公开(公告)号：CN103928439A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410144282.2

申请日：2014-04-11

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 李建华 ,  徐立新 ,  付博 ,  卢冲赢 ,  韩琦 ,  郭旭红 ,  陈和峰 ,  包艳萍 ,  李慧娟 ,  武浩 ,  贾瑾 ,  李月

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种抗过载非硅MEMS厚金属悬空微电感。MEMS悬空微电感的悬空高度为20μm，悬空金属螺旋线圈金属层厚度为20μm，在悬空金属螺旋线圈和基片之间增加了支撑柱来改善线圈的抗过载能力，支撑柱布置于线圈对角线位置。制作工艺为：清洗处理基片；基片正面涂胶、背面溅射Cr，涂胶、曝光、显影、腐蚀，制作套刻对准标记；去胶、溅射、涂胶、曝光、显影、电铸Cu；溅射、涂胶、光刻、显影、电铸Cu；去除光刻胶和种子层。本发明提出的MEMS悬空微电感具有优异的射频性能和较强的抗过载能力，工艺过程中不需要进行抛光，工艺流程简洁，成品率高。