公开(公告)号：CN103928439A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410144282.2

申请日：2014-04-11

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 李建华 ,  徐立新 ,  付博 ,  卢冲赢 ,  韩琦 ,  郭旭红 ,  陈和峰 ,  包艳萍 ,  李慧娟 ,  武浩 ,  贾瑾 ,  李月

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种抗过载非硅MEMS厚金属悬空微电感。MEMS悬空微电感的悬空高度为20μm，悬空金属螺旋线圈金属层厚度为20μm，在悬空金属螺旋线圈和基片之间增加了支撑柱来改善线圈的抗过载能力，支撑柱布置于线圈对角线位置。制作工艺为：清洗处理基片；基片正面涂胶、背面溅射Cr，涂胶、曝光、显影、腐蚀，制作套刻对准标记；去胶、溅射、涂胶、曝光、显影、电铸Cu；溅射、涂胶、光刻、显影、电铸Cu；去除光刻胶和种子层。本发明提出的MEMS悬空微电感具有优异的射频性能和较强的抗过载能力，工艺过程中不需要进行抛光，工艺流程简洁，成品率高。

公开(公告)号：CN103545589A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310485962.6

申请日：2013-10-16

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 李建华 ,  徐立新 ,  陈和峰 ,  卢冲赢

IPC: H01P11/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种正负胶工艺结合的微带线的制造方法，包括以下步骤：1）在玻璃片或者硅片上旋涂一层正胶作为器件释放的牺牲层；2）在正胶上用磁控溅射工艺沉积一层Cu金属作为电镀的种子层；3）在上述的Cu种子层上涂正胶，并光刻；4）电镀Ni作为微带线接地层；5）溅射Cu金属层；6）在上述得到的Cu层上面涂覆SU-8胶并光刻；7）溅射Cr/Cu电镀种子层；8）在SU-8介质层上涂胶、光刻；9）电镀微带线；10）用溶剂将正胶溶解，使以SU-8胶作为介质层的微带线器件从玻璃或硅片上释放下来。