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公开(公告)号：CN118624084A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410693380.5
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01L5/167
Abstract: 本申请涉及一种压电薄膜触觉传感器，包括：柔性衬底；位于柔性衬底上的第一压电薄膜结构，包括：第一上电极；第一压电薄膜；第一下电极；位于柔性衬底上的第二压电薄膜结构，包括：第二上电极；第二压电薄膜；第二下电极；其中，第一压电薄膜和第二压电薄膜的切向不同，第一压电薄膜结构和第二压电薄膜结构配置为分别检测施加在柔性触觉传感器上的法向应力和剪切应力。本申请提出的压电薄膜触觉传感器能够实现同时对法向应力和剪切应力的无串扰检测。本申请还提出了一种压电薄膜柔性触觉传感器的制备方法。
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公开(公告)号：CN118330002A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410485916.4
申请日：2024-04-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01N27/414 , C01B32/182
Abstract: 本申请涉及一种石墨烯量子点生物传感器，包括衬底；位于衬底上方的有源层，所述有源层包括半导体型碳纳米管；位于所述衬底上方的与所述有源层电连接的源漏电极；位于所述有源层上方的钝化层，其覆盖所述有源层的部分区域；通过ΠΠ堆叠的方式固定于未被所述钝化层覆盖的所述有源层中碳纳米管的石墨烯量子点；与所述石墨烯量子点连接的生物探针；以及栅电极。
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公开(公告)号：CN117279462A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311326159.8
申请日：2023-10-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及柔性三维集成电路结构的制备方法、反相器及集成电路，该方法包括：形成第一衬底；在第一衬底上形成P型晶体管；在P型晶体管上沉积N型晶体管的第二栅极介电层；在第二栅极介电层上形成N型晶体管的第二沟道区域；通过第二湿法刻蚀方式蚀刻露出P型晶体管的第一源电极和第一漏电极；以及在第二沟道区域的两侧分别形成N型晶体管的第二源电极和第二漏电极，其中第二漏电极与下方的P型晶体管的第一漏电极相连接，形成反相器的输出端。本申请的方法制备的反相器及集成电路，实现了保持反相器及集成电路的高柔韧性，实现保证反相器及集成电路稳定性能，降低时延的技术效果。
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公开(公告)号：CN116669432A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210144894.6
申请日：2022-02-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H10K10/82 , H10K10/46 , H10K71/00 , C23C16/40 , H03K19/0944
Abstract: 本申请涉及一种聚酰亚胺‑氧化物基复合介电膜，其包含在衬底上分子层沉积形成的聚酰亚胺层和原子层沉积形成的无机氧化物层。本申请还涉及该聚酰亚胺‑氧化物基复合介电膜的制备方法。该聚酰亚胺‑无机氧化物基复合介电膜具备本征柔性和优异绝缘栅介质层性能，可以广泛应用于柔性电子电路。使用该基于聚酰亚胺‑无机氧化物复合介电膜可以制备将该复合介电膜作为绝缘栅介质层的全碳纳米管晶体管和包括反相器、环形振荡器、逻辑门电路在内的多种柔性集成电路单元。以上柔性器件和电路展现出了良好的机械性能；反相器电路具备卓越的增益指标，且可以作为模拟放大器对毫伏级别的小信号进行放大；超低驱动电压、超低功耗的特性也可以被实现。
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公开(公告)号：CN112701084B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011592468.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H10K59/12 , H10K59/121 , G09F9/30
Abstract: 一种柔性薄膜晶体管阵列的结构及制造方法，其结构中包括基板和基板上形成的薄膜晶体管阵列，其中，薄膜晶体管中的有源层与所述基板垂直，还包括金属连线，所述金属连线用于将各个薄膜晶体管连接至扫描模块或数据模块中，所述金属连线是具有弯折路径的连线。由于有源层与所述基板垂直，并且布线中的金属连线是具有弯折路径的连线，当器件被弯折时，器件受到应力减小，提高了各个晶体管的稳定性，并且金属连线为具有弯折路径的连线，金属连线受力时不易折断，耐受能力强，能够进一步改善整体柔性薄膜晶体管阵列受弯曲或拉伸时应力问题，提高整个柔性薄膜晶体管阵列的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112164358B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202011037598.3
申请日：2020-09-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/00 , G09G3/3233
Abstract: 本发明提供一种反馈信号检测方法及像素外模拟域补偿显示系统，系统包括M列驱动通道；每一列驱动通道包括像素单元和检测单元；检测单元包括源驱动模块和检测模块；检测模块包括比较器。源驱动模块内设置有第一数模转换器和第二数模转换器。源驱动模块通过显示信号线连接至像素单元。比较器的第一输入端通过反馈信号线连接至像素单元，其第二输入端连接至第二数模转换器，其输出端用于将检测结果输出。本发明利用数模转换器和比较器进行搭配检测目标像素单元反馈的老化信息，可以对TFT、OLED和QLED等器件做检测，本发明还分利用了显示系统中已有的模块，不会增加芯片面积，优化了显示系统的整体设计。
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公开(公告)号：CN112216235B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202011037580.3
申请日：2020-09-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/00
Abstract: 本发明提供一种反馈信号检测方法及显示系统，系统其包括M列驱动通道；每一列驱动通道包括像素单元和检测单元；检测单元包括源驱动模块和检测模块；源驱动模块包括数模转换器，检测模块包括比较器；数模转换器通过显示信号线连接至像素单元；比较器的第一输入端通过反馈信号线连接至像素单元，用于接收像素单元的反馈信号所对应的反馈电压；其第二输入端连接至参考用数模转换器，用于接收参考用数模转换器输出的比较电压；其输出端用于将反馈电压与比较电压进行比较所得的检测结果输出。本发明的显示系统采用数字域补偿方法，利用数模转换器搭配比较器检测反馈的老化信息，可以对TFT、OLED和QLED等器件做各种检测。
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公开(公告)号：CN112599078A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011495974.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32 , G09G3/3225 , G09G3/3258
Abstract: 本发明提供一种像素单元及像素外模拟域补偿显示系统，像素单元包括驱动管、第二开关管、第三开关管、发光二极管、第一电容和第二电容；显示系统包括M列驱动通道，每一列驱动通道包括检测单元上述像素单元，检测单元包括源驱动模块和检测模块，检测模块包括比较器。本发明的像素单元不需要按照传统的电流源设计方案去控制驱动管Q1的栅源电压差从而控制驱动管Q1提供给发光二极管T1的电流，从而在传统方案的基础上实现了改进。本发明的显示系统通过重复使用已有的模块，直接检测像素单元驱动管的阈值电压以及OLED的阈值电压变化情况，优化了显示系统的整体设计。
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公开(公告)号：CN108319317B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810115508.4
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本申请涉及一种比较装置以及包括该比较装置的线性稳压装置。所述比较装置包括：比较单元，配置为接收第一输入信号和第二输入信号，对所述第一和第二输入信号进行比较，并产生比较输出信号；定时单元，包括电荷存储模块，配置为输出与所述电荷存储模块中的电荷相关联的计时信号；以及输出单元，配置为基于所述计时信号来产生第一输出信号和被提供到所述比较装置输出端的第二输出信号，其中，所述定时单元被配置为基于所述第一输出信号与所述比较输出信号来决定对所述电荷存储模块进行放电。本申请中的LDO能在保持低功耗、无外挂电容的前提下具有良好的瞬态响应。
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