稳定射频微波，多层级散热单元保证了系统的安全性，智能管控单元保证了系统运行稳定性和可调控性。本发明采用采用高效率GaN功放单元实现万瓦级功率源的高集成度和小尺寸，有效满足了单机柜的系统集成，同时采用多层级散热单元解决万瓦级功率产生的热可靠性隐患，有效保证了功率源系统性能的稳定性和系统安全性；相比传统的磁控管结构功率源系统，其尺寸更小、稳定性和可靠性更高。