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公开(公告)号：CN108046209B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201711113162.6
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种以SU‑8胶为回流焊阻焊层的MEMS元件低温封装方法，属于微制造加工领域。方法为：(1)准备玻璃晶圆片；(2)在玻璃晶圆片上溅射Cr/Cu种子层；(3)涂覆AZP4620光刻胶并进行曝光；(4)电镀Cu生成焊接圆盘；(5)去除光刻胶及种子层；(6)在玻璃晶圆片上固定丝状或带状敏感元件；(7)涂覆SU‑8胶、光刻后作为回流焊阻焊层；(8)在SU‑8阻焊层处填充低温锡膏(例如锡铋合金锡膏)；(9)放入回流焊炉，进行回流焊加工，完成丝状、带状MEMS元件的封装。本发明克服了丝状、带状MEMS敏感元件焊接过程中焊接区域难以控制的缺点，通过回流焊工艺实现了丝状、带状元件的封装和小型化。该工艺方法使得传感器具有体积小、集成度高和一致性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106908780A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710155640.3
申请日：2017-03-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于OFDM的无线电近感探测方法及探测智能化方法，尤其涉及应用于无线电近感探测器目标距离估计的方法，属于无线电近感探测领域。本发明的一种基于OFDM的无线电近感探测方法，能够实现无线电近感探测器的目标距离估计，具有下述优点：(1)不需要附加额外的硬件实现探测子系统和通信子系统一体化，有效减小无线电近感探测器的尺寸、重量和功耗；(2)距离估算过程与具体发射数据无关，发射数据具有随机性因此不易被干扰机识别，提高无线电近感探测器的抗干扰性能。本发明还公开一种基于OFDM的无线电近感探测智能化方法，基于OFDM的无线电近感探测方法实现无线电近感探测器目标距离估计的基础上，还能够提高无线电近感探测器的智能化水平。
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公开(公告)号：CN107741576A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710825386.3
申请日：2017-09-14
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01R33/06
CPC classification number: G01R33/063
Abstract: 本发明涉及一种微型非晶丝GMI磁传感器及其加工方法，属于磁传感器领域。采用MEMS技术将非晶丝与微结构线圈集成，加工步骤为：(1)在Si衬底上溅射一层Cr/Cu种子层；(2)涂胶、曝光、显影，电镀铜形成底层导线；(3)去胶；(4)将非晶丝固定到Cr/Cu种子层上；(5)在非晶丝两端电镀Cu；(6)涂胶、曝光、显影，电镀铜形成微电感柱子；(7)涂胶、曝光、显影，电镀铜形成顶层导线；(11)去上层光刻胶，刻蚀种子层。(12)去下层光刻胶，刻蚀种子层。本发明克服了传统工艺制造的非晶丝GMI磁传感器体积大、阻抗一致性差的缺点，实现了以非晶丝为敏感元件的GMI磁传感器的微型化。
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公开(公告)号：CN108046209A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711113162.6
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种以SU‑8胶为回流焊阻焊层的MEMS元件低温封装方法，属于微制造加工领域。方法为：(1)准备玻璃晶圆片；(2)在玻璃晶圆片上溅射Cr/Cu种子层；(3)涂覆AZP4620光刻胶并进行曝光；(4)电镀Cu生成焊接圆盘；(5)去除光刻胶及种子层；(6)在玻璃晶圆片上固定丝状或带状敏感元件；(7)涂覆SU‑8胶、光刻后作为回流焊阻焊层；(8)在SU‑8阻焊层处填充低温锡膏(例如锡铋合金锡膏)；(9)放入回流焊炉，进行回流焊加工，完成丝状、带状MEMS元件的封装。本发明克服了丝状、带状MEMS敏感元件焊接过程中焊接区域难以控制的缺点，通过回流焊工艺实现了丝状、带状元件的封装和小型化。该工艺方法使得传感器具有体积小、集成度高和一致性好等优点。
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公开(公告)号：CN106908780B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710155640.3
申请日：2017-03-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于OFDM的无线电近感探测方法及探测智能化方法，尤其涉及应用于无线电近感探测器目标距离估计的方法，属于无线电近感探测领域。本发明的一种基于OFDM的无线电近感探测方法，能够实现无线电近感探测器的目标距离估计，具有下述优点：(1)不需要附加额外的硬件实现探测子系统和通信子系统一体化，有效减小无线电近感探测器的尺寸、重量和功耗；(2)距离估算过程与具体发射数据无关，发射数据具有随机性因此不易被干扰机识别，提高无线电近感探测器的抗干扰性能。本发明还公开一种基于OFDM的无线电近感探测智能化方法，基于OFDM的无线电近感探测方法实现无线电近感探测器目标距离估计的基础上，还能够提高无线电近感探测器的智能化水平。
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公开(公告)号：CN106629583A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710047258.0
申请日：2017-01-22
Applicant: 北京理工大学
CPC classification number: B81C3/001 , B81C1/00801
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统(MEMS)器件结构设计领域，特别涉及一种体硅SOG工艺。体硅SOG工艺包括如下步骤：在单晶硅的上表面涂覆一层光刻胶；利用光刻胶做掩膜，刻蚀出台阶；在单晶硅的上表面制作一层Al材料层；去光刻胶；将单晶硅翻转，与玻璃阳极表面进行对位和键合；将单晶硅进行减薄处理；在单晶硅的原下表面溅射Al材料层，并光刻、腐蚀出Al电极；在单晶硅的具有Al电极的表面依次进行涂光刻胶、光刻、刻蚀以及结构释放处理；去除光刻胶及单晶硅的原上表面附着的Al材料层，得到MEMS器件结构。本发明的体硅SOG工艺中，通过在单晶硅下表面溅射一层Al金属层的方法，能够避免footing效应的发生，从而避免对MEMS器件造成损伤，提高了整个体硅SOG加工工艺的可靠性。
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