公开(公告)号：CN113548638A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110619038.7

申请日：2021-06-03

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张敏 ,  张艺明 ,  黄秋月 ,  张子璇 ,  谢超

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种微凸起结构的制备方法，包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成生长层；在生长层上设置滤膜层；部分生长层在毛细作用下进入滤膜层的孔洞中以形成微凸起结构；固化生长层；以及去除滤膜层。本发明还涉及一种半导体器件的制备方法。

公开(公告)号：CN113548638B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202110619038.7

申请日：2021-06-03

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张敏 ,  张艺明 ,  黄秋月 ,  张子璇 ,  谢超

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种微凸起结构的制备方法，包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成生长层；在生长层上设置滤膜层；部分生长层在毛细作用下进入滤膜层的孔洞中以形成微凸起结构；固化生长层；以及去除滤膜层。本发明还涉及一种半导体器件的制备方法。