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公开(公告)号：CN106972089B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201710245310.3
申请日：2017-04-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种稻草人形N电极，包括插指和焊盘；所述焊盘为长方形；所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成；所述边缘多边形插指同时为左右对称、上下对称结构；所述中心区域插指由一根垂直插指和两根平行插指组成；所述中心区域插指和焊盘相连组成稻草人形插指，所述稻草人形插指位于边缘多边形插指内部，所述边缘多边形插指与焊盘顶部长边相连，与垂直插指底部相连。本发明的稻草人形N电极，很大程度上改善了传统米字型、十字型N电极电流分布不均，吸光严重的问题。本发明还公开了一种垂直结构LED芯片，包括所述的稻草人形N电极，克服了横向结构LED芯片的电流拥挤的缺点，极大的改善了电流在芯片内传输的均匀性。
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公开(公告)号：CN106972089A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710245310.3
申请日：2017-04-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种稻草人形N电极，包括插指和焊盘；所述焊盘为长方形；所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成；所述边缘多边形插指同时为左右对称、上下对称结构；所述中心区域插指由一根垂直插指和两根平行插指组成；所述中心区域插指和焊盘相连组成稻草人形插指，所述稻草人形插指位于边缘多边形插指内部，所述边缘多边形插指与焊盘顶部长边相连，与垂直插指底部相连。本发明的稻草人形N电极，很大程度上改善了传统米字型、十字型N电极电流分布不均，吸光严重的问题。本发明还公开了一种垂直结构LED芯片，包括所述的稻草人形N电极，克服了横向结构LED芯片的电流拥挤的缺点，极大的改善了电流在芯片内传输的均匀性。
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公开(公告)号：CN105449028A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510964453.0
申请日：2015-12-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/184
Abstract: 本发明公开了一种AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的基底、第一n-AlInP层、第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层、第三p-AlInP层；还包括SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。本发明还公开了上述AlInP基蓝光探测器的制备方法。本发明的AlInP基蓝光探测器，可以实现直接对蓝光波段电磁波的针对性吸收，而不需要额外添加滤波片等。
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公开(公告)号：CN105405915A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510891176.5
申请日：2015-12-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/108 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/03048 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种InGaN基蓝光探测器，包括衬底层，所述衬底层之上依次设有AlN层、非掺杂GaN层、Si掺杂的n-InGaN层；所述Si掺杂的n-InGaN层的一侧表面上覆盖有i-InGaN层，另一侧表面覆盖有第一Au层；所述i-InGaN层的一部分表面覆盖有SiO2层，另一部分表面覆盖有第二Au层；所述SiO2层的上方设有第三Au层，所述第三Au层覆盖第二Au层的部分或全部表面；所述衬底层的下表面覆盖有Ag层。本发明还公开了上述InGaN基蓝光探测器的制备方法。本发明的InGaN基蓝光探测器，提高了探测器在蓝光波段峰值的外量子效率。
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公开(公告)号：CN107808029A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710841855.0
申请日：2017-09-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明属于LED的技术领域，公开了一种高效垂直结构LED芯片n电极图案的分析方法。所述方法为：(1)采用Tracepro软件依次构建垂直结构LED芯片模型衬底、p电极层、外延层，绘制n电极图案，构建接触靶面，设置材料参数和光源，分析LED芯片模型的出光效率，收集记录数据，优化图案参数；(2)按照上述步骤构建多个不同电极图案的垂直结构LED芯片模型，对比分析各模型的光线数据，得到外量子效率最优的电极图案；(3)在垂直结构LED芯片表面形成n电极图案；(4)性能测试，与模拟的结果对比，得出结论。本发明的方法高效，在较短时间内就能得出性能优异的LED芯片对应的n电极图案，节约了时间、降低了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107507892A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710743693.7
申请日：2017-08-25
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/46
Abstract: 本发明属于LED的技术领域，公开了一种高发光效率的垂直结构LED芯片及其制备方法。所述高发光效率的垂直结构LED芯片自下而上依次包括导电衬底、金属键合层、金属反射层、p型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和n型GaN层，所述n型GaN层上设有n电极，未被n电极覆盖的n型GaN层上设有ZnO纳米柱层。本发明在垂直结构LED芯片表面制备的ZnO纳米柱，可提高垂直结构LED芯片光提取效率。
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公开(公告)号：CN105405915B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510891176.5
申请日：2015-12-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/108 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种InGaN基蓝光探测器，包括衬底层，所述衬底层之上依次设有AlN层、非掺杂GaN层、Si掺杂的n-InGaN层；所述Si掺杂的n-InGaN层的一侧表面上覆盖有i-InGaN层，另一侧表面覆盖有第一Au层；所述i-InGaN层的一部分表面覆盖有SiO2层，另一部分表面覆盖有第二Au层；所述SiO2层的上方设有第三Au层，所述第三Au层覆盖第二Au层的部分或全部表面；所述衬底层的下表面覆盖有Ag层。本发明还公开了上述InGaN基蓝光探测器的制备方法。本发明的InGaN基蓝光探测器，提高了探测器在蓝光波段峰值的外量子效率。
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公开(公告)号：CN106449916A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610925731.6
申请日：2016-10-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了镓酸锂衬底上的垂直结构非极性LED芯片及其制备方法，该方法在镓酸锂衬底上生长LED外延片，包括生长在镓酸锂衬底上的GaN缓冲层，在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。接着在LED外延片表面通过匀胶、光刻、显影、清洗步骤制备电极图案，在外延片上表面依次沉积电极金属。随后将LED外延片转移至铜衬底上。接着用HCl溶液将原有镓酸锂衬底剥离，制备二氧化硅保护层，将电极对应部分暴露出来，再将电极上的SiO2腐蚀掉，形成完整的垂直结构LED芯片。
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公开(公告)号：CN108461586B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201810278577.7
申请日：2018-03-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法，在LED外延片表面采用光刻结合纳米压印、电感耦合等离子体刻蚀标准光刻、溅射等手段制备NiO阵列纳米点/Ag的反射镜。使用紫外纳米压印技术制备阵列NiO纳米点代替传统Ni层，作为Ag反射镜的欧姆接触层，降低了Ni层的吸光问题，又由于NiO是p型半导体，从而大幅降低NiO与p‑GaN之间的肖特基势垒，提高了反射镜的反射效率。本发明的NiO阵列纳米点在纳米尺度拥有量子尺寸效应和三维光栅效应，能够进一步提高垂直结构LED芯片出光效率。本发明采用的双层胶工艺，大幅优化了lift‑off NiO的精度，从而修饰了NiO纳米点的形貌。
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公开(公告)号：CN107425821B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201710743907.0
申请日：2017-08-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于声波器件材料的技术领域，公开了一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用。所述低应力状态单晶AlN薄膜包括衬底、生长在衬底上的外延AlN单晶薄膜层、沟槽；所述沟槽设在外延AlN单晶薄膜层上，并将外延AlN单晶薄膜层分隔成若干区域，使得AlN薄膜层覆盖部分衬底；所述外延AlN薄膜层上以及沟槽中设有应力补偿层。所述低应力状态单晶AlN薄膜用于声波器件。本发明通过沟槽将单晶AlN薄膜分割成若干独立的区域和引入补偿层，提高了相关声波器件的品质因数和有效机电耦合系数；并且本发明的单晶AlN薄膜中，补偿层起到了温度系数调节作用，使最终器件的功率容量、稳定特性和可靠性都得到了提高。
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