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公开(公告)号：CN110927960B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201911243735.6
申请日：2019-12-06
Applicant: 北京理工大学 , 无锡微奥科技有限公司
IPC: G02B26/06
Abstract: 本发明公开了一种热驱动可变形微镜，属于自适应光学系统技术领域。该微镜由镜片、电极、支梁和硅结构框架组成，支梁将镜片悬空支承在硅结构框架的中央，镜片由上至下分为三层，依次为金属反射层、二氧化硅层和硅层，支梁与镜片的硅层为同种材质整体成型，硅结构框架与支梁之间由二氧化硅层绝缘，电极设置在硅结构框架的表面与支梁相连，对电极通电后，支梁和镜片形成电流回路并发热，利用金属和硅的热膨胀系数不同使得镜片产生变形。本发明通过通电控制金属和硅两种不同材料的加热温度，达到镜面变形的目的。
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公开(公告)号：CN103922268B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410145287.7
申请日：2014-04-11
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种阶梯梁式高Q值抗过载MEMS悬浮电感。电感由阶梯梁式悬浮螺旋线圈、电连接立柱和引线组成，通过采用阶梯式线圈导线改善了MEMS悬浮电感的抗过载性能。制作工艺为：清洗基片；基片背面溅射Cr，涂光刻胶，图形化后刻蚀制作对准标记；基片正面溅射Cr/Cu种子层；基片正面涂光刻胶，图形化后电铸引线；基片正面涂光刻胶，图形化后电铸立柱；基片正面涂光刻胶，图形化后电铸第一层线圈；基片正面涂光刻胶，图形化后电铸第二层线圈；基片正面涂光刻胶，图形化后电铸第三层线圈；去除光刻胶和种子层。本发明提出的MEMS悬浮电感具有优异的射频性能和较强的抗过载能力，制作工艺简洁，成品率高。
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公开(公告)号：CN103928439A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410144282.2
申请日：2014-04-11
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种抗过载非硅MEMS厚金属悬空微电感。MEMS悬空微电感的悬空高度为20μm，悬空金属螺旋线圈金属层厚度为20μm，在悬空金属螺旋线圈和基片之间增加了支撑柱来改善线圈的抗过载能力，支撑柱布置于线圈对角线位置。制作工艺为：清洗处理基片；基片正面涂胶、背面溅射Cr，涂胶、曝光、显影、腐蚀，制作套刻对准标记；去胶、溅射、涂胶、曝光、显影、电铸Cu；溅射、涂胶、光刻、显影、电铸Cu；去除光刻胶和种子层。本发明提出的MEMS悬空微电感具有优异的射频性能和较强的抗过载能力，工艺过程中不需要进行抛光，工艺流程简洁，成品率高。
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公开(公告)号：CN108046209B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201711113162.6
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种以SU‑8胶为回流焊阻焊层的MEMS元件低温封装方法，属于微制造加工领域。方法为：(1)准备玻璃晶圆片；(2)在玻璃晶圆片上溅射Cr/Cu种子层；(3)涂覆AZP4620光刻胶并进行曝光；(4)电镀Cu生成焊接圆盘；(5)去除光刻胶及种子层；(6)在玻璃晶圆片上固定丝状或带状敏感元件；(7)涂覆SU‑8胶、光刻后作为回流焊阻焊层；(8)在SU‑8阻焊层处填充低温锡膏(例如锡铋合金锡膏)；(9)放入回流焊炉，进行回流焊加工，完成丝状、带状MEMS元件的封装。本发明克服了丝状、带状MEMS敏感元件焊接过程中焊接区域难以控制的缺点，通过回流焊工艺实现了丝状、带状元件的封装和小型化。该工艺方法使得传感器具有体积小、集成度高和一致性好等优点。
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公开(公告)号：CN109814251A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910107595.3
申请日：2019-01-18
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电容位置检测反馈控制的MEMS微镜，属于微机电控制技术领域。该微镜包括玻璃基板、硅结构框架、驱动梁、微镜片和四块电容片；四块电容片呈矩形布置在玻璃基板的表面，微镜片通过对驱动梁加电压受热变形实现偏转；通过建立驱动电压与微镜片的偏转角度关系作为对控制器的信号输入，利用电容片上的电容值与微镜片实际扭转角之间的关系作为反馈值对控制器进行信号反馈，形成对控制器中微镜片扭转角的闭环控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110334377A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910362888.6
