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公开(公告)号:CN103922268B
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201410145287.7
申请日:2014-04-11
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种阶梯梁式高Q值抗过载MEMS悬浮电感。电感由阶梯梁式悬浮螺旋线圈、电连接立柱和引线组成,通过采用阶梯式线圈导线改善了MEMS悬浮电感的抗过载性能。制作工艺为:清洗基片;基片背面溅射Cr,涂光刻胶,图形化后刻蚀制作对准标记;基片正面溅射Cr/Cu种子层;基片正面涂光刻胶,图形化后电铸引线;基片正面涂光刻胶,图形化后电铸立柱;基片正面涂光刻胶,图形化后电铸第一层线圈;基片正面涂光刻胶,图形化后电铸第二层线圈;基片正面涂光刻胶,图形化后电铸第三层线圈;去除光刻胶和种子层。本发明提出的MEMS悬浮电感具有优异的射频性能和较强的抗过载能力,制作工艺简洁,成品率高。
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公开(公告)号:CN103928439A
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201410144282.2
申请日:2014-04-11
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种抗过载非硅MEMS厚金属悬空微电感。MEMS悬空微电感的悬空高度为20μm,悬空金属螺旋线圈金属层厚度为20μm,在悬空金属螺旋线圈和基片之间增加了支撑柱来改善线圈的抗过载能力,支撑柱布置于线圈对角线位置。制作工艺为:清洗处理基片;基片正面涂胶、背面溅射Cr,涂胶、曝光、显影、腐蚀,制作套刻对准标记;去胶、溅射、涂胶、曝光、显影、电铸Cu;溅射、涂胶、光刻、显影、电铸Cu;去除光刻胶和种子层。本发明提出的MEMS悬空微电感具有优异的射频性能和较强的抗过载能力,工艺过程中不需要进行抛光,工艺流程简洁,成品率高。
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公开(公告)号:CN103922268A
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201410145287.7
申请日:2014-04-11
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种阶梯梁式高Q值抗过载MEMS悬浮电感。电感由阶梯梁式悬浮螺旋线圈、电连接立柱和引线组成,通过采用阶梯式线圈导线改善了MEMS悬浮电感的抗过载性能。制作工艺为:清洗基片;基片背面溅射Cr,涂光刻胶,图形化后刻蚀制作对准标记;基片正面溅射Cr/Cu种子层;基片正面涂光刻胶,图形化后电铸引线;基片正面涂光刻胶,图形化后电铸立柱;基片正面涂光刻胶,图形化后电铸第一层线圈;基片正面涂光刻胶,图形化后电铸第二层线圈;基片正面涂光刻胶,图形化后电铸第三层线圈;去除光刻胶和种子层。本发明提出的MEMS悬浮电感具有优异的射频性能和较强的抗过载能力,制作工艺简洁,成品率高。
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