公开(公告)号：CN117288353A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310983802.8

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张敏 ,  张子璇 ,  杨永胜

IPC: G01L1/14 ,  G01L9/12

Abstract: 本申请提出一种电容式压力传感器制备方法包括，制备经图形化的竖直碳纳米管阵列层作为电容式压力传感器的第一电极，其中在所述竖直碳纳米管阵列层中包括将竖直碳纳米管阵列彼此隔离开的一个或多个隔离区域；将所述经图形化的竖直碳纳米管阵列层转移到第一柔性衬底层上；在所述竖直碳纳米管阵列层远离所述第一柔性衬底的一侧上方设置第一隔离层；在所述第一隔离层上设置电介质层；在所述电介质层上设置第二隔离层；在所述第二隔离层上设置电容式压力传感器第二电极，其中所述第二电极包括设置在第二柔性衬底上的碳纳米管层。本申请还提供了一种电容式压力传感器。

公开(公告)号：CN113548638A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110619038.7

申请日：2021-06-03

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张敏 ,  张艺明 ,  黄秋月 ,  张子璇 ,  谢超

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种微凸起结构的制备方法，包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成生长层；在生长层上设置滤膜层；部分生长层在毛细作用下进入滤膜层的孔洞中以形成微凸起结构；固化生长层；以及去除滤膜层。本发明还涉及一种半导体器件的制备方法。

公开(公告)号：CN113548638B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202110619038.7

申请日：2021-06-03

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张敏 ,  张艺明 ,  黄秋月 ,  张子璇 ,  谢超

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种微凸起结构的制备方法，包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成生长层；在生长层上设置滤膜层；部分生长层在毛细作用下进入滤膜层的孔洞中以形成微凸起结构；固化生长层；以及去除滤膜层。本发明还涉及一种半导体器件的制备方法。