公开(公告)号：CN107808029A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710841855.0

申请日：2017-09-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  张云鹏 ,  张子辰 ,  蔡鸿 ,  张啸尘 ,  黄裕贤

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036

Abstract: 本发明属于LED的技术领域，公开了一种高效垂直结构LED芯片n电极图案的分析方法。所述方法为：(1)采用Tracepro软件依次构建垂直结构LED芯片模型衬底、p电极层、外延层，绘制n电极图案，构建接触靶面，设置材料参数和光源，分析LED芯片模型的出光效率，收集记录数据，优化图案参数；(2)按照上述步骤构建多个不同电极图案的垂直结构LED芯片模型，对比分析各模型的光线数据，得到外量子效率最优的电极图案；(3)在垂直结构LED芯片表面形成n电极图案；(4)性能测试，与模拟的结果对比，得出结论。本发明的方法高效，在较短时间内就能得出性能优异的LED芯片对应的n电极图案，节约了时间、降低了成本。