公开(公告)号：CN104023904A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280064828.2

申请日：2012-12-25

Applicant: 千住金属工业株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 冈田咲枝 ,  兴梠素基 ,  井关博晶 ,  糸山太郎 ,  坂本善次 ,  林敬昌

IPC: B23K35/363

CPC classification number: B23K35/3612 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/362

Abstract: 本发明提供消除了在利用喷出法使用的情况下突然发生的喷嘴的堵塞、且助焊剂会因焊接时的加热发生分解而变得无残渣的焊膏。一种焊膏，其为焊料粉末与助焊剂混合而生成的焊膏，其中，助焊剂以1.0质量％以上～小于2.0质量％含有聚甲基丙烯酸烷基酯作为在常温区域内防止焊料粉末的沉降、在焊接时的加热过程中发生分解或蒸发的量的甲基丙烯酸聚合物，并且以5.0质量％以上～小于15.0质量％含有硬脂酰胺作为粘性调节剂，所述焊膏的粘度设为50～150Pa·s。焊膏中的助焊剂的含量优选为11质量％以上～小于13质量％。

公开(公告)号：CN104023904B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201280064828.2

申请日：2012-12-25

Applicant: 千住金属工业株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 冈田咲枝 ,  兴梠素基 ,  井关博晶 ,  糸山太郎 ,  坂本善次 ,  林敬昌

IPC: B23K35/363

CPC classification number: B23K35/3612 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/362

Abstract: 本发明提供消除了在利用喷出法使用的情况下突然发生的喷嘴的堵塞、且助焊剂会因焊接时的加热发生分解而变得无残渣的焊膏。一种焊膏，其为焊料粉末与助焊剂混合而生成的焊膏，其中，助焊剂以1.0质量％以上～小于2.0质量％含有聚甲基丙烯酸烷基酯作为在常温区域内防止焊料粉末的沉降、在焊接时的加热过程中发生分解或蒸发的量的甲基丙烯酸聚合物，并且以5.0质量％以上～小于15.0质量％含有硬脂酰胺作为粘性调节剂，所述焊膏的粘度设为50～150Pa·s。焊膏中的助焊剂的含量优选为11质量％以上～小于13质量％。

公开(公告)号：CN101432095B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200780015418.8

申请日：2007-04-26

Applicant: 株式会社电装 ,  千住金属工业株式会社

Inventor： 平野尚彦 ,  坂本善次 ,  奥村知巳 ,  鹤田加一 ,  上岛稔 ,  石井隆

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/14 ,  B23K35/40

CPC classification number: H05K3/3478 ,  B23K35/262 ,  B23K35/40 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/29694 ,  H01L2224/29695 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15747 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/2036 ,  H05K2203/0415 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 本发明提供泡沫焊锡和电子器件。将半导体元件和基板通过焊锡接合而成的电子器件，会由于半导体元件和基板之间的间隙不适当而导致接合强度降低。因此在制造电子器件时采用在焊锡中分散高熔点金属颗粒而成的泡沫焊锡。但是在使用现有的焊锡来制造电子器件时，存在半导体元件倾斜或接合强度不足的问题。在本发明的泡沫焊锡中，当金属粒径为50μm时，高熔点金属颗粒的尺寸偏差在20μm以下，并且在高熔点金属颗粒的周围形成有高熔点金属颗粒与焊锡的主要成分构成的合金层。并且焊锡中完全没有空隙。另外，本发明的电子器件通过上述泡沫焊锡将半导体元件和基板接合而成，热循环性优良。

公开(公告)号：CN103153527B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180048365.6

申请日：2011-08-03

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 坂本善次 ,  山田博之 ,  山中芳惠 ,  大西司 ,  吉川俊策 ,  田所健三

IPC: B23K35/14 ,  B22F3/26 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  B23K35/40 ,  C22C9/02 ,  C22C13/00 ,  H01L21/52 ,  H05K3/34 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K35/262 ,  B22F2998/00 ,  B23K35/025 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  C22C1/08 ,  C22C9/02 ,  C22C13/00 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/07 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/203 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0116 ,  Y10T428/12479 ,  H01L2924/00014 ,  C22C1/0483 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其将接合材料用于半导体装置的内部接合用，从而在基板安装时内部接合部不熔融，所述接合材料是由Sn或Sn系焊料合金填充到具有网眼结构的多孔金属体的空孔部分且覆盖其表面而得到的。

公开(公告)号：CN103153527A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048365.6

申请日：2011-08-03

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 坂本善次 ,  山田博之 ,  山中芳惠 ,  大西司 ,  吉川俊策 ,  田所健三

