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公开(公告)号：CN115679276B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202110830286.6
申请日：2021-07-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射磁发生装置及半导体工艺设备，磁控溅射磁发生装置用于设置于半导体工艺设备中的靶材上方，磁控溅射磁发生装置的第一旋转件围绕靶材的轴线旋转，第二旋转件可转动的设置于第一旋转件的一端，且第二旋转件的一端设置磁发生部件，限位组件包括限位部件和位置调节部件，限位部件和位置调节部件中的一者设置于第一旋转件上，另一者则设置于第二旋转件上；位置调节部件包括位置可调节的位置调节件，位置调节件用于在第一旋转件和第二旋转件相对转动时与限位部件相抵，通过改变位置调节件与限位部件相抵的位置，调整磁发生部件围绕第一旋转件的轴心旋转的半径。本发明能够提高磁控溅射工艺调试的便捷性，提高设备使用的灵活性。
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公开(公告)号：CN115679276A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110830286.6
申请日：2021-07-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射磁发生装置及半导体工艺设备，磁控溅射磁发生装置用于设置于半导体工艺设备中的靶材上方，磁控溅射磁发生装置的第一旋转件围绕靶材的轴线旋转，第二旋转件可转动的设置于第一旋转件的一端，且第二旋转件的一端设置磁发生部件，限位组件包括限位部件和位置调节部件，限位部件和位置调节部件中的一者设置于第一旋转件上，另一者则设置于第二旋转件上；位置调节部件包括位置可调节的位置调节件，位置调节件用于在第一旋转件和第二旋转件相对转动时与限位部件相抵，通过改变位置调节件与限位部件相抵的位置，调整磁发生部件围绕第一旋转件的轴心旋转的半径。本发明能够提高磁控溅射工艺调试的便捷性，提高设备使用的灵活性。
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公开(公告)号：CN115125517A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210715034.3
申请日：2022-06-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 赵磊
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开一种气体分配装置及半导体工艺设备，气体分配装置包括分配盘，分配盘包括相互叠置的板主体和盖板；板主体面向盖板的表面设置有沿分配盘的径向依次交替设置的多个第一弧形通道和多个第二弧形通道，以及与多个第一弧形通道均相连通第一通气通道，与多个第二弧形通道均相连通的第二通气通道；多个第一弧形通道和多个第二弧形通道分别设置有多个出气孔；出气孔与半导体设备的反应腔室相连通；盖板开设有第一注气孔和第二注气孔，第一注气孔与第一通气通道连通，第二注气孔与第二通气通道连通。上述方案能够解决晶圆表面的薄膜均匀性较差的问题。
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公开(公告)号：CN111778490A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010674069.8
申请日：2020-07-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 赵磊
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体设备及其下电极组件。该下电极组件包括承载装置及紧固组件，其中：承载装置设置于半导体设备的腔室本体内的底壁上；紧固组件的可调节端设置于底壁外侧，紧固组件的非可调节端穿过底壁与承载装置连接，用于将承载装置固定于底壁上。本申请实施例将紧固组件的可调节端设置于腔室本体的底壁外侧，在对承载装置进行维护更换时，维护人员能清楚的明确紧固组件的位置及结构，从而便于对承载装置的拆装维护，进而大幅提高了承载装置的维护效率。
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公开(公告)号：CN111627849A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910144980.5
申请日：2019-02-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种翻转装置及装卸腔室，包括固定件、升降驱动机构、连杆机构和翻转基座，其中，翻转基座与固定件连接，且能够在由固定件承载的第一位置和与第一位置呈预设夹角的第二位置之间翻转；升降驱动机构用于提供垂直动力；连杆机构分别与升降驱动机构和翻转基座铰接，用于将升降驱动机构提供的垂直动力转换为驱动翻转基座在第一位置与第二位置之间翻转的动力。本发明提供的翻转装置及装卸腔室能够降低翻转装置的加工难度，降低翻转装置无法翻转至工作位置的情况的发生，并能够提高翻转装置的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113846301B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202111131650.6