申请日：2019-04-30
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种MEMS硅衬底悬浮电感电感值计算方法，该方法的计算步骤如下：首先将悬浮电感线圈分段得到多段直导线，然后将每段直导线看作一系列电偶极子串联，列出每个电偶极子产生的磁感应强度的表达式；其次对单个电偶极子产生的磁感应强度沿导线长度进行积分后得到各段导线产生的磁感应强度，对各段导线产生的磁感应强度进行叠加，得到电感线圈包围面积内各处的磁感应强度；再积分计算电感线圈包围面积内的磁链，得到电感线圈的外电感值；最后根据矩形截面导线的内电感值公式计算电感线圈的内电感值，将内外电感值相加得到悬浮电感线圈的电感值。本发明能够计算多种不同结构尺寸、不同悬浮高度电感的电感值。
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公开(公告)号：CN107741576A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710825386.3
申请日：2017-09-14
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01R33/06
CPC classification number: G01R33/063
Abstract: 本发明涉及一种微型非晶丝GMI磁传感器及其加工方法，属于磁传感器领域。采用MEMS技术将非晶丝与微结构线圈集成，加工步骤为：(1)在Si衬底上溅射一层Cr/Cu种子层；(2)涂胶、曝光、显影，电镀铜形成底层导线；(3)去胶；(4)将非晶丝固定到Cr/Cu种子层上；(5)在非晶丝两端电镀Cu；(6)涂胶、曝光、显影，电镀铜形成微电感柱子；(7)涂胶、曝光、显影，电镀铜形成顶层导线；(11)去上层光刻胶，刻蚀种子层。(12)去下层光刻胶，刻蚀种子层。本发明克服了传统工艺制造的非晶丝GMI磁传感器体积大、阻抗一致性差的缺点，实现了以非晶丝为敏感元件的GMI磁传感器的微型化。
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公开(公告)号：CN103487160A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310451756.3
申请日：2013-09-27
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01K7/18
Abstract: 本发明公开了一种Pt电阻温度传感器的制造方法，包括以下步骤：1）在陶瓷衬底上涂覆SU-8光刻胶，光刻出微结构图形；2）在光刻完成的陶瓷基片上用磁控溅射的方法沉积Pt金属；3）将上述得到的陶瓷基片在O2气氛中烧蚀或者放入盐浴中去除SU-8胶；4）结束，最后得到沉积在陶瓷衬底上的Pt金属微结构图形。该发明利用了SU-8负性光刻胶耐热性好的特点，用剥离工艺制造Pt电阻温度传感器，工艺简单易行，大大降低了成本。
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公开(公告)号：CN106629583A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710047258.0
申请日：2017-01-22
Applicant: 北京理工大学
CPC classification number: B81C3/001 , B81C1/00801
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统(MEMS)器件结构设计领域，特别涉及一种体硅SOG工艺。体硅SOG工艺包括如下步骤：在单晶硅的上表面涂覆一层光刻胶；利用光刻胶做掩膜，刻蚀出台阶；在单晶硅的上表面制作一层Al材料层；去光刻胶；将单晶硅翻转，与玻璃阳极表面进行对位和键合；将单晶硅进行减薄处理；在单晶硅的原下表面溅射Al材料层，并光刻、腐蚀出Al电极；在单晶硅的具有Al电极的表面依次进行涂光刻胶、光刻、刻蚀以及结构释放处理；去除光刻胶及单晶硅的原上表面附着的Al材料层，得到MEMS器件结构。本发明的体硅SOG工艺中，通过在单晶硅下表面溅射一层Al金属层的方法，能够避免footing效应的发生，从而避免对MEMS器件造成损伤，提高了整个体硅SOG加工工艺的可靠性。
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公开(公告)号：CN103545589A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310485962.6
申请日：2013-10-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种正负胶工艺结合的微带线的制造方法，包括以下步骤：1）在玻璃片或者硅片上旋涂一层正胶作为器件释放的牺牲层；2）在正胶上用磁控溅射工艺沉积一层Cu金属作为电镀的种子层；3）在上述的Cu种子层上涂正胶，并光刻；4）电镀Ni作为微带线接地层；5）溅射Cu金属层；6）在上述得到的Cu层上面涂覆SU-8胶并光刻；7）溅射Cr/Cu电镀种子层；8）在SU-8介质层上涂胶、光刻；9）电镀微带线；10）用溶剂将正胶溶解，使以SU-8胶作为介质层的微带线器件从玻璃或硅片上释放下来。
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