公开(公告)号：CN114187935B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202111406637.7

申请日：2021-11-24

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 黄哲 ,  陈雷 ,  查启超 ,  李建成 ,  周涛 ,  李鑫 ,  郭宣辰 ,  李程

IPC: G11C7/06 ,  G11C7/10

Abstract: 本发明公开了一种FLASH存储器灵敏放大电路，包含主灵敏放大电路、预充电电路、锁存电路和存储单元。本发明通过对灵敏放大器的锁存结构进行优化，提高了灵敏放大电路在读取锁存时的电压稳定性，在不影响读取速度和功耗的前提下降低了对前一级输出电压差的要求，从而提高了FLASH存储电路的读写准确性。

公开(公告)号：CN116312709A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310159799.8

申请日：2023-02-14

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 郭宣辰 ,  查启超 ,  李建成 ,  李鑫 ,  黄哲 ,  冯迪 ,  王保顺

IPC: G11C29/00

Abstract: 本发明公开了一种用于FLASH冗余修复的地址译码控制电路，包含字线地址译码控制电路和字线冗余替换修复电路。本发明通过增加对字线地址译码器实施控制的电路结构，实现屏蔽存在缺陷存储单元的标准字线，同时利用冗余字线进行替换修复，完成修复后的存储器能够正常使用，从而显著提高FLASH存储器的成品率。

公开(公告)号：CN114187935A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111406637.7

申请日：2021-11-24

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 黄哲 ,  陈雷 ,  查启超 ,  李建成 ,  周涛 ,  李鑫 ,  郭宣辰 ,  李程

IPC: G11C7/06 ,  G11C7/10

Abstract: 本发明公开了一种FLASH存储器灵敏放大电路，包含主灵敏放大电路、预充电电路、锁存电路和存储单元。本发明通过对灵敏放大器的锁存结构进行优化，提高了灵敏放大电路在读取锁存时的电压稳定性，在不影响读取速度和功耗的前提下降低了对前一级输出电压差的要求，从而提高了FLASH存储电路的读写准确性。