申请日：2021-09-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体工艺设备、磁控管的位置检测方法及速度检测方法，半导体工艺设备包括工艺腔室和保护罩，工艺腔室顶部设置有靶材，保护罩设置在工艺腔室上，保护罩与靶材围成容纳空间，半导体工艺设备还包括磁控管组件；保护罩上间隔设置有第一透光区域和第二透光区域；磁控管组件包括磁控管、第一旋转臂、第二旋转臂、反射件、第一检测元件和第二检测元件，第一旋转臂、第二旋转臂和反射件均位于容纳空间内，第一旋转臂可转动地与保护罩连接，第二旋转臂可转动地与第一旋转臂连接，磁控管设置于第二旋转臂上，第一检测元件和第二检测元件用于发射光线和接收光线，第一检测元件与第一透光区域相对设置，第二检测元件与第二透光区域相对设置。
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公开(公告)号：CN113846301A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111131650.6
申请日：2021-09-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体工艺设备、磁控管的位置检测方法及速度检测方法，半导体工艺设备包括工艺腔室和保护罩，工艺腔室顶部设置有靶材，保护罩设置在工艺腔室上，保护罩与靶材围成容纳空间，半导体工艺设备还包括磁控管组件；保护罩上间隔设置有第一透光区域和第二透光区域；磁控管组件包括磁控管、第一旋转臂、第二旋转臂、反射件、第一检测元件和第二检测元件，第一旋转臂、第二旋转臂和反射件均位于容纳空间内，第一旋转臂可转动地与保护罩连接，第二旋转臂可转动地与第一旋转臂连接，磁控管设置于第二旋转臂上，第一检测元件和第二检测元件用于发射光线和接收光线，第一检测元件与第一透光区域相对设置，第二检测元件与第二透光区域相对设置。
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公开(公告)号：CN109962029B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201711338844.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种片盒旋转机构和装载腔室。片盒旋转机构包括支撑底座、旋转支撑座和移动组件；支撑底座能在驱动力的作用下沿竖直方向作直线运动，旋转支撑座位于支撑底座上，且旋转支撑座的一端与支撑底座的一端可旋转地连接，旋转支撑座用于装载片盒；移动组件包括导轨、移动件和弹性件，移动件连接在旋转支撑座的侧面，导轨用于固定设置在装载腔室的侧壁上；支撑底座向下移动的过程中，导轨能与移动件接触，阻挡移动件向下移动，以使得旋转支撑座由竖直位置旋转至平倒位置；弹性件用于对旋转支撑座施加使其由平倒位置旋转至竖直位置的回复力。可以使得晶片在片盒中具有准确地取片位置，提高取片良率，节约取片时间。
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公开(公告)号：CN112151430A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010954506.1
申请日：2020-09-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种半导体设备中的传输腔室及退火设备，其中传输腔室包括：至少一个腔室本体，每个腔室本体均包括相互隔离的至少两个子腔室，每个子腔室均设有与腔室本体外部相通的通气孔；设置在腔室本体外壁上的安装块，安装块上设有与通气孔一一对应的抽气通道；开关部件，开关部件能够选择性地堵塞或连通任一抽气通道。本发明一方面使传输腔室和抽真空管路结构紧凑，提高设备的维护空间，另一方面可以对每一个子腔室单独进行抽真空，可以避免子腔室间存在交叉污染的问题。
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公开(公告)号：CN112151430B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202010954506.1
申请日：2020-09-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种半导体设备中的传输腔室及退火设备，其中传输腔室包括：至少一个腔室本体，每个腔室本体均包括相互隔离的至少两个子腔室，每个子腔室均设有与腔室本体外部相通的通气孔；设置在腔室本体外壁上的安装块，安装块上设有与通气孔一一对应的抽气通道；开关部件，开关部件能够选择性地堵塞或连通任一抽气通道。本发明一方面使传输腔室和抽真空管路结构紧凑，提高设备的维护空间，另一方面可以对每一个子腔室单独进行抽真空，可以避免子腔室间存在交叉污染的问题。
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