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公开(公告)号：CN109639457B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201811368413.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种JESD204B协议高速发送器单粒子错误率的测试系统及方法，将高速发送器和可编程逻辑器件搭建成测试系统，可编程逻辑器件产生并行数据给高速发送器的并行端，同时配置高速发送器；高速发送器产生的串行数据发送给可编程逻辑器件并进行串并转换，然后可编程逻辑器件对低速的数据进行解析，检测高速发送器的单粒子错误率。本发明有效的提高了单粒子机时利用率，且数据链路完整，利用可编程逻辑器件将高速串行数据解串为低速的并行数据进行处理，而不是利用误码仪和高速示波器等昂贵的仪器进行监测，提升高速信号测试稳定性，并且降低了试验成本；按照不同错误类型自动分类进行统计，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN110083081A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910178186.2
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05B19/042 , G01R31/265 , G01R31/308
Abstract: 本发明涉及一种自动化单粒子辐照测试控制系统及方法，包括实验仪器程控模块、注量率监测模块、错误数统计模块、计时检测模块。本发明通过预设辐照条件阈值，实现了芯片辐照测试自动的开启和关闭，有效的提高了集成电路单粒子辐照试验的自动化程度，减小了单粒子辐照试验机时的浪费和实验人员的工作量；同时生成的数据文件包含了全部的试验数据(粒子注量率、粒子总注量、测试电流、单粒子错误数、测试波形)，提高了单粒子试验准确度，便于后续人员对试验结果的分析。
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公开(公告)号：CN109581205A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811368434.1
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/3167
Abstract: 一种高速数模转换电路单粒子瞬态效应评估方法及系统，(1)为待测高速数模电路配置码型，待测高速数模电路按照上述码型输出模拟信号；(2)采集上述模拟信号并转换成数字信号，通过上述数字信号判别测高速数模电路处于正常工作状态时，转步骤(3)；否则，从步骤(1)重新执行，直至工作状态正常；(3)对待测高速数模电路进行重离子试验，重新采集待测高速数模电路输出的模拟信号并进行模数转换，将转换得到的数字信号与步骤(1)中的码型进行比对，当二者的差值超出设定的阈值，则认为待测高速数模电路发生了单粒子瞬态效应；(4)在重离子试验期间，对待测高速数模电路的单粒子瞬态效应进行错误数统计；(5)计算待测高速数模电路在该重离子下的错误界面σT，利用σT完成电路单粒子瞬态效应的评估。
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公开(公告)号：CN114692540A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210406688.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/343
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的FLASH应用验证系统，包括PC机、FPGA应用验证板、FLASH子板。FPGA应用验证板设有两个FPGA芯片；每个FPGA芯片都与FLASH相连，可独立访问FLASH，对其进行验证操作；每个FPGA外接大容量160MbSRAM；更换FLASH子板可验证NOR_FLASH和SPI_FLASH。本发明同时公开了一种基于该系统的验证方法，该方法首先确定上电顺序，JTAG功能验证，数字逻辑验证，读写功能验证。本发明验证功能全面、通用性强，对一系列FLASH的应用验证具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109581186B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811378257.5
申请日：2018-11-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种视觉信息处理电路的单粒子效应测试方法、装置、系统及电子设备，属于器件测试技术领域。所述方法包括辐照时，控制视觉信息处理电路的各功能模块依次运行，且在控制下一功能模块运行前，先判断当前功能模块功能是否正常；若是，则将当前功能模块的实际处理结果存储到存储模块中，并控制下一功能模块运行；若否，则记录一次功能错误，并返回初始步骤重新开始运行各功能模块；当各功能模块均运行完成后，将各功能模块的实际处理结果与标准处理结果比对，确定各功能模块的单粒子翻转错误数；根据功能错误数和单粒子翻转错误数，确定视觉信息处理电路的单粒子错误截面和错误率。本发明可提供各功能模块的单粒子翻转敏感性，覆盖全面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111739574A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010507063.1
申请日：2020-06-05
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种基于随机二进制序列的静态随机存取存储器验证方法，首先计算SRAM存储器地址位宽和数据位宽等器件参数；然后产生SRAM存储器写操作地址；利用正随机二进制序列和反随机二进制序列对SRAM存储器进行验证，分析统计结果，完成SRAM存储器的功能测试。本发明使用随机二进制序列控制SRAM存储器的读写操作，模拟应用条件下的读取地址和数据，增强存储器测试验证与应用条件的契合度，同时可验证存储器在高速应用条件下的带宽能力，提高存储器功能验证的完备性。
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公开(公告)号：CN109581186A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811378257.5
申请日：2018-11-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种视觉信息处理电路的单粒子效应测试方法、装置、系统及电子设备，属于器件测试技术领域。所述方法包括辐照时，控制视觉信息处理电路的各功能模块依次运行，且在控制下一功能模块运行前，先判断当前功能模块功能是否正常；若是，则将当前功能模块的实际处理结果存储到存储模块中，并控制下一功能模块运行；若否，则记录一次功能错误，并返回初始步骤重新开始运行各功能模块；当各功能模块均运行完成后，将各功能模块的实际处理结果与标准处理结果比对，确定各功能模块的单粒子翻转错误数；根据功能错误数和单粒子翻转错误数，确定视觉信息处理电路的单粒子错误截面和错误率。本发明可提供各功能模块的单粒子翻转敏感性，覆盖全面。
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公开(公告)号：CN113128156A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110432103.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种QDR SRAM应用验证系统，包括PC机、QDRSRAM应用验证板和程控电源，该系统实现了对被测QDR SRAM电路各种功能的全面验证。本发明同时公开了一种基于该系统的验证方法，该方法首先确定上电顺序，然后进行读写功能应用验证、JTAG功能应用验证和I/O电流特性应用验证。本发明验证功能全面、通用性强，对QDR SRAM的应用验证具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110083081B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910178186.2
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05B19/042 , G01R31/265 , G01R31/308
Abstract: 本发明涉及一种自动化单粒子辐照测试控制系统及方法，包括实验仪器程控模块、注量率监测模块、错误数统计模块、计时检测模块。本发明通过预设辐照条件阈值，实现了芯片辐照测试自动的开启和关闭，有效的提高了集成电路单粒子辐照试验的自动化程度，减小了单粒子辐照试验机时的浪费和实验人员的工作量；同时生成的数据文件包含了全部的试验数据(粒子注量率、粒子总注量、测试电流、单粒子错误数、测试波形)，提高了单粒子试验准确度，便于后续人员对试验结果的分析。
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公开(公告)号：CN113128156B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110432103.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种QDR SRAM应用验证系统，包括PC机、QDRSRAM应用验证板和程控电源，该系统实现了对被测QDR SRAM电路各种功能的全面验证。本发明同时公开了一种基于该系统的验证方法，该方法首先确定上电顺序，然后进行读写功能应用验证、JTAG功能应用验证和I/O电流特性应用验证。本发明验证功能全面、通用性强，对QDR SRAM的应用验证具有重要意义。
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