一种集成电路中静电放电防护结构

    公开(公告)号:CN101937917B

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:CN201010268550.3

    申请日:2010-08-31

    Abstract: 一种集成电路中静电放电防护结构,包括第一类静电放电防护器件和第二类静电放电防护器件,第一类静电放电防护器件为二极管,第二类静电放电防护器件为带齐纳二极管的分段双级晶体管,带齐纳二极管的分段双级晶体管由分段双级晶体管、发射极串联电阻、集电极串联电阻、基极电阻的和齐纳二极管组成。集成电路的静电放电防护结构对输入缓冲器、输出缓冲器、电源轨线、地轨线提供了静电放电保护,其中的静电放电防护器件在版图中使用了分段双极晶体管结构,使用虚设多晶硅栅结构在各段双极晶体管中构成了一个低触发电压的齐纳二极管和发射极、集电极的串联电阻。本发明有效的提高了集成电路的静电放电防护能力,降低了静电放电防护电路的触发电压,提高了静电放电防护器件的均匀导通性,且有效的节省了静电放电防护器件的版图面积。

    一种集成电路中静电放电防护结构

    公开(公告)号:CN101937917A

    公开(公告)日:2011-01-05

    申请号:CN201010268550.3

    申请日:2010-08-31

    Abstract: 一种集成电路中静电放电防护结构,包括第一类静电放电防护器件和第二类静电放电防护器件,第一类静电放电防护器件为二极管,第二类静电放电防护器件为带齐纳二极管的分段双级晶体管,带齐纳二极管的分段双级晶体管由分段双级晶体管、发射极串联电阻、集电极串联电阻、基极电阻的和齐纳二极管组成。集成电路的静电放电防护结构对输入缓冲器、输出缓冲器、电源轨线、地轨线提供了静电放电保护,其中的静电放电防护器件在版图中使用了分段双极晶体管结构,使用虚设多晶硅栅结构在各段双极晶体管中构成了一个低触发电压的齐纳二极管和发射极、集电极的串联电阻。本发明有效的提高了集成电路的静电放电防护能力,降低了静电放电防护电路的触发电压,提高了静电放电防护器件的均匀导通性,且有效的节省了静电放电防护器件的版图面积。

    一种FPGA配置电路架构
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102361451B

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201110262577.6

    申请日:2011-09-06

    Abstract: 一种FPGA配置电路架构,包括配置存储器、配置中心、分布式列地址译码器、帧数据寄存器、衍生寄存器、行控制电路和多路选择器。通过对传统配置电路架构的改进设计,可将配置数据的帧结构由传统的纵向一位宽物理分布改进为以矩阵形式的物理分布,并且可使用行地址、列地址和辅地址对配置存储单元矩阵寻址,完成单次独立配置。采用此电路架构的FPGA配置方法简化了配置数据的帧长度设置,降低配置指令复杂程度,节约硬件开销;采用此电路架构的FPGA配置方法还能够对FPGA中的可编程逻辑模块进行独立重新配置,而不影响其周围的可编程逻辑模块功能,这为用户的动态重构应用提供节省了宝贵的配置时间,极大提升用户动态重构应用的灵活性。

    一种FPGA配置电路架构
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102361451A

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:CN201110262577.6

    申请日:2011-09-06

    Abstract: 一种FPGA配置电路架构,包括配置存储器、配置中心、分布式列地址译码器、帧数据寄存器、衍生寄存器、行控制电路和多路选择器。通过对传统配置电路架构的改进设计,可将配置数据的帧结构由传统的纵向一位宽物理分布改进为以矩阵形式的物理分布,并且可使用行地址、列地址和辅地址对配置存储单元矩阵寻址,完成单次独立配置。采用此电路架构的FPGA配置方法简化了配置数据的帧长度设置,降低配置指令复杂程度,节约硬件开销;采用此电路架构的FPGA配置方法还能够对FPGA中的可编程逻辑模块进行独立重新配置,而不影响其周围的可编程逻辑模块功能,这为用户的动态重构应用提供节省了宝贵的配置时间,极大提升用户动态重构应用的灵活性。

    一种可耐受高电压输入的接口电路

    公开(公告)号:CN101552605A

    公开(公告)日:2009-10-07

    申请号:CN200910084448.5

    申请日:2009-05-19

    Abstract: 一种可耐受高电压输入的接口电路,I/O引脚连接外部,上拉/下拉结构给I/O引脚提供输出时的高/低电平。接收模式时阻抗控制电路关闭上拉/下拉结构,传输模式时使能上拉/下拉结构。上拉/下拉保护结构在接收模式时保护上拉/下拉结构。栅极保护电路在接收模式时为上拉保护结构提供保护电压。传输模式时N阱偏置电路为上拉结构及上拉保护结构中PMOS晶体管所处的N阱提供等于内部电源的偏置电压;接收模式时如果I/O引脚的电压高于内部电源电压则为上拉结构和上拉保护结构中的PMOS晶体管所处的N阱提供一个接近I/O引脚电压的偏置电压,反之则提供一个等于内部电源的偏置电压。阱偏置驱动电路在传输模式时为N阱偏置电路提供驱动信号。

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