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公开(公告)号：CN108336197B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201810278576.2
申请日：2018-03-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种两步法制备Ag反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法，包括在Si衬底上制备LED外延层，在LED外延层制备Ni/Ag‑contact/Ag‑bulk/X反射镜、保护层、键合层、p电极图案等；再将外延层转移至Si(100)衬底上，剥离旧的生长衬底；接着制备MESA沟道和PA层、n电极图案、n电极，形成垂直结构LED芯片。本发明通过低频射频溅射和直流溅射引入Ag‑contact层，改善了对p‑GaN产生的损伤，对Ag‑contact退火而对Ag‑bulk层不退火，既能提高p‑GaN空穴载流子浓度，又能使Ag‑bulk层反射率不因退火而下降，提高了LED芯片的光输出功率和外量子效率。
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公开(公告)号：CN108461586A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810278577.7
申请日：2018-03-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法，在LED外延片表面采用光刻结合纳米压印、电感耦合等离子体刻蚀标准光刻、溅射等手段制备NiO阵列纳米点/Ag的反射镜。使用紫外纳米压印技术制备阵列NiO纳米点代替传统Ni层，作为Ag反射镜的欧姆接触层，降低了Ni层的吸光问题，又由于NiO是p型半导体，从而大幅降低NiO与p-GaN之间的肖特基势垒，提高了反射镜的反射效率。本发明的NiO阵列纳米点在纳米尺度拥有量子尺寸效应和三维光栅效应，能够进一步提高垂直结构LED芯片出光效率。本发明采用的双层胶工艺，大幅优化了lift-off NiO的精度，从而修饰了NiO纳米点的形貌。
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公开(公告)号：CN108389955A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810168552.1
申请日：2018-02-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种孔内无氧干法刻蚀降低3D通孔超结构LED芯片电压的方法，包括在外延衬底上制备n型掺杂GaN层，InGaN/GaN多量子阱层，p型掺杂GaN层。在LED外延片表面制备纳米Ag基反射镜、反射镜保护层、N MESA开孔、绝缘层，再开出n-pad圆孔图形；利用无氧干法刻蚀n-pad圆孔内的SiO2，填充孔内N金属电极，制备键合层金属；剥离旧的生长衬底，制备MESA切割道、钝化层PA、P电极图案、P电极金属，形成LED芯片。本发明通过控制SiO2与光刻胶的刻蚀比，解决了3D通孔超结构LED芯片的电压过高问题。将整片LED wafer的驱动电压良率大幅提升，片内电压均值可降至3.0V以下。
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公开(公告)号：CN108389952A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810168581.8
申请日：2018-02-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种无漏电MESA切割道3D通孔超结构LED芯片及其制备方法，包括在外延衬底上制备n型掺杂GaN层，InGaN/GaN多量子阱层，p型掺杂GaN层，再在LED外延片表面制备纳米Ag基反射镜，反射镜保护层、MESA开孔、绝缘层；再填充孔内的N金属电极及键合层金属；然后将LED外延层转移至Si衬底上；接着采用干湿法相结合的方法制备MESA切割道；再制备钝化层PA、P电极图案、P电极金属，形成LED芯片。本发明通过优化干、湿法刻蚀MESA切割道的厚度比值，获得切割道边缘整齐，无腐蚀液内渗，无白边，无金属侧壁攀爬及反溅且工艺稳定易控制的GaN MESA切割道，也解决了LED芯片漏电问题。
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公开(公告)号：CN108336197A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810278576.2
申请日：2018-03-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种两步法制备Ag反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法，包括在Si衬底上制备LED外延层，在LED外延层制备Ni/Ag-contact/Ag-bulk/X反射镜、保护层、键合层、p电极图案等；再将外延层转移至Si(100)衬底上，剥离旧的生长衬底；接着制备MESA沟道和PA层、n电极图案、n电极，形成垂直结构LED芯片。本发明通过低频射频溅射和直流溅射引入Ag-contact层，改善了对p-GaN产生的损伤，对Ag-contact退火而对Ag-bulk层不退火，既能提高p-GaN空穴载流子浓度，又能使Ag-bulk层反射率不因退火而下降，提高了LED芯片的光输出功率和外量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106972090A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710245790.3
