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公开(公告)号：CN105734511B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410757732.5
申请日：2014-12-10
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种降低磁控溅射设备沉积速率的方法及磁控溅射设备。该磁控溅射设备包括靶材、磁控管和功率源，功率源为靶材提供电能，磁控管扫描靶材的表面，通过降低功率源的功率的同时，提高磁控管的功率密度的方式降低薄膜沉积速率。本发明提供的降低磁控溅射设备沉积速率的方法，可以降低薄膜的沉积速率，适于制作厚度较薄的薄膜，而且可以提高靶材的利用率。
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公开(公告)号：CN109023287B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201710430202.3
申请日：2017-06-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种沉积环(50)及使用其的卡盘组件，其在卡盘组件中与盖环和基座配合使用，包括：具有上表面(52)和下表面(53)的环形本体(51)；形成于所述上表面(52)的环形凹槽(55)；其中，所述沉积环还包括用于卡接到所述基座的卡接部(58)。通过将沉积环卡接到基座，可以降低沉积环的移位和脱落危险，增加沉积环的有效工作时间。
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公开(公告)号：CN109735814B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201910062064.7
申请日：2019-01-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种磁控溅射反应腔室的冷却组件及其磁控溅射设备，其中的组件包括：适配器；适配器被设置为遮蔽内衬的底部和侧壁，用于将内衬固定在反应腔室内；适配器的侧壁与内衬的侧壁之间具有预设的间隙，适配器的底部与内衬的底部相接触，适配器设置有冷却水道，用以对内衬的侧壁、底部进行降温。本发明的冷却组件及其磁控溅射设备，能够增加热接触面积，增加适配器与内衬侧壁的传热效率；通过对内衬侧壁和底面的降温，稳定工艺反应区域温度，避免反应区域温度升高对衬底和薄膜的影响；减少水道加工步骤和难度，减少清洗难度；无需密封圈对水路的密封，能够减少漏水的风险。
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公开(公告)号：CN110299301A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810245055.7
申请日：2018-03-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种用于多腔传输装置的开盖机构，包括切换组件、驱动组件、多组传动组件和多组开盖执行组件，每组传动组件对应连接有一组开盖执行组件；切换组件用于将驱动组件选择性地与其中一组传动组件相连；驱动组件用于驱动传动组件以带动开盖执行组件摆动。开盖机构可以节约多腔传输装置的安装空间、降低了设备成本和人力成本，大幅地提升开盖机构的工作效率。
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公开(公告)号：CN109023287A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201710430202.3
申请日：2017-06-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/50 , H01L21/683
Abstract: 本申请公开一种沉积环(50)及使用其的卡盘组件，其在卡盘组件中与盖环和基座配合使用，包括：具有上表面(52)和下表面(53)的环形本体(51)；形成于所述上表面(52)的环形凹槽(55)；其中，所述沉积环还包括用于卡接到所述基座的卡接部(58)。通过将沉积环卡接到基座，可以降低沉积环的移位和脱落危险，增加沉积环的有效工作时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105695936B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201410696531.9
申请日：2014-11-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/22 , C23C16/513 , C23C16/455 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供的预清洗腔室及等离子体加工设备，包括腔体和设置在该腔体顶部的介质窗，在预清洗腔室内设置有基座和环绕在该基座周围的工艺组件，基座、工艺组件和介质窗共同在基座上方形成工艺子腔；腔体位于基座下方的空间用作装卸子腔，预清洗腔室还包括进气装置，该进气装置包括进气口，进气口用于自工艺组件的上方直接将工艺气体输送至工艺子腔内。本发明提供的预清洗腔室，其不仅可以缩短工艺气体的进气路径，而且还可以在通入较少工艺气体的前提下达到所需的等离子体密度，从而可以降低使用成本。
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公开(公告)号：CN107437515A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201610357175.7
申请日：2016-05-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 边国栋
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种加热腔室及半导体加工设备，在加热腔室内设置有介质窗，用以将加热腔室分隔形成上子腔室和下子腔室，其中，在下子腔室内设置有承载部件，承载部件包括用于承载基片的承载面，在上子腔室内设置有多个加热灯，用于透过介质窗朝向承载面辐射热量，各个所述加热灯与承载面之间的竖直间距不同，以使辐射至置于承载面上的基片不同区域的热量趋于一致。本发明提供的加热腔室，其可以更均匀地加热基片，从而可以提高工艺均匀性。
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公开(公告)号：CN119337848A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411281224.4
申请日：2024-09-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: G06F40/186 , H01L21/67 , G06F40/143 , G06F21/62 , G06Q10/0631 , G06Q10/0875 , G06Q50/04
Abstract: 本申请公开了一种配置文件的生成方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获取与目标半导体工艺设备相关的目标硬件配置项的标识；获取预先构建的配置文件模板，配置文件模板中包括与各半导体工艺设备支持的硬件配置项的标识对应的配置项配置文件，配置项配置文件中包括硬件配置项的标识对应的配置项配置文件内容；在配置文件模板的各配置项配置文件中确定目标配置项配置文件，目标配置项配置文件对应的硬件配置项的标识与目标硬件配置项的标识一致；根据各目标配置项配置文件中的配置项配置文件内容，生成目标半导体工艺设备对应的配置文件。本申请降低了配置文件的维护成本，节省了人力资源，且提高了配置文件的生成效率和准确性。
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公开(公告)号：CN111235535B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010073789.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种溅射反应腔室的工艺组件及溅射反应腔室，其中，该工艺组件包括：内衬，内衬中设置有水道，内衬包括本体部和盖板部，本体部呈环状，盖板部由本体部的底部且沿本体部径向延伸，并与本体部一体成型设置，盖板部用于在进行工艺时固定晶圆；水道设置于盖板部和本体部中。通过改变工艺组件中内衬的结构，使盖板部与内衬的本体部形成一体化的内衬结构，同时在内衬中通水冷却，实现了对盖板部区域的有效冷却，进而扩大靠近晶圆的冷却区域，从而最大限度减少了晶圆上的热量积累，保证温度的稳定，减少工艺过程中气体和杂质的释放，进一步降低薄膜应力变化，控制晶须缺陷的产生，提升产品良率。
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公开(公告)号：CN110299301B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201810245055.7
申请日：2018-03-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种用于多腔传输装置的开盖机构，包括切换组件、驱动组件、多组传动组件和多组开盖执行组件，每组传动组件对应连接有一组开盖执行组件；切换组件用于将驱动组件选择性地与其中一组传动组件相连；驱动组件用于驱动传动组件以带动开盖执行组件摆动。开盖机构可以节约多腔传输装置的安装空间、降低了设备成本和人力成本，大幅地提升开盖机构的工作效率。
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