公开(公告)号：CN117279462A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311326159.8

申请日：2023-10-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张敏 ,  张娇娜 ,  王婉婷 ,  朱家豪 ,  王佳良 ,  王新炜 ,  孟鸿 ,  赵长斌 ,  潘媛

IPC: H10K71/00 ,  H10K19/10 ,  H10K19/20 ,  H10K19/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请涉及柔性三维集成电路结构的制备方法、反相器及集成电路，该方法包括：形成第一衬底；在第一衬底上形成P型晶体管；在P型晶体管上沉积N型晶体管的第二栅极介电层；在第二栅极介电层上形成N型晶体管的第二沟道区域；通过第二湿法刻蚀方式蚀刻露出P型晶体管的第一源电极和第一漏电极；以及在第二沟道区域的两侧分别形成N型晶体管的第二源电极和第二漏电极，其中第二漏电极与下方的P型晶体管的第一漏电极相连接，形成反相器的输出端。本申请的方法制备的反相器及集成电路，实现了保持反相器及集成电路的高柔韧性，实现保证反相器及集成电路稳定性能，降低时延的技术效果。

公开(公告)号：CN116669432A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202210144894.6

申请日：2022-02-17

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 王新炜 ,  王佳良 ,  张敏 ,  黄秋月

IPC: H10K10/82 ,  H10K10/46 ,  H10K71/00 ,  C23C16/40 ,  H03K19/0944

Abstract: 本申请涉及一种聚酰亚胺‑氧化物基复合介电膜，其包含在衬底上分子层沉积形成的聚酰亚胺层和原子层沉积形成的无机氧化物层。本申请还涉及该聚酰亚胺‑氧化物基复合介电膜的制备方法。该聚酰亚胺‑无机氧化物基复合介电膜具备本征柔性和优异绝缘栅介质层性能，可以广泛应用于柔性电子电路。使用该基于聚酰亚胺‑无机氧化物复合介电膜可以制备将该复合介电膜作为绝缘栅介质层的全碳纳米管晶体管和包括反相器、环形振荡器、逻辑门电路在内的多种柔性集成电路单元。以上柔性器件和电路展现出了良好的机械性能；反相器电路具备卓越的增益指标，且可以作为模拟放大器对毫伏级别的小信号进行放大；超低驱动电压、超低功耗的特性也可以被实现。