申请日：2017-04-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种弧线形N电极，包括插指和焊盘；所述焊盘为长方形；所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成；所述边缘多边形插指同时为左右对称、上下对称结构；所述中心区域插指由垂直插指和一根弧线形插指组成；所述中心区域插指和焊盘相连组成弧线形插指，所述弧线形插指位于边缘多边形插指内部，所述边缘多边形插指与焊盘顶部长边相连，与垂直插指或弧线形插指底部相连。本发明的弧线形N电极，很大程度上改善了传统米字型、十字型N电极电流分布不均，吸光严重的问题。本发明还公开了一种垂直结构LED芯片，包括所述的弧线形N电极，克服了横向结构LED芯片的电流拥挤的缺点，极大的改善了电流在芯片内传输的均匀性。
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公开(公告)号：CN104752586A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510141007.X
申请日：2015-03-27
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/005 , H01L33/486 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种LED图形优化封装基板，所述封装基板上设有倒圆锥凹槽图案，所述倒圆锥凹槽的底面半径为0.3～1mm，倒圆锥凹槽倾角为45°～75°，相邻倒圆锥凹槽的中心间距为0.5～1mm；所述封装基板的水平表面及倒圆锥凹槽的表面镀有银层。本发明还公开上包含上述图形优化封装基板的LED封装体及其制备方法。本发明相比现有技术，为全反射光线提供直接出射的机会，使出光效率提高了13.5％左右。
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公开(公告)号：CN103346193A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310271252.3
申请日：2013-06-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/073 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法。该CdTe纳米晶异质结太阳电池，由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极依次层叠构成。阴极界面层指ZnO或TiO2薄膜；光活性层由一层或多层CdTe纳米晶层组成；阴极指氧化铟锡导电膜、掺杂二氧化锡、金属膜和金属氧化物薄膜中的至少一种；窗口层为CdS薄膜；阳极为Ag或者Al；光活性层和阳极之间有一层MoO3氧化膜。本发明的CdTe纳米晶异质结太阳电池采用溶液加工技术，实现太阳电池的超薄化，且性能优异，能量转换效率高达3.73%。
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公开(公告)号：CN107808029A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710841855.0
申请日：2017-09-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明属于LED的技术领域，公开了一种高效垂直结构LED芯片n电极图案的分析方法。所述方法为：(1)采用Tracepro软件依次构建垂直结构LED芯片模型衬底、p电极层、外延层，绘制n电极图案，构建接触靶面，设置材料参数和光源，分析LED芯片模型的出光效率，收集记录数据，优化图案参数；(2)按照上述步骤构建多个不同电极图案的垂直结构LED芯片模型，对比分析各模型的光线数据，得到外量子效率最优的电极图案；(3)在垂直结构LED芯片表面形成n电极图案；(4)性能测试，与模拟的结果对比，得出结论。本发明的方法高效，在较短时间内就能得出性能优异的LED芯片对应的n电极图案，节约了时间、降低了成本。
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公开(公告)号：CN107507892A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710743693.7
申请日：2017-08-25
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/46
Abstract: 本发明属于LED的技术领域，公开了一种高发光效率的垂直结构LED芯片及其制备方法。所述高发光效率的垂直结构LED芯片自下而上依次包括导电衬底、金属键合层、金属反射层、p型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和n型GaN层，所述n型GaN层上设有n电极，未被n电极覆盖的n型GaN层上设有ZnO纳米柱层。本发明在垂直结构LED芯片表面制备的ZnO纳米柱，可提高垂直结构LED芯片光提取效率。
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