公开(公告)号：CN111192619A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201911360816.4

申请日：2019-12-25

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 周涛 ,  张晓晨 ,  李建成 ,  陆时进 ,  马浩 ,  査启超 ,  谢俊玲

IPC: G11C17/18

Abstract: 一种基于栅氧击穿型反熔丝存储阵列的编程系统及方法，通过包括编程控制模块、数据存储模块、反熔丝单元编程模块、数据判断模块的编程系统，采用对原始数据进行写入并对编程后数据进行判断的方法，检验首次编程成功率并对失败部分进行标记，对标记后数据单独进行重复编程以保证编程电压、电流更加集中于未编程成功单元，可大幅提高编程成功率，并进一步减少击穿电路的离散性，提高数据读出可靠性。

公开(公告)号：CN104576640B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410815637.6

申请日：2014-12-23

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 宗宇 ,  査启超 ,  赵元富 ,  姚全斌 ,  冯奕翔 ,  宋晶峰

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提供一种IO Pad的ESD静电防护结构，包括衬底、两个P型晶体管、四个N型晶体管、隔离电阻、两个PAD通道以及N型阱区。本发明采用非ESD Device器件构成防护器件；采用手指状结构并联MOS管单元构成MOS管并联组，多MOS管并联组并行布局，构成大尺寸静电防护MOS器件；版图布局采用双Pad通道，与ESD防护N型MOS器件区域、P型MOS器件相间隔分布。本发明的IO Pad的ESD静电防护结构，与工艺厂商提供IO Pad的静电防护结构相比，能减少工艺流程，兼容其他工艺设计，达到等同静电防护性能同时，静电防护器件面积更小，成本更低，且便于为提升防静电能力对静电防护器件进行改进。

公开(公告)号：CN104576640A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410815637.6

申请日：2014-12-23

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 宗宇 ,  査启超 ,  赵元富 ,  姚全斌 ,  冯奕翔 ,  宋晶峰

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提供一种IO Pad的ESD静电防护结构，包括衬底、两个P型晶体管、四个N型晶体管、隔离电阻、两个PAD通道以及N型阱区。本发明采用非ESD Device器件构成防护器件；采用手指状结构并联MOS管单元构成MOS管并联组，多MOS管并联组并行布局，构成大尺寸静电防护MOS器件；版图布局采用双Pad通道，与ESD防护N型MOS器件区域、P型MOS器件相间隔分布。本发明的IO Pad的ESD静电防护结构，与工艺厂商提供IO Pad的静电防护结构相比，能减少工艺流程，兼容其他工艺设计，达到等同静电防护性能同时，静电防护器件面积更小，成本更低，且便于为提升防静电能力对静电防护器件进行改进。