IPC: B23K35/14 ,  B22F3/26 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  B23K35/40 ,  C22C9/02 ,  C22C13/00 ,  H01L21/52 ,  H05K3/34 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K35/262 ,  B22F2998/00 ,  B23K35/025 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  C22C1/08 ,  C22C9/02 ,  C22C13/00 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/07 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/203 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0116 ,  Y10T428/12479 ,  H01L2924/00014 ,  C22C1/0483 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其将接合材料用于半导体装置的内部接合用，从而在基板安装时内部接合部不熔融，所述接合材料是由Sn或Sn系焊料合金填充到具有网眼结构的多孔金属体的空孔部分且覆盖其表面而得到的。

公开(公告)号：CN100353541C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200410061649.0

申请日：2004-06-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 平野尚彦 ,  加藤信之 ,  手岛孝纪 ,  坂本善次 ,  三浦昭二 ,  新美彰浩

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/33 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种塑模型半导体器件，包括：含有半导体部件的半导体芯片(1)；金属层(13，13a-13c)；焊料层(14)；和通过金属层(13，13a-13c)和焊料层(14)与半导体芯片(1)连接的金属构件(24)。焊料层(14)由屈服应力比金属层(13，13a-13c)屈服应力小的焊料构成。即使当用树脂塑模(20)密封半导体芯片(1)时，也能防止金属层(13，13a-13c)破裂。

公开(公告)号：CN100343987C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200410087755.6

申请日：2004-10-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 中濑好美 ,  坂本善次

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/42 ,  H01L23/36 ,  H01L23/492 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/292 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体芯片(10)；第一金属板(20)，通过第一焊料层(51)布置在芯片(10)的一侧上；第二金属板(40)，通过第二焊料层(52)布置在芯片(10)的另一侧上；第三金属板(30)，通过第三焊料层(53)布置在第二金属板(40)上；支撑装置(80、85、87)，用于保持芯片(10)与第一金属板(20)之间距离和芯片(10)与第二金属板(40)之间距离中的至少一个；以及多余焊料容纳装置(90)，用于在第三焊料层(53)包括多余焊料时容纳多余焊料，其中多余焊料容纳装置(90)为凹槽(90)，所述凹槽(90)被布置在和第二金属板(40)的外部周围对应的一部分第三金属板(30)上。

公开(公告)号：CN119673928A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411878701.5

申请日：2022-04-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 木村良 ,  小岛悠嗣 ,  佐藤敬 ,  坂本善次 ,  奥村知巳

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L23/498

Abstract: 半导体装置具备：半导体元件，具有半导体基板、设在半导体基板的一面的第1主电极、以及设在与一面在板厚方向上相反的背面的第2主电极；第1布线部件，与第1主电极电连接；第2布线部件，在板厚方向上在与第1布线部件之间夹着半导体元件而配置，并与第2主电极连接；以及接合材料，将第2主电极与第2布线部件接合；接合材料是具备烧结层和脆弱层的多层构造，烧结层的杨氏模量及/或屈服应力大于第2主电极，脆弱层在板厚方向上与烧结层相邻，脆弱层的杨氏模量及/或屈服应力小于第2主电极；脆弱层是与烧结层相同种类的粒子的烧结体，且粒子的间隔大于烧结层；接合材料是在板厚方向的两端具有烧结层且在烧结层之间具有脆弱层的三层构造。

公开(公告)号：CN1612331A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410087755.6

申请日：2004-10-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 中濑好美 ,  坂本善次

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/42 ,  H01L23/36 ,  H01L23/492 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/292 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体芯片(10)；第一金属板(20)，通过第一焊料层(51)布置在芯片(10)的一侧上；第二金属板(40)，通过第二焊料层(52)布置在芯片(10)的另一侧上；第三金属板(30)，通过第三焊料层(53)布置在第二金属板(40)上；支撑装置(80、85、87)，用于保持芯片(10)与第一金属板(20)之间距离和芯片(10)与第二金属板(40)之间距离中的至少一个；以及多余焊料容纳装置(90)，用于在第三焊料层(53)包括多余焊料时容纳多余焊料。

公开(公告)号：CN117355936A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280037252.4

申请日：2022-04-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 木村良 ,  小岛悠嗣 ,  佐藤敬 ,  坂本善次 ,  奥村知巳

IPC: H01L23/36

Abstract: 半导体装置具备在两面具有主电极(40D、40S)的半导体元件(40)、电连接着主电极(40D)的基板(50)、将主电极与基板接合的烧结部件(100A)、以及封固体。基板的表面金属体(52)具有通过激光的照射而形成的凹凸氧化膜。凹凸氧化膜包括厚膜部(520X)以及与厚膜部相比膜厚较薄且凸部的高度较低的薄膜部(520Y)。表面金属体具有与第1主电极接合的安装部(529a)、设置厚膜部且在平面观察中将半导体元件包围的外周部(529b)、以及设置薄膜部且在安装部与外周部之间将安装部包围的中间部(529c)。烧结部件在平面观察中以与安装部及中间部重叠的方式配置，与薄膜部接触。